以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料已逐渐在5G通信、汽车电子、快速充电等方面得到大量应用。与此同时，以金刚石、氧化镓、氮化铝、氮化硼、石墨烯等为代表的超宽禁带半导体材料与其他先进电子材料具有更高的禁带宽度、热导率以及材料稳定性，具有显著的优势和巨大的发展潜力，也越来越得到国内外的重视。
2023年5月5-7日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”在长沙召开。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所等单位联合组织。论坛围绕“碳化硅衬底、外延及器件相关装备产业创新发展”、“关键零部件及制造工艺创新突破”、“产业链上下游协同创新”、“氮化镓与氧化镓等其他新型半导体”，邀请产业链上下游的企业及高校科研院所代表深入研讨，携手促进国内碳化硅及其他半导体产业的发展。
期间，“平行论坛2：氮化镓、氧化镓及其他新型半导体”如期召开。分会上，中南大学教授汪炼成，中科院半导体研究所研究员陈雄斌，南京大学教授王科，湖南烁科晶磊半导体科技有限公司科技部部长陈峰武，河北工业大学教授张紫辉，哈尔滨工业大学教授王琮，中电科第五十五研究所副主任设计师彭大青，湖南大学半导体学院（集成电路学院）助理教授李阳锋，中国科学院上海光机所研究员夏长泰，厦门大学化学与化工学院教授张洪良，西安交通大学副教授李强，山东大学胡秀飞博士，山东大学新一代材料研究院副教授穆文祥，中南大学物理电子学院副教授袁小明，中国科学技术大学微电子学院赵晓龙，中国电子科技集团第四十六所高级工程师张胜男，湖南大学新一代半导体研究院副教授胡伟等嘉宾带来精彩报告，深入探讨氮化镓、氧化镓及其他新型半导体的研究进展。南京大学教授谢自力，厦门大学电子科学与技术学院副院长张保平，中南大学教授刘艳平，中南大学教授汪炼成共同主持本论坛。
南京大学教授谢自力
厦门大学电子科学与技术学院副院长张保平
中南大学教授刘艳平
中南大学教授汪炼成
原位集成亚波长光学结构micro-LEDs器件研究
中科院半导体研究所研究员陈雄斌
氮化镓基光通信技术及应用
南京大学教授王科
氮化物半导体数字混晶与极化诱导二维空穴气
湖南烁科晶磊半导体科技有限公司科技部部长陈峰武
分子束外延设备国产化进展及展望
河北工业大学教授张紫辉
GaN功率电子器件的物理建模与制备研究
哈尔滨工业大学教授王琮
GaN基宽带高效功率放大器的进展与展望
中电科第五十五研究所副主任设计师彭大青
微波氮化镓外延材料研究进展
湖南大学半导体学院（集成电路学院）助理教授李阳锋
原位AlGaN插入层降低InGaN LED漏电流
中国科学院上海光机所研究员夏长泰
下一代半导体——氧化镓之管见
厦门大学化学与化工学院教授张洪良
氧化镓薄膜外延及电子结构研究
西安交通大学副教授李强
基于LPCVD生长六方氮化硼薄膜的特性及应用研究
山东大学胡秀飞博士
金刚石材料制备和应用研究
山东大学新一代材料研究院副教授穆文祥
氧化镓单晶生长及缺陷研究
中南大学物理电子学院副教授袁小明
III-V族化合物纳米半导体阵列的选区外研生长及探测应用
中国科学技术大学微电子学院赵晓龙
氧化镓光电探测器研究进展
中国电子科技集团第四十六所高级工程师张胜男
氧化镓材料研究进展及发展思考
湖南大学新一代半导体研究院副教授胡伟
氧化镓的可控掺杂与性能调控
