天眼查显示，中芯国际“半导体结构及其形成方法”专利获授权，授权公告日为5月16日，授权公告号为CN110581174B。该专利的专利权人包括中芯国际集成电路制造（上海）有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司。
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专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上的鳍部，基底包括相邻接的第一区域和第二区域，鳍部沿延伸方向横跨第一区域和第二区域，第一区域基底内形成有阱区，第二区域基底内形成有漂移区；形成覆盖鳍部顶部表面和侧壁表面的栅氧化层；在第一区域和第二区域交界处的栅氧化层上形成栅极层，栅极层横跨鳍部且覆盖鳍部部分顶部和部分侧壁的栅氧化层；在栅极层一侧的阱区内形成源区，在栅极层另一侧的漂移区内形成漏区；形成源区和漏区后，依次刻蚀位于漏区一侧部分第二区域的栅极层、栅氧化层以及漂移区部分厚度基底，在漂移区内形成隔离槽；在隔离槽内形成隔离层。
据悉，本发明有利于提升LDMOS的耐压性能。
（来源：集微）
