随着现代工业的快速发展,新型功率半导体器件——IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)正逐步成为工业应用的主流。作为一种半导体器件,IGBT具有高性能、高压抗性、低损耗等优点,在能源、工业、军事等领域都有广泛的应用。本篇文章将从多个角度对IGBT的产业现状进行分析,并探讨其未来的发展趋势。
一、市场概况
1.1、全球IGBT市场规模及预测
根据最新市场研究报告,2020年全球IGBT市场规模达到了380亿美元,预计到2027年将达到630亿美元。IGBT的应用领域也不断拓展,从传统的能源管理、电动汽车、电力工业扩展至新兴领域,如太阳能、风能、轨道交通等。
1.2、中国IGBT市场现状
目前,中国是全球最大的IGBT市场,也是IGBT生产的重要基地之一。2019年,中国的IGBT市场规模达到了145亿元人民币,其中成都、上海、武汉等地都有大型IGBT生产厂家。
二、主要应用领域
2.1、电力领域
电力领域是IGBT的主要应用领域之一。IGBT的高压开关功率控制功能,可以有效地在电力系统中控制电流和电压,使得电力传输过程更加高效、稳定和可靠。因此,在电力输配、轨道交通等领域中,IGBT的应用非常广泛。
2.2、新能源领域
随着全球对新能源的关注度越来越高,IGBT作为新一代能源转换器件,在太阳能、风能等新能源领域的应用越来越广泛。
2.3、电力电子领域
在电力电子领域,IGBT的应用范围更加广泛,IGBT可以用于变频器、UPS、逆变器等电力电子设备中,以提高电能的质量和电力设备的效率。
三、IGBT产业链分析
3.1、上游元器件市场
IGBT制造必须依赖于一系列的上游元器件。现阶段上游供应商主要集中在日本、欧洲等发达国家和地区,其中包括铜箔、背电极、金属保护层等。
3.2、核心制造商市场
目前,全球IGBT核心制造商主要集中在德国、日本和美国等国家和地区,其中包括英飞凌、日立、富士电机等公司。同时,中国IGBT的核心制造商也在不断发展中。
3.3、下游用户市场
IGBT的应用领域非常广泛,其下游市场包括电力、新能源、工业等多个行业。其中,中国的新能源市场快速发展,更是给IGBT产业带来了巨大的市场空间和发展机遇。
四、未来发展趋势
4.1、产品高端化
随着IGBT市场逐渐成熟,产品的高端化趋势也日渐明显,未来IGBT市场将向高性能、高集成度、高功率密度等方向发展。
4.2、新型IGBT技术
近年来,IGBT的新型技术不断涌现。例如,SiC 和 GaN 等新型功率半导体材料的出现,有望使IGBT具有更高的性能和更低的损失,加速其在新兴领域的市场拓展。
4.3、对生态环境的影响
IGBT在新能源、环保等领域的应用越来越广泛,未来IGBT行业将更加注重生态环境的保护和可持续发展。
综上所述,IGBT作为一种关键性的功率半导体器件,在不同的领域都有广泛的应用。以电力、新能源、工业等领域为例,IGBT都可以帮助实现升级和提高设备效率。未来,随着IGBT技术的不断发展和市场的不断扩大,IGBT产业将会迎来更加广阔的市场前景,其中包括新型高性能IGBT产品,以及良好的生态环境和可持续发展。
2023 先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛
7月20日-21日
上海世博展览馆·NEPCON论坛区
“双碳”战略带来的新能源增量需求,以及国产替代的需求,也会为国内市场带来巨大增长空间,在新能源汽车、智能电网、消费电子、信息通讯、轨道交通、光伏、风电、工控等领域的持续渗透,为我国打开了巨大的市场。随着近年逐步开始商业化和产业化,功率半导体行业已经迎来了新的发展赛道,并逐步形成与行业应用紧密相关的新发展趋势。尤其是IGBT及第三代半导体功率器件技术与应用。
为推动IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用,半导体产业网、第三代半导体产业联合中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会、励展博览集团等单位,将定于7月20-21日在NEPCON China 2023 电子展(第三十一届国际电子生产设备暨微电子工业展览会)期间,在上海世博展览馆举办“2023 先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛”。随着新材料技术的不断突破和在各个领域的广泛应用,形成了“一代材料、一代工艺、一代装备、一代产品、一代产业”。届时我们将邀请到产业链知名企业专家代表,聚焦前沿技术进步与产业创新应用,畅谈产业链之间的协同创新与合作,携手向前,共享共赢。
主办单位:
半导体产业网、第三代半导体产业
中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会
励展博览集团
承办单位:
北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司
报告议题(拟):
国产IGBT技术进展及市场现状 |
碳化硅肖特基二级管技术 |
IGBT模块封装技术 |
助力集成商打造半导体行业智能物流解决方案 |
高压功率器件封装绝缘问题及面临的调整 |
单双面银烧结技术在功率模块封装中的应用 |
第三代半导体功率器件封装技术现状及挑战 |
IGBT的真空焊接技术 |
超高压碳化硅功率器件 |
碳化硅离子注入技术 |
第三代半导体功率器件可靠性测试方法和实现 |
IGBT芯片设计 |
车规级IGBT 与 碳化硅IGBT 技术趋势 |
基于SiC功率芯片的高功率密度电驱系统 |
SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计 |
车规级氮化镓功率器件技术 |
用于功率器的关键设备技术/等离子去胶设备技术 |
IGBT模块散热及可靠性研究 |
碳化硅芯片设计 |
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