第三代半导体材料在紫外器件中具备其他半导体材料难以比拟的优势，展现出巨大的应用潜力。随着环保及公共安全等领域的需求升级，固态紫外技术拥有广阔的应用前景。近日，在第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）召开的“固态紫外材料与器件技术分论坛”上，美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官张剑平博士受邀在线分享了“透明紫外C波段发光二极管的光提取效率和性能”的主题报告。
美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官张剑平在线分享主题报告
他在报告中，介绍了Bolb 公司深紫外（265-275 nm）LED产品的研发和生产水平。归因于采取了透明外延结构，该公司研发成功的269纳米深紫外LED在350毫安下光功率输出达到了213毫瓦，对应的光电转换效率高达8.8%。该公司量产型270纳米深紫外LED一般在250毫安下光功率为100毫瓦左右，对应的光电效率～7%。
此外，张剑平博士在报告中进一步分享了一种基于载流子复合模型，即ABC模型，来提取LED取光效率和内量子效率的新方法。运用这个方法分析LED的功率-电流-结温数据，可以拆解LED的外量子效率，从而得到其内量子效率和取光效率。运用该方法，该公司的研发型深紫外LED的取光效率为16-17%，峰值内量子效率在82%左右；生产型深紫外LED的取光效率一般在 11%-14%，峰值内量子效率在70-80%。由此可见，目前制约深紫外LED光电转换效率的主要因素是取光效率。我们拆解LED取光效率的新方法由此可以为各种深紫外LED的光电转换效率提升技术提供重要的实验指导。
基于载流子复合，Bolb 公司推出了一个LED寿命的数学模型。LED寿命主要由两大因素制约：初始缺陷密度和缺陷增值的复合利率。其中，初始缺陷密度由缺陷激活能和结温共同决定，缺陷增值复合利率正比于电流密度的平方。该寿命模型完美拟合了3000，5000，和长达10000小时的深紫外LED的寿命测试数据，能够准确预测LED寿命表现。根据我们的测试和模拟，BOLB公司的深紫外LED在室温250毫安驱动下的L70寿命在1-10万小时区间。
报告现场
嘉宾简介：
张剑平，美国Bolb Inc.董事长兼首席技术官。张剑平博士于2014 年与Ling Zhou博士Ying Gao 和 Eun-hyun Park共同创立了 Bolb Inc.。此后一直担任 Bolb Inc. 董事长兼首席技术官。张博士在 III 族氮化物半导体产业和学术界积累了20多年的经验，并在深紫外发光二极管领域做出了开创性的工作。他于2003 年 获得DARPA SUVOS 杰出表现奖，并为 100 多篇同行评审的出版物和 100 多项美国和国际专利和申请做出了贡献。
