士兰微发布公告称，拟向特定对象发行A股股票募集资金总额不超过650,000.00万元（含本数）， 扣除发行费用后的募集资金净额拟用于SiC功率器件生产线等项目。
公告显示，本次向特定对象发行募集资金拟主要用于投资建设“年产36万片12英寸芯片生产线项目”、“SiC 功率器件生产线建设项目”和“汽车半导体封装项目（一 期）”。其中，“年产36万片12英寸芯片生产线项目”建成后将形成一条年产36万片12英寸功率芯片生产线，用于生产FS-IGBT、T-DPMOSFET、SGT-MOSFET功率芯片产品；“SiC功率器件生产线建设项目”达产后将新增年产14.4万片 SiC-MOSFET/SBD功率半导体器件芯片的生产能力；“汽车半导体封装项目（一 期）”达产后将实现年产720万块汽车级功率模块的新增产能。
上述三个项目建设系公司在高端功率半导体领域的核心战略规划之一，是公司积极推进产品结构升级转型的重要举措。公司将充分利用自身在车规和工业级功率半导体器件与模块领域的技术优势和IDM模式下的长期积累，把握当前汽车和新能源产业快速发展的机遇，进一步加快产品结构调整步伐，抓住国内高门槛行业和客户积极导入国产芯片的时间窗口，扩大公司功率芯片产能规模、销售占比和成本优势，不断提升市场份额和盈利能力。该项目的顺利实施有助于提高公司对下游市场的供货保障能力和客户供应链安全性，持续巩固公司国内半导体IDM 龙头企业优势地位，实现打造具有国际一流竞争力的综合性的半导体产品供应商的战略发展目标。
士兰微系国内功率半导体IDM龙头企业，资料显示，近年来，公司凭借其在8英寸和12英寸产线的率先布局，成为行业景气度上行的受益者，实现了从家电向汽车和工业领域的扩张和产品结构的四大升级。在IGBT领域，公司产品线由IPM 模块拓展至车规级IGBT模块与单管；在MOSFET领域，公司实现了高压超级结 MOS 和 SGT MOS 产品的批量出货；在电源管理IC领域，公司自主研发的快充芯片和 DC/DC 批量出货；在MEMS传感器领域，公司所采用MEMS工艺的重力传感器正在快速实现国产替代。相比于国内功率半导体厂商正处在从8英寸转向12英寸生产的过程中，公司目前已在12英寸晶圆产线上生 MOSFET和IGBT等功率半导体产品。
公告指出，半导体行业属于典型的技术密集型和资本密集型行业。作为IDM企业，公司具有资产相对偏重的特征，为满足产业链中下游客户强劲的产品需求，保障公司的业务拓展、产品迭代和产线建设，公司需要持续的研发投入和大量的流动资金支持。通过本次向特定对象发行募集资金补充流动资金，一方面，可以满足公司业务持续发展需要，提升公司核心竞争力，巩固公司龙头地位；另一方面，可以缓解公司流动资金压力，优化公司资产负债结构，降低公司财务风险，提高公司资金使用的灵活性。
