碳化硅既是芯片领域锻造长板的重大机会，也是快速响应新能源低碳经济、电力电子革命的重要抓手，是国家芯片和新能源战略交汇点。作为功率芯片定位，碳化硅芯片制程对线宽和集成度的要求低于大规模集成电路，是国产装备规模化应用从泛半导体走向高端的极佳发展平台。
2023年5月5日，“2023碳化硅关键装备、工艺及其他新型半导体技术发展论坛”于长沙开幕。论坛在第三代半导体产业技术创新战略联盟的指导下，由极智半导体产业网与中国电子科技集团第四十八研究所联合组织。
开幕大会上，中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任巩小亮做《碳化硅芯片制造装备技术发展趋势及国产化进展》的主题报告，详细分享装备技术进展及发展趋势。
当前国产装备已经实现从无到有，全面起步，对国内SiC产业从中试到量产的进程起到了较好的支撑。器件性能和成本的持续倒逼和规模化生产对装备支撑能力不断提出新要求，向大尺寸、高效率和高产能、低污染、新工艺协同等方面的发展成为装备技术发展的主要趋势。8英寸进程加速，集成电路技术向第三代半导体渗透，6/8英寸兼容产线已成为趋势；工艺线对核心设备的效率和产能要求持续提升，装备性能、产能提升基础上面向不同工艺处理特点进一步分型，以更好适应规模化量产；高温工艺沾污控制、晶圆自动化处理等方面的要求持续提升，对装备整机与先进材料、零部件等前端协同迭代提出新要求；材料生长与加工、器件新结构、新技术乃至颠覆性解决方案的发展也主要依赖于装备创新。
中国电科48所围绕SiC外延和芯片制造全链条开展核心装备开发、迭代与应用，在国内率先开发出碳化硅成套关键装备并逐步成熟，以SiC外延、高温高能离子注入、高温激活退火、高温氧化为代表的系列设备实现批量应用，6英寸机型国内批产应用+订单近200台套，支撑SiC器件生产企业规模快速上量，并在2023年全面形成6-8英寸兼容装备解决方案。
报告指出，当前行业关注度已下沉至原材料、零部件、测试仪器、工业软件等更为基础的领域，需要积极构建强大而健康的生态链协同发展。48所将依托国家第三代半导体技术创新中心（湖南）平台，积极布局原始创新和正向设计，加强工艺协同与持续迭代，打通从科学到技术、从技术到产品的创新链，协同解决核心零部件产业链供应链“堵点”，推动国产装备技术水平和应用规模进一步提升，适应化合物特性和工艺的快速变革式发展和大批量应用要求。
嘉宾简介
巩小亮，中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任，电科装备高级技术专家，长期从事第三代半导体关键装备攻关与产业化，重点致力于外延生长设备技术研究，主持国家重点研发计划、湖南省十大技术攻关等重大项目10余项，发表论文10余篇，授权发明专利6项，牵头制定行业标准2项，获国资委重大工程突出贡献个人、湖南省科技创新领军人才、CASA第三代半导体卓越创新青年、中国电科科学技术奖一等奖、中国电科“十大青年拔尖人才”等荣誉。
