宽禁带所简介
复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所（以下简称“宽禁带所”）由复旦大学宁波研究院联合复旦大学工程与应用技术研究院共同组建，聚焦SiC功率半导体材料缺陷表征、器件设计、器件制造工艺、封装工艺开发等主要方向，以市场需求为导向，技术创新研发为动力，高端人才培养为支撑，采用政府引导、高校支撑、企业联合研发、全产业链协同的政产学研相结合的模式，重点突破SiC材料与器件关键共性技术及先进制造工艺，联合上下游建立虚拟IDM模式，为宁波SiC优势产业集群的形成提供强有力支撑。
宽禁带所建设总投入约4.6亿元，主要用于器件工艺研发与中试线、先进封装研发线、测试及可靠性平台的设备采购、能力建设和日常运营管理等。接下来将按照国家级和省级重点实验室标准，加快建设面向前瞻研究与成果转化、具备国际领先水平的碳化硅半导体材料与器件高水平研发平台，力争成为国家级碳化硅半导体技术研发中心，打造宁波“碳化硅谷”。
招聘需求
一、博士后研究人员
复旦大学宁波研究院于2022年建立博士后科研工作站，自建站以来有力地推动了研究院与高校及地方政府的合作交流，促进产学研紧密结合。博士后工作站已成为研究院高层次人才引进、培养和科技创新的重要平台。
招聘对象：
国内外高校优秀博士研究生，年龄在35周岁以内，须全职从事博士后研究工作。
专业领域：
1）宽禁带半导体材料生长与缺陷表征技术；
2）宽禁带半导体功率器件设计、先进制造工艺及器件可靠性评价；
3）超宽禁带半导体材料、器件及工艺研究；
4）高频高功率先进封装技术与可靠性测试。
二、技术类岗位
▌1、工艺岗位
工艺工程经理、光刻工艺工程师、刻蚀工艺工程师、注入工艺工程师、氧化/退火工艺工程师、淀积工艺工程师、清洗/腐蚀工艺工程师、中测工艺工程师
岗位职责：
1）基于平台的产品，进行工艺调试，并策划满足开发产品所需工艺菜单；
2）实现工艺异常调查与处理、现场工艺日常维护及SPC日常监控管理；
3）进行新工艺开发和工艺优化，完成工艺验证报告、开发报告、异常报告和SPC分析报告的整合与处理；
4）制定工艺规范文件，对相应设备操作人员进行技能培训；
5）参与团队的课题和项目，完成相应的工艺开发和器件流片实验；
6）协助团队完成其他工作。
任职要求：
1）全日制本科及以上学历，微电子、物理、材料、化工等相关专业；
2）行业工作经验2年及以上，具备功率器件行业经验者优先，技能、经验优秀者不限制专业；
3）了解晶圆制造工艺，有较强的统计和分析能力，能适应洁净室工作环境，能适应团队合作工作，工作认真勤恳、能吃苦耐劳，具有项目管理能力，强烈的学习意愿，熟练使用办公软件。
▌2、设备岗位
光刻/刻蚀设备工程师、减薄/划片设备工程师、清洗设备工程师
岗位职责：
1）基于平台的新机台（设备）进行工艺调试，配合工艺工程师进行工艺开发；
2）设备异常调查与处理、现场工艺日常维护及SPC日常监控管理；
3）持续改进设备利用率，独立完成设备验收报告，异常报告和SPC分析报告；
4）制定设备规范文件，对相应设备助理工程师与操作人员进行技能培训；
5）参与团队的课题和项目，为新课题项目研发提供满足需要的设备；
6）协助团队完成其他工作。
任职要求：
1）全日制本科及以上学历，微电子、物理、材料、化工等相关专业；
2）行业工作经验2年及以上，具备功率器件行业经验者优先，技能、经验优秀者不限制专业；
3）了解晶圆制造设备，有较强的统计和分析能力，能适应洁净室工作环境，能带领团队合作工作，工作认真勤恳、能吃苦耐劳，具有项目管理能力，强烈的学习意愿，熟练使用办公软件。
▌3、厂务工程师
岗位职责：
1）基于平台的动力新机台（设备）进行调试，配合净化厂房要求完成设备正常运行；
2）动力设备异常调查与处理、现场工艺日常维护及SPC日常监控管理；
3）持续改进动力设备利用率，独立完成设备验收报告，异常报告和SPC分析报告；
4）制定动力设备规范文件，对相应设备助理工程师与操作人员进行技能培训；
5）协助动力团队负责人，配合团队完成相关动力工作。
任职要求：
1）全日制本科及以上学历，半导体、微电子、电气工程、物理、化学或相关专业；
2）了解晶圆制造工艺，有较强的统计和分析能力，能适应洁净室工作环境，能适应团队合作工作，工作认真勤恳、能吃苦耐劳，具有项目管理能力，强烈的学习意愿，熟练使用办公软件。
▌4、IT工程师
岗位职责：
1）负责信息化系统维护管理，如服务器Windows系统、工作站Linux系统的管理和机房管理等；
2）参与相关系统的开发和维护，并依据业务发展需要，提出IT系统优化方案，协调各部门支持解决；
3）负责网络与信息安全体系建设，确保信息安全，如数据备份、病毒的查杀，维护网络系统安全，做好系统安全评估与加固；
4）负责办公设备选型、安装调试、维护及管理，如电脑及周边设备、办公门禁、会议系统的技术支持及运维工作。
任职要求：
1）全日制本科及以上学历，计算机及相关专业，具备基础英文读写能力；
2）3年以上相关工作经验，了解ITIL工作流程和内容，具有服务器管理、机房管理以及网络设备配置的基本知识，比如局域网配置、网络管理及网络故障的排除；
3）熟悉Windows、Linux系统及相关硬件的基本知识，熟悉VPN、AC、路由器、交换机等网络设备的设置与管理；
4）具有半导体设备软件安装和维护经验、硬件设备操作系统使用经验者优先。
三、职能类岗位
▌1、资产管理经理
岗位职责：
1）协助优化单位资产管理相关制度及操作规范，包括固定资产和无形资产的构建、保管、修理、处置、报废、核算等方面的程序和制度，为资产的安全性和效益性提出建议，同时编制相关宣传资料，组织培训、宣导并推进落实，加强全员资产管理意识；
2）实施固定资产业务的全流程监控，不断健全资产管理组织架构和考核指标，定期组织清理资产的不合理闲置、退库、报废，编制资产管理分析报告，查找资产管理问题并及时解决，同时汇报给上级；
3）组织单位资产年中、年尾的清查和盘点工作，健全相关资产台账，组织并监督资产的入库、验收、造册、变更工作，确保账物相符，并配合内外审计工作；
4）负责推动资产管理信息化建设工作；
5）审核年度资产采购计划、组织落实采购任务。
任职要求：
1）全日制本科及以上学历，理工科或财经类相关专业；
2）具有3年以上资产管理经验，具有资产管理体系搭建和信息化管理经验者优先；
3）熟悉财务资产专业知识，掌握资产管理必要的工具、方法；
4）品行端正，工作严谨，具有较强的组织、沟通和协调能力，较强的执行力和责任感。
▌2、安全工程师
岗位职责：
1）熟悉安全、环保相关法律法规，制订相关管理制度；编制年度安全、环保工作计划，并组织监督实施相关管理方案；
2）做好危险因素、环境因素的辨识、评价；负责对重要安全、重要环境岗位的设置与审核；
3）组织开展各项安全活动，协助和督促各部门执行安全制度，检查隐患整改工作，以符合安全、环保体系要求和事故防范要求；
4）参与新、改、扩建等项目的安全、环保、消防、职业卫生等“三同时”审批手续；
5）会同培训员组织开展单位员工的各类安全、环保培训教育工作，落实三级安全教育；
6）负责安保经费的控制使用、公司内限用物质的审批、劳防用品的选型、危害废弃物的处理等工作；
7）了解重点区域、部位、设备，设计工艺的安全、环保设施和措施，参与处理各类事故、事件，做好相应档案、资料的管理；组织体系内审、管理评审工作，提出改进意见，并跟踪相关问题整改。
任职要求：
1）全日制本科及以上学历，安全、化工、环境等相关专业；
2）具有3年以上相关工作经验，熟悉相关法律法规；
3）有注册安全工程师（化工类）证书者优先考虑。
薪酬及福利待遇
1、薪酬面议，整体参照国内一流科研机构水平及国内一线高技术企业水平；
2、开放的高校科研、人才、项目资源，强大的自有研发平台及创新载体支撑；
3、广阔的职业发展空间和晋升通道，完善的绩效奖励机制；
4、高标准缴纳五险一金（含补充商业险）；
5、双休工作制，提供员工宿舍、带薪年假、健康体检等；
6、享受当地政府人才政策，协助高层次人才申报住房补贴、解决子女入学等问题。
应聘程序
1、应聘博士后研究人员请将个人简历发至huangjuanjuan@fudannb.com（黄老师），邮件主题请注明“应聘博士后-研究方向-姓名”。
研究院将对应聘者简历进行初筛，并推荐合作导师，对满足申请条件与研究需要的应聘者通知面试，面试通过后进行背调与资格审查，经研究院最终批准后，通知应聘者提交进站申请和正式书面材料。未通过者，不再另行通知。
联系人：黄老师
联系方式：0574-82350319
2、应聘其他岗位者请将个人简历发至邮箱hr-rifun@fudannb.com，邮件主题请注明 “应聘岗位-姓名”。
我单位承诺对应聘者提交的所有材料严格保密。应聘者须对提供的所有材料的真实性负责。
联系人：杨老师
联系方式：0574-82350317
所长寄语
张清纯
复旦大学特聘教授
复旦大学宁波研究院宽禁带所所长
宽禁带半导体即第三代半导体（SiC和GaN）是支撑新能源汽车、高速列车、能源互联网、新一代移动通信等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，契合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，被列为国家科技创新2030重大项目“重点新材料研发及应用”重要方向之一。我国在第三代半导体应用领域有战略优势，有机会实现核心技术突破和产业战略引领，在国际竞争中抢占先机，重塑全球新兴半导体产业格局。
碳化硅(SiC)作为新兴的第三代半导体材料，具有更宽的禁带宽度、更高的击穿场强、更高的热导率等优异性能，是第三代半导体的主要方向，成为继以Si、Ge等材料为主的第一代半导体以及GaAs、InP等化合物材料为主的第二代半导体后的又一重要突破，已在光电子、功率、微波等方向得到广泛应用。
我的职业生涯亲历了SiC半导体材料从萌芽到产业化，见证了SiC器件从小众到主流的整个历程，积极参与和推动了SiC半导体技术的发展。技术进步没有止境，SiC半导体材料和器件的不断迭代仍需要从根本上研究解决诸如材料生长与缺陷形成机制、MOS沟道迁移率、器件及系统可靠性等重大基础科学问题，亟需发展创新关键技术、形成自主知识产权，为SiC半导体产业的快速发展、技术升级提供有力支撑和保障。
热忱欢迎有志于从事第三代半导体材料、器件、封装与应用的青年才俊加入研究院团队，共同推动宽禁带半导体技术发展！
（来源：复旦大学宁波研究院）
