由中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、中国电子科技集团第五十五研究所、中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路电路有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、河北北芯半导体科技有限公司、西安电子科技大学等10余家单位联合制定的T/CASAS 028—202X《Sub-6 GHz GaN射频产品可靠性筛选和验收方法》等5项射频系列标准已完成征求意见稿的编制。根据第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化工作管理办法，2023年3月14日起开始征求意见，截止日期2023年4月13日。
T/CASAS 027—202X《射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法》规定了射频GaN HEMT外延片的二维电子气迁移率非接触Hall测量方法的测试原理、干扰因素、测试程序和试验报告。
T/CASAS 028—202X《Sub-6GHz GaN 射频产品可靠性筛选和验收方法》规定了Sub-6GHz GaN射频产品的可靠性筛选和验收方法和详细要求，对提升产品质量、系统可靠性及稳定性具有重要意义。
T/CASAS 029—202X《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》规定了Sub-6 GHz GaN 射频器件微波特性的详细测试方法。本文件适用于共源组成方式的GaN 射频器件，其它组成方式仅供参考。
T/CASAS 030—202X《GaN毫米波前端芯片测试方法》规定了GaN毫米波前端芯片的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法。
T/CASAS 031—202X《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》规定了氮化镓功放模块的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法。
