近期，天域半导体、天科合达半导体两家碳化硅企业均获得新一轮融资。
》》天域半导体获约12亿元融资
广东天域半导体股份有限公司（以下简称“天域半导体”）获约12亿人民币融资，投资方包括中国比利时基金、广东粤科投、南昌产业投资集团、嘉元科技、招商资本、乾创资本等。
本轮融资资金将继续用于增加碳化硅外延产线的扩产以及持续加大碳化硅大尺寸外延生长研发投入。
天域半导体成立于2009年，是一家碳化硅（SiC）外延片企业，乾创资本消息显示，该公司是国内最早实现6英寸外延晶片量产，20 kV级以上的厚外延生长实现，缓变结、陡变结等n/p型界面控制技术，多层连续外延生长技术的企业。
据悉，天域半导体已提前布局国内8英寸SiC外延晶片工艺线的建设，正积极突破研发8英寸SiC工艺关键技术。
》》天科合达完成Pre-IPO轮融资
近期，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）完成Pre-IPO轮融资，投资方包括京铭资本体系京铭鸿瑞产业基金、历金铭科产业基金以及青岛汇铸英才产业基金等。
天科合达成立于2006年，是一家从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业。目前拥有北京总部基地、北京研发中心和三家全资子公司，一家控股子公司，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延制备。
京铭资本消息显示，天科合达从2020年开始开展8英寸导电型SiC单晶衬底的研发工作，经过2年多技术攻关，突破了8英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题，成功制备出高品质8英寸导电型SiC单晶衬底。
据介绍，天科合达目前产能正在不断突破，北京二期和徐州二期也在进一步规划中，预计2025年底，6英寸有效年产能达到55万片，6到8英寸，可根据实际需求进行快速产能切换。
近期，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）完成Pre-IPO轮融资，投资方包括京铭资本体系京铭鸿瑞产业基金、历金铭科产业基金以及青岛汇铸英才产业基金等。
天科合达成立于2006年，是一家从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业。目前拥有北京总部基地、北京研发中心和三家全资子公司，一家控股子公司，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延制备。
京铭资本消息显示，天科合达从2020年开始开展8英寸导电型SiC单晶衬底的研发工作，经过2年多技术攻关，突破了8英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题，成功制备出高品质8英寸导电型SiC单晶衬底。
据介绍，天科合达目前产能正在不断突破，北京二期和徐州二期也在进一步规划中，预计2025年底，6英寸有效年产能达到55万片，6到8英寸，可根据实际需求进行快速产能切换。
