台积电、三星两大晶圆代工龙头最新产能规划、先进制程进展曝光！
下游消费电子疲软的市场行情持续冲击上游半导体产业，晶圆代工亦不可避免地受到冲击。与此同时，AI、HBM等应用风生水起，为业界带来新机会。
这一背景下，半导体领域晶圆代工先进制程重要性愈发凸显，台积电、三星两大晶圆代工龙头最新产能规划与未来先进制程规划逐渐清晰。
三星公布AI时代晶圆代工发展愿景，2025年量产2nm！
6月28日，三星电子在2023年第7届三星晶圆代工论坛（Samsung Foundry Forum, SFF）上宣布其最新的代工技术创新和业务战略。
人工智能时代，三星晶圆代工计划基于GAA的先进制程技术，为客户在人工智能应用方面的需求提供强大支持。为此，三星公布了2nm工艺量产的详细计划以及性能水平，计划2025年实现应用在移动领域2nm工艺的量产，于2026和2027分别扩展到HPC及汽车电子。
三星表示，2nm工艺（SF2）较3nm工艺（SF3）性能提高了12%，功效提高25%，面积减少5%。
三星还将扩大全球晶圆代工产能，该公司计划到2027年，产能较2021年扩大7.3倍。
全球产能提升方面，三星计划于韩国量产应用于移动领域的晶圆代工产品，并更多集中在平泽P3工厂。位于美国泰勒的新晶圆厂，也正按计划推进，预计于今年底前竣工，2024年下半年内投产。同时，三星计划在2030年后将韩国的生产基地扩展到龙仁，助力三星的下一代晶圆代工服务。
除此之外，三星亦表示，为应对移动和HPC应用小芯片市场的快速增长，三星本月与其SAFETM合作伙伴以及多家存储、封装基板和测试厂商合作，成立“MDI（Multi-Die Integration, 多芯片集成）联盟”。未来，三星还将与SAFETM合作伙伴一同持续努力，扩大晶圆代工生态系统。
台积电半导体制造工艺路线图曝光，未来将稳定提升产能
今年以来，台积电先后在美国加利福尼亚州圣克拉拉市、中国台湾等地介绍了其最新的先进半导体制造工艺路线图，涵盖3nm和2nm制程节点的各种工艺。
台积电目前规划的3nm"家族"分别是N3、N3E、N3P、N3X、N3 AE，其中N3是基础版；N3E是改进版，成本进一步优化；N3P性能将进一步提升，计划2024年下半年投产；N3X聚焦高性能计算设备，计划2025年进入量产阶段；N3 AE专为汽车领域设计，具备有更强的可靠性，将有助客户缩短产品上市时间2~3年。
2nm方面，台积电预计N2工艺将会在2025年进入量产。台积电介绍，在相同功率下，N2速度相比N3E提高15%，或者降低30%的功耗，密度为原来的1.15倍。
产能方面，台积电5月透露，为满足客户需求，台积电迅速稳定提升7nm、5nm及3nm先进制程产能，估计2019年至2023年复合成长率达40%。其中，台积电在2017年~2019年每年平均兴建2座新厂，2020年建6座新厂、2021年建7座、2022年建3座，2023年将再建2座新厂。
来源：全球半导体观察
