分子束外延（MBE）是一种原子、分子数量级外延薄膜可控生长技术。1968年美国贝尔实验室卓以和和John R.Arthur发明MBE技术。经过50余年的发展，MBE装备已日趋成熟，从单片3″、4″的小尺寸科研机型向多片4×6″、7×6″的大尺寸生产机型发展，不仅成为基础前沿材料研究的重要手段，更是固态微波射频器件、光电器件等化合物半导体高端器件生产的关键工艺装备。
近日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙召开。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。论坛围绕“碳化硅衬底、外延及器件相关装备产业创新发展”、“关键零部件及制造工艺创新突破”、“产业链上下游协同创新”、“氮化镓与氧化镓等其他新型半导体”，邀请产业链上下游的企业及高校科研院所代表深入研讨，携手促进国内碳化硅及其他半导体产业的发展。
期间，在“氮化镓、氧化镓及其他新型半导体”分论坛上，湖南烁科晶磊半导体科技有限公司科技部部长陈峰武分享了“分子束外延设备国产化进展及展望”主题报告。
在“超越摩尔定律”、“5G和物联网建设”、“碳中和”等多因素驱动下，以pHEMT、HBT、VCSEL、QWIP、Micro-LED为代表的先进微电子、光电子器件对化合物半导体外延材料科研生产提出了迫切需求。目前高性能MBE装备被国外所垄断，主要厂商有法国Riber、美国Veeco、芬兰DCA、德国MBE Koponenten等，其中前三者占有全球90%以上市场份额。国内以烁科晶磊、中国电科48所为代表的国产MBE厂商，通过多年发展，在小尺寸超高真空腔室设计与制造、超高真空传动机械、原位分析与测试仪器集成等方面积累了大量经验，3 ~6英寸MBE设备取得了技术突破并实现了商业化发展，但在大尺寸MBE装备整机制造、核心基础件研制、装备批产工艺等方面与国际先进水平存在一定差距，需要加快技术攻关和产品研制，补齐产业链短板，为我国科技自立自强提供重要支撑。
工业应用方面，未来MBE技术与设备将进一步朝向结构大型化、衬底多片化、传输自动化、生产高效化方向快速发展，满足化合物半导体MBE材料批量生产要求；前沿科学研究方面，MBE技术与装备将继续保持“技术输出”角色，为新材料、新器件、新功能、新原理的发现与工程化做出新的贡献。可以预见，MBE技术未来有可能成为Micro-LED、激光雷达LIDAR、量子计算、集成光电子等领域的行业变革者，改变未来的生活方式。
嘉宾简介：陈峰武，男，湖南省岳阳人，1984年6月生，湖南烁科晶磊半导体科技有限公司研发生产部副部长、电科装备技术专家、高级工程师职称。从事分子束外延设备（MBE）、MOCVD设备的研发与产业化12余年，多次主持承担国家重点研发计划项目课题、装备发展部支撑项目、湖南省高新技术创新引领项目、长沙市科技重大专项等重大项目的研发工作，产生了一批以MBE设备、MOCVD设备为代表的技术创新成果，并成功实现了成果转化和推广应用，取得了较好的经济效益和社会效益。先后发表学术论文4篇，申请发明专利14项，获授权专利7项。
