近十年全球宽禁带半导体电力电子市场已进入腾飞阶段，年均增速接近45%。SiC的禁带宽度大、热导率高和饱和电子漂移速度快等性能优势，决定了其天然适合高温、高压、高频、大功率等应用场景，其中新能源汽车、光伏储能是 SiC 市场增长的主要驱动力。GaN器件相比于SiC器件拥有更高的工作频率，加之其最低阈值电压要低于SiC器件，所以GaN电力电子器件更适合对高频率、小体积、成本敏感、功率要求低的电源领域，如轻量化的消费电子电源适配器、无人机用超轻电源、无线充电设备等。
近日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙召开。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。论坛围绕“碳化硅衬底、外延及器件相关装备产业创新发展”、“关键零部件及制造工艺创新突破”、“产业链上下游协同创新”、“氮化镓与氧化镓等其他新型半导体”，邀请产业链上下游的企业及高校科研院所代表深入研讨，携手促进国内碳化硅及其他半导体产业的发展。
期间，在“碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术”分论坛上，中国电子科技集团公司第十三研究所基础研究部高级工程师芦伟立分享了“电力电子领域宽禁带半导体外延技术进展”主题报告。
报告主要介绍了中国电科十三所在电力电子领域宽禁带半导体外延技术的研究进展，其中主要包括SiC外延技术和GaN on Si外延技术的发展状况。SiC外延所面临的问题主要是外延材料缺陷控制问题、外延材料均匀性和一致性控制和外延低成本控制等。而GaN on Si外延所面临的主要问题是大尺寸外延应力控制和一致性控制技术等。
嘉宾简介：芦伟立，高级工程师，中国电科十三所基础研究部，SEMI标准专家组成员。一直致力于SiC、GaN等第三代半导体材料研发生产工作，作为十三所外延材料团队的骨干成员，在射频、电力电子、光电子等方向突破多项关键技术，建立了多套化合物半导体材料工艺平台，多项成果处于国际领先水平，有力的支撑了5G、电力电子等民品产业化的发展。累计发表论文十余篇，申请发明专利十余项，牵头并参与制定多项IEC国际标准、SEMI标准和国家标准。先后荣获河北省国防科工优秀青年，集团XXX一等奖等荣誉。
