日程出炉 2023先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛即将启程_产业_新闻资讯

随着近年逐步开始商业化和产业化，功率半导体行业已经迎来了新的发展赛道，并逐步形成与行业应用紧密相关的新发展趋势。尤其是IGBT及第三代半导体功率器件技术与应用。IGBT作为功率电子器件的核心之一，是能源变换与传输的核心器件，被业界誉为电力电子行业中的“CPU”，在能源转换、工业控制、交通运输、可再生能源等领域中得到了广泛应用，发展越发受到关注。凭借着高功率密度、驱动电路简单以及宽安全工作区等特点，成为了中大功率、中低频率电力电子设备的首选。随着本土IGBT产品性能已经逐渐成熟，且部分产品性能可对标海外IGBT大厂产品，加速国产化IGBT产品市场渗透，逐步切入高端市场。IGBT制造属于资本密集型行业，其产业链较长，包括芯片设计、芯片制造、模块制造、测试等环节; 部分设备依赖进口，成本高昂，产品研发阶段亦需要较长研发时间和较高研发成本。

为推动IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用，半导体产业网、第三代半导体产业联合中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会、励展博览集团等单位，将定于7月20-21日在NEPCON China 2023 电子展(第三十一届国际电子生产设备暨微电子工业展览会)期间，在上海世博展览馆举办“2023先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛”。

目前，日程已出炉，届时有：中车半导体副总工程师刘国友，清纯半导体（宁波）有限公司首席科学家、复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所副所长雷光寅，北京中电科电子装备有限公司副总经理刘国敬，河北工业大学教授、天津赛米卡尔科技有限公司董事长张紫辉,中国电子科技集团公司第五十五研究所副主任设计师李赟，快克智能装备股份有限公司市场总监沈懿俊，上海芯钬量子科技有限公司高级产品研发经理曹雅婧，上海陆芯电子科技有限公司市场技术总监曾祥幼，上海仙工智能科技有限公司半导体事业部总经理于承东，无锡芯鉴半导体技术有限公司总经理闫大为，中科院上海微系统所研究员欧欣，苏州博湃半导体技术有限公司市场总监周鑫，江苏宏微科技股份有限公司市场经理苗硕等产业链知名企业专家代表，将聚焦先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用的最新进展与趋势，畅谈产业链之间的协同创新与合作。

部分嘉宾简介

雷光寅

雷光寅，博士，复旦大学研究员、复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所副所长、清纯半导体（宁波）有限公司首席科学家。2010年至2018年于美国福特汽车公司任研发工程师，负责混动汽车电机控制器硬件开发；2018年至2020年于上海蔚来汽车有限公司任电动力工程技术专家，负责基于碳化硅功率半导体的新能源汽车电驱动系统前瞻项目。长期从事功率半导体模块封装及新能源汽车电驱动系统开发，研究领域集中在新型封装材料开发；功率模块封装设计、工艺开发、可靠性及失效分析；混动及纯电驱动系统开发等。发表高水平学术期刊论文30余篇，其中高引数量17篇；作为第一或合作发明人，至今共取得超过40项美国及中国发明专利。研究成果曾获得有着科技界“奥斯卡”奖之称的美国科学技术创新奖（R&D 100，2007年度）和2021年中国国际高新技术成果交易会优秀产品奖等奖项。

李赟，博士，正高级工程师，中国电子科技集团公司第五十五研究所，副主任设计师。主要从事SiC材料外延工作。先后承担或参与“863"、“973”、“核高基”和重点研发计划等重大科研项目，突破大尺寸低缺陷SiC外延关键技术，建立外延工艺平台，实现SiC外延材料自主保障供应。基于自主研发的材料, 实现SiC MOSFET系列产品批产；研制了国内首个20kV n沟道IGBT芯片研制成功。发表科技论文8篇(第一作者)，授权发明专利15项(第一发明人)，其中2项PCT专利分别获欧盟及韩国授权。牵头编制行业标准2项(已发布)。获得国防科技进步奖1次，电子学会技术发明奖1次。

刘国敬

刘国敬北京中电科电子装备有限公司副总经理，正高级工程师。多年来，以国家战略需求和产业升级为导向，持续发力集成电路高端电子制造核心装备的自主创新，专注于国产集成电路减薄设备的自主设计和研发工作，为用户提供成套工艺解决方案。带领团队研发的一系列减薄机设备已应用于材料加工、芯片制造和封装等工艺段，同时在第三代半导体、化合物等材料加工领域也有广泛的应用。参与的国家02重大专项“300mm超薄晶圆减薄抛光一体机项目”，获得中国电子科技集团公司科学技术奖一等奖，曾申请发明专利11项，以第一作者发表学术论文5篇，参与了《电子技术自动化发展与应用研究》著作的编委工作。

张紫辉

张紫辉，河北工业大学教授、天津赛米卡尔科技有限公司董事长。2015年毕业于新加坡南洋理工大学并获博士学位，主要研究第三代半导体器件、半导体器件物理，从事芯片设计与仿真技术及产业化推广。河北省特聘专家，河北省特殊津贴专家，河北省青年拔尖人才，东旭集团“平板显示玻璃技术和装备国家工程实验室”理事、技术委员会委员。发表SCI期刊科研论文150多篇，撰写学术专著4部，获授权专利21项，专利成果转化4项，先后承担国家级课题、国防课题、省部级课题、各类人才项目及横向课题等各类科研项目17项。

刘国友

刘国友教授级高工，中车首席技术专家，株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师。在中车从事功率半导体研究三十余载，带领团队率先突破了高铁IGBT芯片关键技术，引领8英寸高压IGBT芯片产业化。在高压IGBT、超大功率晶闸管和SiC等“卡脖子”芯片技术领域实现技术创新与自主可控，为我国高铁、智能电网等高端装备制造业和新能源、电动汽车等战略性新兴产业的可持续发展提供了智力支撑。在特高压直流输电晶闸管、大功率IGBT技术研究与产业化等方面做出重大贡献。主持研究开发了世界上第一只特高压直流输电晶闸管并实现工程应用与产业化；创立功率半导体英国研发中心，率先突破高压IGBT关键技术，自主设计并主持建成了全球第一条8英寸高压IGBT芯片生产线，实现高压IGBT芯片制造从6英寸到8英寸的技术跨越，有力支撑了高铁、智能电网等高端装备产业的健康可持续发展。申报国家发明专利100余项，已获授权专利50余项，在国内外核心期刊发表论文50余篇；获国家科技进步二等奖、中国电源学会技术发明特等奖、中国电子学会科技进步一等奖、中国铁道学会特等奖等10余项国家、省部级奖励。

欧欣，中国科学院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室研究员，博士生导师。长期从事SOI制备核心技术-离子注入技术研究，并将成果应用于开发新型异质集成XOI高端硅基晶圆材料及器件，为5G/6G芯片提供关键材料技术。发表SCI论文100余篇其中以第一/通讯作者发表在Nat. com.、PRL、Adv. Mater.、Nanoletters、IEDM等，申请专利100余件，成果转化近40件。先后获得国际离子注入技术大会“青年科学家奖”、德国亥姆霍兹HZDR国家研究中心-研究奖”HZDR Prize”、国际离子束材料改性贡献奖-”IBMM Prize”、中国光学十大进展、北京市科学技术一等奖（2/10）、产学研合作创新奖等。同时入选国家级科技创新领军人才、国家优秀青年科学基金获得者、中科院高层次人才计划（终期评估优秀）、中国科学院卢嘉锡国际创新团队带头人、上海分院杰出青年科技创新人才、中科院优秀博士论文、上海市优秀学术带头人等荣誉称号。