SiC外延片是SiC产业链条的核心环节，外延工艺是整个产业中非常关键的工艺，外延的质量影响器件的性能，对产业的发展起到非常关键的作用。碳化硅具有的耐高压，耐高温，高频能力的优势，非常有利于降低能量损耗，国内外半导体巨头都在碳化硅的研发上不断加码，全球市场中，国外企业颇具优势，国内企业也在不断进步。
2023年5月5-7日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙召开。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。论坛围绕“碳化硅衬底、外延及器件相关装备产业创新发展”、“关键零部件及制造工艺创新突破”、“产业链上下游协同创新”、“氮化镓与氧化镓等其他新型半导体”，邀请产业链上下游的企业及高校科研院所代表深入研讨，携手促进国内碳化硅及其他半导体产业的发展。
期间，在“碳化硅关键装备、工艺及配套材料技术”分论坛上，杭州海乾半导体有限公司董事长分享了碳化硅外延核心技术的产业化应用的最新进展。
报告介绍了碳化硅外延环节，以及碳化硅外延工艺的核心技术，依托海乾外延团队在行业内多年的经验积累，分享了当前本土化生产线的外延工艺开发过程，包括国产外延设备、国产检测设备及国产衬底原材料的使用效果。报告指出，本土化生产线的实际使用效果可以达到优于海外进口设备的常规水平，建议碳化硅外延生产线的本土化也势在必行。
孔令沂表示，海乾半导体致力与上下游努力配合，做好外延环节的一些工作，助力本土化碳化硅产业链以优秀的成果，共同推动国内碳化硅行业长期发展。
嘉宾简介
孔令沂，博士，杭州海乾半导体有限公司董事长，山东大学新一代半导体材料研究院 研究员。在第三代半导体外延领域，具有17年的研究和工作经验，曾任职于德国AIXTRON及天域半导体科技有限公司。研究成果共发表SCI论文19篇，EI论文5篇，获发明专利授权6项，实用新型专利授权7项。
