近期，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）完成Pre-IPO轮融资，投资方包括京铭资本体系京铭鸿瑞产业基金、历金铭科产业基金以及青岛汇铸英才产业基金等。
天科合达成立于2006年，是一家从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的国家级高新技术企业。目前拥有北京总部基地、北京研发中心和三家全资子公司，一家控股子公司，产业涵盖碳化硅单晶炉制造、碳化硅单晶生长原料制备、碳化硅单晶衬底制备和碳化硅外延制备。
京铭资本消息显示，天科合达从2020年开始开展8英寸导电型SiC单晶衬底的研发工作，经过2年多技术攻关，突破了8英寸晶体扩径生长和晶片加工等关键技术难题，成功制备出高品质8英寸导电型SiC单晶衬底。
据介绍，天科合达目前产能正在不断突破，北京二期和徐州二期也在进一步规划中，预计2025年底，6英寸有效年产能达到55万片，6到8英寸，可根据实际需求进行快速产能切换。
