IGBT产业发展的挑战与机遇

日期:2023-06-14 阅读:613
核心提示:IGBT,即绝缘栅双极型晶体管,是一种高压高功率半导体器件,其巨大功率密度和高电压能力使其在现代电力电子装置和高效能电动汽车

 IGBT,即绝缘栅双极型晶体管,是一种高压高功率半导体器件,其巨大功率密度和高电压能力使其在现代电力电子装置和高效能电动汽车上应用广泛。由于其在大电流和高电压下的性能,IGBT已逐渐取代MOSFET成为主要的功率开关。

随着全球新能源汽车市场不断扩大,IGBT市场需求也在增加。据不完全统计,目前我国每年IGBT市场规模约为100亿人民币,市场增长快速。虽然IGBT行业发展前景广阔,但是其仍面临着一些挑战,如产业链短板、技术水平较低、缺乏国际品牌影响力等。

产业链不完善,是IGBT产业发展的一大挑战。IGBT产业要实现可持续发展,需要完整的产业链来配套。我国虽然已建成世界上最大的IGBT基础材料厂,但是在上游领域,如多晶硅、基板等方面,产业链尚不完整。同时在下游市场,如新能源汽车电机控制、电力电子、高速铁路等领域中,也需要IGBT相关产业链的支持。

技术水平较低也是IGBT产业所面临的挑战之一。虽然我国在IGBT领域投入巨资,在一些技术领域已经取得显著的成果,但是在某些方面,如退火等技术方面,仍存在一定的瓶颈。同时,我国的IGBT研发与国际领先水平相比还有一定的差距,需要进一步加强研发投入,提高技术水平。

缺乏国际品牌影响力也限制了IGBT产业的发展速度。虽然我国IGBT企业数量众多,但是真正具有国际影响力的品牌寥寥无几。目前我国一些知名品牌,如亿光、华虹等,虽然在国内市场颇有知名度,但是在国际市场上,其品牌影响力还有待提升。

尽管IGBT产业面临着挑战,但其也充满了机遇。如今,IGBT在交通运输、轨道交通、新能源等领域有着广泛的应用。由于新能源汽车市场的不断扩大,未来IGBT市场需求还将不断增加。同时,我国在这些领域中的投入也将会不断加大,为IGBT产业的发展提供了良好的机遇。

在面临挑战,抓住机遇的背景下,IGBT产业企业需要加强合作,共同应对挑战。同时要积极加强自身技术的研发与创新,提高自身的技术水平。此外,还可以通过与国际品牌企业的合作,提高自身在国际市场的影响力。

IGBT产业是一个前途光明的市场,它的发展为我国的经济发展做出了重要贡献。我们需要在面临挑战的同时,抓住机遇,推动IGBT产业的创新和发展,为我国电子制造业的发展作出更加积极的贡献。

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值得关注的是,2023 先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛将于7月20-21日在上海举办。

为推动IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用,半导体产业网、第三代半导体产业联合中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会、励展博览集团等单位,将定于7月20-21日在NEPCON China 2023 电子展(第三十一届国际电子生产设备暨微电子工业展览会)期间,在上海世博展览馆举办“2023 先进IGBT及第三代半导体功率电子技术与应用论坛”。随着新材料技术的不断突破和在各个领域的广泛应用,形成了“一代材料、一代工艺、一代装备、一代产品、一代产业”。届时我们将邀请到产业链知名企业专家代表,聚焦前沿技术进步与产业创新应用,畅谈产业链之间的协同创新与合作,携手向前,共享共赢。

主办单位:

半导体产业网、第三代半导体产业

中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会

励展博览集团

承办单位:

北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司

报告议题(拟):

国产IGBT技术进展及市场现状

碳化硅肖特基二级管技术

IGBT模块封装技术

助力集成商打造半导体行业智能物流解决方案

高压功率器件封装绝缘问题及面临的调整

双面银烧结技术在功率模块封装中的应用

第三代半导体功率器件封装技术现状及挑战

IGBT的真空焊接技术

超高压碳化硅功率器件

碳化硅离子注入技术

第三代半导体功率器件可靠性测试方法和实现

IGBT芯片设计

车规级IGBT 与 碳化硅IGBT 技术趋势

基于SiC功率芯片的高功率密度电驱系统

SiC功率器件先进封装材料及可靠性优化设计

车规级氮化镓功率器件技术

用于功率器的关键设备技术/等离子去胶设备技术

IGBT模块散热及可靠性研究

碳化硅芯片设计

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