铌酸锂材料具有优异的电光、声光和光学非线性效应，素有光电子时代“光学硅”的称号。近年来，薄膜铌酸锂作为新的集成光电子材料平台受到了广泛的关注，基于该平台的光电子器件库也得到了快速的发展。
4月20日，首届中国光谷九峰山论坛暨化合物半导体产业大会开幕。论坛在湖北省和武汉市政府支持下，由武汉东湖新技术开发区管理委员会、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、九峰山实验室、光谷集成电路创新平台联盟共同主办。
中国科学院院士、南京大学教授祝世宁分享了薄膜铌酸锂的机遇与挑战。报告指出，上个世纪80年代,南开大学与西南技术物理所合作研究, 发现掺镁量大于4.6%mol浓度阈值时，可极大提高抗光折变能力,引起国内外学者广泛关注,该晶体也被誉为“中国之星”，这一突破打开了铌酸锂晶体在Q-开关、集成光学等多个领域中应用的新局面。
薄膜铌酸锂光电器件的尺寸大幅度减小, 性能大幅度提升，满足光电子技术不断发展的需要。报告详细介绍了当前薄膜铌酸锂光电器件与集成技术的最新进展动态，并指出，薄膜铌酸锂光电器件与集成技术具有低损耗、易调控、非线性等特点，为大规模光子集成创造条件。
尽管起步很早，光子集成的道路远远比电子集成更加坎坷，至今核心材料与技术路线仍未完全确立，是机遇也是挑战。要发展和优化基于铌酸锂薄膜器件独特的加工与制备技术。有关薄膜铌酸锂器件与集成的材料工程涉及晶圆级加工、异质键合技术、缺陷控制技术、铁电畴工程、掺杂技术、色散工程等。
展望未来，薄膜LN集成光子学将很快成为集成光子学联盟中强大的竞争者和不可或缺的参与者，它的多功能性复杂性和应用前景令人期待。
