美国工程院院士Fred C. LEE:宽禁带半导体会给电力电子行业带来怎样的变革?

日期:2023-02-08 来源:半导体产业网阅读:404
核心提示:2023年2月7-10日,开年盛会,第八届国际第三代半导体论坛(IFWS)第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于苏州凯宾斯基大

 2023年2月7-10日,开年盛会,第八届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA)于苏州凯宾斯基大酒店召开。

 论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)、国家第三代半导体技术创新中心(苏州)联合主办。

江苏第三代半导体研究院有限公司苏州市第三代半导体产业创新中心苏州纳米科技发展有限公司中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办。

在这场被视为“全球第三代半导体行业风向标”的盛会上,三天时间里,300多位知名专家+数百位知名企业高管代表的业界超豪华嘉宾阵容,紧扣论坛“低碳智联·同芯共赢”大会主题,在开幕大会、主题分会及同期共计近30余场次活动中,全面展现第三代半导体产业链前沿技术进展及产业发展“风向"。

Fred C. LEE

在当今的电力电子产品中,质量和可靠性是非常重要的。大部分的重点是在效率、密度和成本上。该设计是高度定制的,方法已达到成熟水平,任何性能属性的进一步改进,可能都会以牺牲效率、功率密度、成本等为代价。此外,制造过程是劳动密集型的,并在很长时期都维持此种状态。与硅对应物相比,新一代宽带隙功率半导体器件(如SiC和GaN)显著降低了传导和开关损耗。当前使用宽禁带半导体器件的行业设计实践主要基于“即插即用”概念,类似的设计实践是将开关频率提高 2-3 倍。以这种方式改进是渐进的,未能实现宽禁带半导体的真正潜力。

美国弗吉尼亚理工大学的大学特聘教授、美国工程院院士、美国国家发明家院士、中国工程院外籍院士李泽元(Fred C. LEE)在主题报告中分享了在不影响效率的情况下,将开关频率提高10倍或更多,以及实现系统级异构集成的方法。在这种集成方法中,效率、功率密度、EMI/EMC 的显著提高同时实现。大多数电力电子产品的制造过程都可以实现自动化,并有望显着降低成本。他所提出的方法与当前的做法有很大的不同,也将有可能实现变革性的变化。

嘉宾简介

Fred C. Lee,研究兴趣包括高频功率转换、磁学与电磁干扰、分布式电源系统、可再生能源、电能质量、高密度电子封装与集成、建模与控制。在高频电能转换和电力电子系统领域做出了卓越成就。他所开创的软开关技术、多相式电压调节模块技术均已成为现代电力电子的核心技术,已在全世界广泛采用。他领导CPES基于电力电子系统模块集成与自动化制造理念,研发了一系列新型电力电子集成模块技术,在21世纪初已被电力电子工业界大量采用。曾获得美国电气电子工程师协会(IEEE)电力电子学会最高荣誉William E. Newell电力电子奖,表彰其对电力电子,尤其是高频电能转换的贡献。

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