2023年5月5-7日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙召开。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。论坛围绕“碳化硅衬底、外延及器件相关装备产业创新发展”、“关键零部件及制造工艺创新突破”、“产业链上下游协同创新”、“氮化镓与氧化镓等其他新型半导体”，邀请产业链上下游的企业及高校科研院所代表深入研讨，携手促进国内碳化硅及其他半导体产业的发展。
期间，在“碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术”分论坛上，湖南德智新材料有限公司副总经理、首席技术官余盛杰分享了《半导体设备用SiC零部件开发及应用》的主题报告。
化合物半导体是指以SiC、GaN、GaAs为代表的的宽禁带半导体材料，主要应用于高压、高温、高频场景。随着应用场景不断增加，对于化合物半导体的需求越来越大，化合物半导体发展迅速，因此，其芯片产能及制造能力就显得极为重要。
同时，SiC零部件是化合物半导体芯片制造过程中必不可少的高频耗材，也是唯一接触晶圆片的零部件，并对芯片性能、制造成本及产能具有重要的影响。本报告重点讲述化合物半导体设备用SiC零部件性能要求及其对芯片制造的影响，分享德智新材开发的SiC零部件在化合物半导体芯片制造中应用情况，同时展望未来SiC零部件的发展方向。
嘉宾简介：余盛杰，10年+新材料领域科研、产品开发及管理经验，师从国内SiC资深博导陈照峰教授，南京航空航天大学材料学博士，湖南德智新材料有限公司创始人之一，现任副总经理，湖南省2020年产业项目建设引进100个科技创新人才，湖南省株洲市“双创人才”。主要从事CVD SiC薄膜、SiC纳米线、C/SiC及SiC/SiC复合材料等领域的研究，发表SCI等论文20余篇，其中SCI收录16篇，EI论文1篇，在SiC涂层领域具有扎实的研究基础及丰富的技术开发及产业化经验。
