实现第三代半导体——SiC（碳化硅）芯片自主量产并达到国际领先水平，装载百万辆新能源车，助力国内新能源汽车产业高质量发展，保障国内车企供应链安全。位于江宁开发区的国家第三代半导体技术创新中心（南京）平台（以下简称南京平台），不断取得科技创新领域突破。前天，记者来到中心探访。
南京平台超净厂房内，一台台精密仪器正在工作。偌大的车间里，科研人员坐在电脑前操控，许多设备已经自动化运行。在一个生产车间内，自动测试台正在对一片已完工的6英寸SiC晶圆进行测试，探针比绣花针还要细。通过显微镜可以看到，测试探针在芯片间高速移动。每一片晶圆上都分布着2000多个芯片，探针会对芯片性能进行全面评估，每一个芯片的性能数据迅速同步到数据中心以便技术人员随时掌握产线生产状态。一旁的显示屏上同步显示着检测结果。“绿色代表合格，红色则相反。”中心主任陈辰说，只见屏幕上几乎都是绿色。
别小看这些长宽仅有2毫米左右的芯片，它可是新能源车车载充电机的“心脏”，有了它，新能源车充电效率大大提高，而且能节省电力，实现减碳降耗。就是这小小的芯片，稳定了国内车企的供货渠道，实现了自主研发自主生产。
陈辰介绍，南京平台主要围绕SiC器件技术开展研究工作，在关键技术领域取得技术突破，建立了成熟的SiC肖特基二极管和MOSFET（金属—氧化物—半导体场效应管）产品技术并成功完成成果转化。“经过科研团队的不断努力，我们中低压系列产品形成基本达到国外量产化技术水平，高压产品的核心指标达到国际先进水平。”他说，SiC肖特基二极管已累计销售2000余万只，在各类电源应用领域取得了较好的市场反响；SiC MOSFET产品累计销售1000余万只，在电动汽车领域实现销售500余万只，累计装车100余万辆。
目前，南京平台拥有一支高水平三代半导体技术团队，人员覆盖芯片设计、单项工艺、工艺整合、可靠性保障、应用支撑等方面。团队内部从机理研究到工程化产品技术，从单项关键工艺到生产技术整合组织技术人员开展分工研究。针对器件批产一致性提高开展制造工艺全流程的优化，打通全部生产环节，晶圆成品率达到国际先进水平。
据悉，南京平台利用五十五所现有SiC电力电子器件研发平台，通过南京市、江宁开发区投入带动，打造功能更先进的6英寸SiC电力电子器件研发和中试平台，以存量带动增量，既节约成本又实现建设周期缩短。
“南京平台将以第三代半导体关键技术研发为核心使命，产学研协同推动科技成果转移转化与产业化，为区域和产业发展提供源头技术供给，为科技型中小企业孵化、培育和发展提供创新服务，为支撑产业向中高端迈进、实现高质量发展发挥战略引领作用，面向未来半导体领域高水平科技自立自强，承担更多更重要的角色，发挥好‘出题人’‘答卷人’‘阅卷人’作用。”陈辰说。
【记者手记】
实地探访国家第三代半导体技术创新中心（南京）平台，对南京奋力实现高水平科技自立自强的拼劲有了更直观的感受。
南京是全国科教资源最集中的城市之一，连续多年出台政策支持创新发展，覆盖经营主体培育、重大创新平台中心建设、科技成果转化、产业创新能力提升、重大项目攻关、人才引进和国际合作等方面，形成了良好的创新氛围。南京位列全国先进制造业百强市第四位，已成为我国集成电路产业强市。
国家第三代半导体技术创新中心（南京）平台取得的成就是南京科技自立自强之路的一个缩影。在这座城市，以创新型领军企业为龙头、高新技术企业为骨干、科技型中小企业为基础的创新型企业集群正在形成。
来源：南京日报
