三安半导体携旗下碳化硅全产业链产品出海

日期:2023-05-16 阅读:602
核心提示:近日,作为业界领先的功率半导体供应商,三安半导体携旗下碳化硅全产业链产品亮相在德国纽伦堡召开的全球最大的功率半导体展会PC

近日,作为业界领先的功率半导体供应商,三安半导体携旗下碳化硅全产业链产品亮相在德国纽伦堡召开的全球最大的功率半导体展会PCIM Europe 2023。全方位展现高效可靠的技术水平,为清洁能源的变换与高效利用提供更多解决方案。

PCIM Europe即欧洲电力电子系统及元器件展,是展示电力电子和应用领域当前产品、主题和趋势的领先国际平台。本次展会聚集了全球众多行业知名企业,三安半导体海内外研发、市场和销售团队悉数参与了此次业内盛会。

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在本次活动上,三安半导体展出的产品包括碳化硅晶碇、衬底、外延、碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率器件等,获得了众多海内外客户、行业人士的到访和关注。同时,三安半导体旨在让客户在具体应用中实现最佳效率,重点着眼于新能源汽车、光伏储能、通信基站、数据中心、工业自动化、家用电器、消费类电子等细分领域以及更多相关交叉应用,各板块涵盖的展品和解决方案受到了业内人士、海内外专家的认可和赞誉。

展品亮点

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6英寸碳化硅晶碇 衬底 外延

在晶碇生长技术上,三安半导体采用6/8英寸兼容大尺寸单晶生长平台,依托精准热场控制的自主PVT工艺,实现更低的成本及更低的缺陷密度。

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碳化硅衬底技术是目前产业链上技术门槛较高、工艺难度较大的环节,三安半导体拥有高效率、低损耗的切割技术,精准控性、高平坦度的研磨技术,以及高表面质量、低缺陷的抛光和清洗技术,基于此,6英寸碳化硅衬底的品质和良率在逐步提升。

在外延环节,缺陷密度、掺杂浓度均匀性是主要技术难点,与可靠性和成本息息相关。三安半导体采用650V-1700V宽电压区间外延平台和领先的多层外延技术,实现了低缺陷密度、高一致性与高可靠性,成本管控良好。

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碳化硅功率芯片、器件

功率芯片方面,本次展出的二极管及MOS芯片均通过了车规认证,基于更好的Vth控制技术和减薄晶圆平台,产品具备高电流密度高浪涌能力,以及极低损耗和低寄生参数。

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器件方面,三安半导体展出的650V/1200V全产品系列碳化硅功率二极管及MOS器件,通过了AEC-Q101认证,以高性能、高一致性和高可靠性为特点,可根据客制化要求,提供多种灵活工艺方案。

作为全球第三家、中国第一家碳化硅垂直整合制造平台,三安半导体提供从晶体生长、衬底制备、外延生长、芯片制程到封装测试的全产业链制造服务,可实现对产品迭代、质量、交付、成本的全方位管控。同时通过大规模制造,加速碳化硅技术在终端应用上的渗透率提升。

三安半导体成立之初就开始了全球化布局,在10余个国家和地区设有销售办公室、生产制造基地和产品研发中心,为中美英德日韩等地客户及代理商提供强有力的技术支持和客户服务,保障供应链安全稳定,为推动行业的健康发展起到了积极作用。

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此次出海参加PCIM Europe,三安半导体收获了众多国际客户的支持,也为公司开拓海外市场打开了新局面。未来,三安半导体将坚持以高价值产品和服务,不断惠及全球客户利益,赋能可持续发展,促进低碳、环保等趋势的实现。

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