近日，吉利科技旗下浙江晶能微电子有限公司宣布，其自主设计研发的首款车规级IGBT产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。
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吉利科技集团消息显示，该款IGBT芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术，通过优化表面结构和FS结构，兼具短路耐受同时实现更低的导通/开关损耗，功率密度增大约35%，综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定，采用工艺共创方式持续提升芯片性能。
晶能微电子表示，一辆典型的新能源汽车芯片用量超过 1200 颗。功率半导体占比接近 1/4。公司将围绕动力总成系统中的开发需求，不断研制性能优越的芯片和模块产品。
晶能微电子自主研发 IGBT HP Drive 模块
据悉，晶能微电子是吉利科技集团孵化的功率半导体公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制与创新，发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综合能力，为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。
