半导体产业网获悉：近日高性能SiC（碳化硅）模块厂家利普思半导体宣布完成逾亿元人民币Pre-B轮融资，由和高资本领投，上海瀛嘉汇及老股东联新资本跟投。本轮资金将主要用于公司在无锡和日本工厂产能的提升，扩大研发团队，以及现金流储备。
据悉，利普思从2019年11月成立起就一直专注高性能SiC与IGBT功率模块的研发、生产和销售。通过先进的封装材料和技术，该公司能够为控制器的小型化、轻量化和高效化提供完整的模块应用解决方案，广泛应用于新能源汽车、光伏、储能、大功率直流充电桩、燃料电池商用车等场景和领域。
碳化硅是第三代半导体经典的应用。碳化硅具有众多技术优势，宽禁带特性显著提升器件功率密度，从而利于系统散热与终端小型轻便化；高击穿电场强度特性有助于提高碳化硅器件的功率范围，利于器件薄化的同时提高系统驱动力；高饱和电子漂移速率特性大幅提升开关频率，同时提高整机效率。第三代半导体材料广泛应用在5G基建、新能源汽车充电桩、特高压及轨道交通等“新基建”各领域核心射频、功率器件中，产业迎来巨大的发展机遇。Yole预测，到2023年，全球碳化硅材料渗透率有望达到3.75%，预计到2025年，SiC器件市场规模将达到32亿美元，年均复合增长率超30%。
在产品方面，利普思主要产品包括新能源汽车和工业用的高可靠性SiC和IGBT模块。其中，利普思的HPD系列SiC模块在去年已成功通过欧洲整车厂客户的样品测试，以及国内新能源整车厂的选型和测试，并在第三方SiC控制器上进行了充分的负载验证。目前，利普思模块产品的性能和品质已达到国际品牌水平，并成功进入海外市场。其中，针对新能源汽车领域，公司推出了面向EV主驱逆变器的HPD系列，面向燃料电池汽车及机械车辆的ED3S、ED3H系列，面向汽车空压机的E0和E2系列等各型SiC功率模块，电流覆盖25A至1000A，可实现从几kW到400kW以上的应用。
在团队方面，利普思团队成员在三菱、东芝、三洋等功率半导体等的核心部门长期工作经验，熟悉功率半导体市场、产品、技术。利普思创始人梁小广在2004年上海交通大学研究生毕业后，就加入日本三菱电机功率半导体事业部，其间成功完成数款世界领先的功率器件，后在采埃孚从事SiC模块封装技术研究。联合创始人丁烜明曾任上海电驱动事业部总监，熟悉功率模块市场和应用，以及OEM的供应链配套和质量体系要求。
报道称，2023年，利普思将全面扩充乘用车、商用车、氢燃料电池、充电桩、光伏/储能、特高压等各大产品线。不仅如此，该公司还计划在国内建立一个百万级IGBT和SiC模块的生产基地，产能预计将实现十倍增长，预计于明年年底投产，以更好地满足未来SiC模块更大的市场需求。?
