近年来，随着人们对不同类型的发光器件的深入研究，新型显示与照明技术得到了相应的发展，这为未来信息显示与照明的多元化应用奠定了良好的基础。随着物联网、云计算、大数据、人工智能、元宇宙等技术和数字经济的兴起，新型显示技术不断迭代，提升显示效果，其中Mini/Micro LED 显示技术正成为新兴显示技术新的一极，为显示领域注入了新的成长动力。
Mini/Micro LED作为下一代新型显示技术，得到了各地政府在政策上的大力支持， 这两年对Mini/Micro LED产业形成了重要支撑。Mini/Micro LED产业链投融资也是热度不减。Micro LED显示是一种新型的由微米级半导体自发光像元组成的阵列显示技术，具有高亮度、高分辨率、低功耗、高集成、高稳定性等特点，可广泛应用于从最小到最大尺寸的任何显示场合，并从平板显示扩展到AR/VR/MR、空间显示、柔性显示、透明显示、可穿戴显示、智能车载显示及光通信、光互联、医疗探测等领域。Micro LED显示性能优势明显，我国全产业链核心企业已尽数加入并不断取得进展，目前正处于量产技术突破的前夜。
近日，开年盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）于苏州胜利召开。本届论坛是在国家科学技术部高新技术司、国家科学技术部国际合作司、国家工业与信息化部原材料工业司、 国家节能中心、国家新材料产业发展专家咨询委员会、江苏省科学技术厅、苏州市科学技术局、苏州工业园区管理委员会的大力支持下，由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）、中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、国家第三代半导体技术创新中心（苏州）联合主办。江苏第三代半导体研究院、苏州市第三代半导体产业创新中心、苏州纳米科技发展有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。论坛还得到了来自国内以及美国、日本、德国、瑞典、英国、意大利、波兰、澳大利亚、新加坡等国家和地区近70家组织机构、近90家行业代表性实力企业的支持。
主持人：厦门大学物理科学与技术学院副院长黄凯教授
主持人：北京易美新创科技有限公司执行副总裁兼首席技术官刘国旭
期间，“Mini/Micro-LED技术产业应用论坛“如期召开。本届分论坛由中微公司、上海芯元基半导体科技有限公司、北京康美特科技股份有限公司、长春希达电子技术有限公司 江苏省第三代半导体研究院协办支持。厦门大学物理科学与技术学院副院长黄凯教授和北京易美新创科技有限公司执行副总裁兼首席技术官刘国旭共同主持会议。会上，TCL科技集团工业研究院刘海坤博士，上海芯元基半导体科技有限公司总经理郝茂盛，长春希达电子技术有限公司副总经理汪洋，利晶微电子技术（江苏）有限公司总经理助理/Micro LED研究院副院长周佳，北京康美特科技股份有限公司首席技术官徐建军，Saphlux Inc公司副总裁申辰，中微公司MOCVD工艺总监陈耀，北京京东方显示技术有限公司杨瑞智，镭昱光电科技（苏州）有限公司创始人兼CEO庄永漳，华源智信半导体（深圳）有限公司电源事业部系统应用总监廖贤宾等精英专家们带来精彩报告，分享前沿研究成果。
TCL科技集团工业研究院刘海坤博士带来了“Mini/Micro-LED微显示技术分析与应用”的主题报告，报告指出，Mini/Micro-LED和VR/AR微显示技术均是未来新型显示产业重点发展方向；微显示技术中Mini-LED仍以VR领域应用为重点，Micro-LED侧重在AR领域应用方面；VR前瞻技术为Mini-LED和Pancake方案，AR前瞻技术为Micro-LED和光波导技术方案；Micro-LED有潜力成为微显示领域的终极显示方案；测试验证是Mini/Micro-LED技术量产前的必要步骤。
当前，GaN LED芯片基本上采用蓝宝石PSS技术，外延层中位错密度5*10^8/cm^2（5/micrometer^2)，外延工艺的优化已经非常接近天花板，沿现有的技术通过优化工艺进一步降低位错的可能性不大。上海芯元基半导体科技有限公司总经理郝茂盛分享了用于Micro LED芯片规模量产化的化学剥离生长衬底技术，报告指出衬底+外延+化学剥离三大核心技术，构筑强大通用性技术平台，分享了DPSS衬底和侧向外延生长技术、化学剥离蓝宝石衬底技术提高了GaN器件的性能，以及最新的产品进度。
新型显示产业是我国新一代信息技术产业的核心基础产业，国家战略、技术趋势为Mini/Micro LED新型显示发展形成强有力牵引。长春希达电子技术有限公司副总经理汪洋分享了Mini/Micro LED大尺寸COB显示产品及技术发展趋势。报告指出，对于大尺寸、超大尺寸显示而言，像素点间距<1mm 的微小间距LED显示产品是唯一实现超高清大屏途径，亟需技术突破实现产品创新抢占市场先机，满足未来万亿大显示产业需求。COB集成封装技术颠覆产业格局，使LED小间距显示跨进微小间距新时代。倒装MLED集成封装是实现超高清微小/超小间距显示的最优路径。超高清大尺寸超大尺寸倒装COB显示创新构建全场景应用生态。
利晶微电子技术（江苏）有限公司总经理助理/Micro LED研究院副院长周佳分享了“Mini/Micro LED 量产化技术及其产业链思考”的主题报告，MicroLED的产生符合经济发展规律，也是技术发展到一定阶段的相应产物。当前，Micro LED产业链上看，料价比过高，降价压力过大。红光效率问题、固晶效率问题（巨量转移）、快速检测问题、材料问题、材料、设备、工艺、终端协同开发问题。MicroLED未来显示将涉及更高分辨率的大尺寸商业显示、更小空间的商业应用场景、拓展至更多应用领域、更小的可穿戴设备方向发展。
北京康美特科技股份有限公司首席技术官徐建军分享了“背光模组中Mini LED对封装材料的要求与挑战”的主题报告，报告指出，LED高能效、高亮度/大功率、高可靠性/长寿命的发展方向未变，Mini/Micro LED是器件小型化、集成化和柔性化的应用形式。因此要求封装材料在导热性、成型性、稳定性、粘接性、耐高/低温及耐老化等性能上不断提高，并通过关键原材料的研制和生产，实现产品应用的稳定一致性、高良率、工艺适配性、高生产效率等，达到持续提升产品性能和性价比的目标。
Saphlux Inc公司副总裁申辰做了题为”基于NPQD技术制备的全彩色高效率的micro-LED“的主题报告
中微公司MOCVD工艺总监陈耀做了题为”用于蓝绿光Mini/Micro-LED生产的MOCVD新型装备“的主题报告，分享了 Prismo UniMax®平台，GaN基蓝色和绿色LED结果，GaN基LED缺陷分析的研究成果。报告指出，AMEC开发了世界级MOCVD平台Prismo UniMax®，用于具有高吞吐量的微型LED应用。蓝色和绿色LED的平均片内均匀度（1σ）分别为0.78nm和0.98nm。对于8“蓝色LED，晶片内平均Wd均匀性（1σ）为1.36nm。研究分析了表面缺陷的7个关键因素。对于4“、6”和8“LED晶片，获得了低表面缺陷密度。对于Micro-LED 生产的应用可能性，报告指出高通量、优异的均匀性和低颗粒生成，由于具有较小的硬件CIP（尤其是颗粒控制），它可能是Micro-LED 生产的潜在竞争者。
不同显示技术的产品形式、像素、灰度和颜色的实现方法以及背后的供应资源导致了不同的结果。北京京东方显示技术有限公司杨瑞智做了题为“玻璃基微型LED显示器的研制”的主题报告，分享了玻璃基微型LED及其关键技术和应用，报告指出，玻璃基微型LED的应用涉及大型平铺显示，比如大规模生产的工业领先的玻璃基有源矩阵LED显示器，以及透明显示器，与基于PCB的光棒型透明显示器相比，像素间距更小，但透射率更高。
镭昱光电科技（苏州）有限公司创始人兼CEO庄永漳带来了题为“重构单片集成技术，实现全彩Micro-LED微显示芯片”的主题报告，报告结合LED结构进化、LED尺寸与显示应用布局，分享了全彩Micro-LED微显示制程，大尺寸晶圆级键合，全流程标准半导体工艺。
华源智信半导体（深圳）有限公司电源事业部系统应用总监廖贤宾MINILED 驱动在TV显示器背光上的应用，分享了MINILED主动式微驱动架构等技术，并指出随着Monitor/TV的帧频刷新率的不断提高，以及背光分区数的增加，高速通信势在必行，华源AM Driver IC最高可支持16MHZ高速通信，可轻松实现高刷。未来将致力于让AM背光技术走进千家万户。
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