由山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、绍兴中芯集成电路制造股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中电化合物半导体有限公司等单位联合起草的T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基准标记及尺寸》等3项系列标准已完成征求意见稿的编制。根据第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化工作管理办法，2023年3月22日起开始征求意见，截止日期2023年4月21日。
T/CASAS 025—202X《8英寸碳化硅晶片基准标记及尺寸》规定了8英寸碳化硅晶片基准标记及尺寸，适用于碳化硅切割片、研磨片和抛光片。
T/CASAS 026—202X《碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导法》规定了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法，适用于4～12英寸碳化硅衬底片和碳化硅外延片及少数载流子寿命为20 ns～200 μs的碳化硅晶片。
T/CASAS 032—202X《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》规定了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、钨、金、汞等元素含量的测定，测定范围为108 cm-2～1012 cm-2。本文件适用于4～8英寸碳化硅晶片，甚至更大尺寸的晶片，同时也适用于碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕量金属元素含量的测定。
