全球气候变暖的背景下，社会发展面临着能源利用与消耗的巨大挑战，节能减碳，加速能源转型，大幅提升能源利用效率，发展非化石能源，逐步摆脱对化石能源的依赖是全球各国的关注方向。具有高频、高效率、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射等优异性能的碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体拥有巨大的应用潜力。
5月28日，2023中关村论坛北京（国际）第三代半导体创新发展论坛在中关村国家自主创新示范区展示中心举办。本次论坛由科学技术部、工业和信息化部、北京市人民政府主办，北京市科学技术委员会、中关村科技园区管理委员会，北京市经济和信息化局，北京市顺义区人民政府，北京第三代半导体产业技术创新战略联盟共同承办，得到了国际半导体照明联盟、国际信息显示学会、亚欧第三代半导体科技创新合作中心的大力支持。论坛立足“双碳”目标下第三代半导体产业的新形势、新机遇，围绕第三代半导体技术发展现状、趋势展望及对能源、交通、信息等领域高质量发展的支撑作用等展开交流，进一步构建开放创新平台，共建全球产业链生态圈，助力北京国际科技创新中心建设。
论坛主题报告环节，安世半导体副总裁 Carlos Castro介绍了氮化镓功率电子器件和典型应用，分享了未来功率半导体市场机遇、挑战及安世半导体技术创新应对方案。技术水平和性能的提升，成本的降低，商业的可持续性，供应的可得性和安全性都将影响着应用的广泛性。报告认为，当前氮化镓功率电子器件的目标应用领域处于早期阶段，有很多市场机会和可能性，并有望在相对较短的时间内快速增长。其中，电动汽车、工业领域，光伏、数据中心、5G和工业4.0等领域已经在其应用中充分利用了功率氮化镓的优势。氮化镓未来有很多改进的机会。
报告介绍了安世半导体相关的最新技术进展，安世半导体不断提高氮化镓在应用中的性能，产品应用于数据中心等领域。安世半导体已经推出了三代650V氮化镓场效应晶体管，将晶体管封装技术引入到氮化镓技术中。并在不断的根据市场需求，降低成本，提高性能。硅基氮化镓可以在采用常规半导体工艺的标准硅晶圆厂中生产，可以更好的理解制造工艺，并易于扩展。报告分享了安世半导体新一代650V氮化镓FETs的组装和测试，并分享了具体的应用，以及功率氮化镓技术如何提高效率、提高功率密度和降低系统成本。
目前，安世半导体正大力发展其它技术，以应对功率半导体市场，已经开始研发碳化硅产品，同时也在研发IGBT解决方案，以及高压硅MOSFETs。除此之外，利用在封装技术方面的经验来研发新的封装技术，以实现最低电感、最高热导以及可靠性，比如用于氮化镓的覆铜封装技术。公司也正在建立新的开发中心。除了技术开发，还致力于完善供应链，以进一步支持不断增长的需求。
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