碳化硅作为一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注。与硅相比，碳化硅的禁带宽度更大，碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度，抗辐照能力得到提升；碳化硅材料击穿电场是硅的10倍，其器件可设计更高的掺杂浓度及更薄的外延厚度，与相同电压等级的硅功率器件相比，导通电阻更低；碳化硅具有高电子饱和速度的特性，使器件可工作在更高的开关频率；同时，碳化硅材料更高的热导率也有助于提升系统的整体功率密度。碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性，使电力电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进。在新能源发电、电动汽车等一些重要领域也展现出其巨大的应用潜力。碳化硅器件与高功率应用中常用的硅器件相比具有多项优势，但碳化硅功率器件仍然面临一些大规模生产的挑战。
一年一度行业盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA ）将于2023年2月7-10日（7日报到）在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。作为IFWS的重要分会之一，该分会由励德爱思唯尔信息技术（北京）有限公司、中国电子科技集团公司第四十八研究所、北京北方华创微电子装备有限公司、江苏博睿光电股份有限公司、南京芯干线科技有限公司、苏州博湃半导体技术有限公司、深圳市先进连接科技有限公司协办支持。
届时，将由浙江大学电气工程学院院长盛况教授和复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任张清纯教授共同主持，奥地利维也纳工业大学微电子研究所所长Tibor GRASSER教授，德国弗劳恩霍夫研究所研究员Eckart HOENE，国网智能电网研究院有限公司教授级高工杨霏，中国电子科技集团公司第四十八研究所、半导体装备研究部主任巩小亮，浙江大学特聘研究员任娜，北京北方华创微电子装备有限公司第一刻蚀事业部副总经理谢秋实，复旦大学研究员雷光寅，东南大学教授刘斯扬，江苏博睿光电股份有限公司副总经理梁超，西安电子科技大学副教授孙乐嘉，南京芯干线科技有限公司董事长兼CTO傅玥，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员郑理，贺利氏电子中国区研发总监张靖，武汉大学工业科学研究院研究员张召富，中国电子科技集团公司第五十五研究所刘奥等科研院所知名专家、学者和知名企业代表共同参与，将围绕碳化硅功率电子器件前沿技术分享主题报告。
目前该分会日程已经出炉，详情如下：
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技术分论坛：碳化硅功率电子器件 Technical Sub-Forum: SiC Power Electronic Devices |
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时间：2023年2月9日13:30-18:05 地点：苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店 • K5-6 Time: Feb 9, 2023, 13:30-18:05 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K5-6 |
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协办支持/Co-organizer: 励德爱思唯尔信息技术（北京）有限公司/Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd. 中国电子科技集团公司第四十八研究所/The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation 北京北方华创微电子装备有限公司/NAURA Technology Group Co., Ltd 江苏博睿光电股份有限公司/Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd 南京芯干线科技有限公司/ Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd. 苏州博湃半导体技术有限公司/Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd. 深圳市先进连接科技有限公司/ Shenzhen Advancde Joining Technology Co.,Ltd. |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
盛 况 / SHENG Kuang 浙江大学电气工程学院院长、教授 Dean and Professor, School of Electrical Engineering, Zhejiang University 张清纯 / Jon Zhang 复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任 Distinguished Professor of Fudan University, Director of the Engineering Technology Research Center for SiC Power Devices |
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13:30-13:50 |
Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETs Tibor GRASSER——奥地利维也纳工业大学微电子研究所所长、教授 Tibor GRASSER——Professor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universität Wien, Austria |
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13:50-14:10 |
6500V SiC MOSFET器件研制及电力电子变压器工程应用 Development of 6500V SiC MOSFET Devices and Engineering Application of Solid State Transformers 杨霏——北京智慧能源研究院功率半导体所副总师 YANG Fei——Deputy Chief Engineer, Power Semiconductor Institute, Beijing Intelligent Energy Research Institute |
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14:10-14:30 |
SiC功率器件制造装备技术及发展趋势 Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment 巩小亮——中国电子科技集团公司第四十八研究所、半导体装备研究部主任 Xiaoliang GONG——Director of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation |
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14:30-14:50
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1200V SiC MOSFET抗辐射可靠性研究 Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness 任娜——浙江大学特聘研究员 REN Na——Professor of Zhejiang University |
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14:50-15:10 |
等离子刻蚀技术在第三代化合物半导体领域的应用 Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field 谢秋实——北京北方华创微电子装备有限公司 第一刻蚀事业部副总经理 XIE Qiushi——Deputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd. |
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15:10-15:25 |
比电阻3.3毫欧.平方厘米的1200伏14毫欧SiC MOSFET 1200V 14mohm SiC MOSFET with Rsp,on of 3.3mohm.cm^2 雷光寅——复旦大学副研究员 LEI Guangyin——Associate Professor of Fudan University |
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15:25-15:40 |
茶歇 / Coffee Break |
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15:40-16:00 |
Packaging, Integration and fast switching in Power Electronics: what has been achieved and what´s next? Eckart HOENE——德国弗劳恩霍夫研究所研究员 Eckart HOENE——Research Fellow of Fraunhofer, Germany |
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16:00-16:20 |
电热应力下碳化硅功率MOSFET损伤的多尺度探测表征方法 Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress 刘斯扬——东南大学教授 LIU Siyang——Professor of Southeast University |
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16:20-16:40 |
面向功率器件的高性能 High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices 梁超——江苏博睿光电股份有限公司副总经理 LIANG Chao——Deputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd |
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16:40-17:00 |
SiC等离子体波脉冲功率器件与应用研究 Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications 孙乐嘉——西安电子科技大学副教授 SUN Lejia——Associate Professor of Xidian University |
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17:00-17:20 |
GaN HEMT与SIC MOSFET在户用储能PCS方向应用优势 Advantages in household energy storage PCS using GaN HEMT and SiC MOSFET 傅玥——南京芯干线科技有限公司董事长兼CTO General Manger and CTO of All Rights Reserved Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd. |
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17:20-17:35
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SiC功率器件高效无毒的界面改性 Efficient and non-toxic interface modification of SiC 郑理——中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员 ZHENG Li——Associate Professor of Shanghai Institute of Microsystems and Information Technology, Chinese Academy of Sciences |
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17:35-17:50 |
Condura.ultraTM无银AMB氮化硅基板---车规级功率模块用高性价比解决方案 Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module 张靖——贺利氏电子中国区研发总监 ZHANG Jing——Director of Innovation China, Heraeus Electronics |
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17:50-18:05 |
4H-SiC MOSFET中界面碳团簇的形成和迁移率退化机理 Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs 张召富——武汉大学工业科学研究院研究员 ZHANG Zhaofu——Professor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University |
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18:05-18:20 |
SiC MOSFET热阻精确测量技术研究 Research on the technique of accurately measuring thermal resistance of SiC MOSFET 刘奥——中国电子科技集团公司第五十五研究所 LIU AO——Nanjing Electronics Research Institute |
备注：日程或有微调，最终以现场为准。
【部分嘉宾简介】
盛 况
浙江大学电气工程学院院长、求是特聘教授
浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院院长
盛况，浙江大学求是特聘教授，博士生导师，浙江大学电气工程学院院长，浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院院长。长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化。相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文200余篇，引用次数2700次以上，获授权专利20余项（40余项申请中），2010年获浙江省自然科学二等奖，2019年获国家技术发明二等奖等。
张清纯
复旦大学特聘教授
上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任
张清纯，复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任。长期从事SiC器件的研发和产业化。迄今撰写过100余篇科技论文和SiC器件领域专著；多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告；作为第一和合作发明人，拥有75多项美国专利；多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席；曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。研究方向为半导体物理与器件；宽带半导体器件物理、工艺、测试、产业化及应用；器件模拟及仿真；电力系统。
Eckart HOENE
德国弗劳恩霍夫可靠性和微集成研究所负责人、研究员
杨霏
北京智慧能源研究院功率半导体所副总师
杨霏，博士，教授级高工，北京智慧能源研究院功率半导体所副总师。长期从事高压碳化硅器件研制及生产条件建设，主持研制出1200V、6500V系列碳化硅MOSFET产品以及18kV碳化硅IGBT。主持863项目1项、国家重点研发计划项目2项，北京市和国网公司科技项目20余项。授权发明专利32项，发表论文45篇，制订碳化硅技术标准6项。
巩小亮
中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任
巩小亮，中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任。电科装备第三代半导体领域技术专家。长期从事第三代半导体制造装备技术研究与产业化，重点致力于大尺寸SiC外延生长设备开发，承担了国家863计划、湖南省科技重大专项等项目，发表论文10余篇，授权发明专利6项，牵头制定行业标准2项，获中国电科科学技术奖一等奖、中国电科“十大青年拔尖人才”等奖励，正牵头承担第三代半导体装备领域国家、省部级重大工程项目。
谢秋实
北京北方华创微电子装备有限公司第一刻蚀事业部副总经理
谢秋实，北京北方华创微电子装备有限公司第一刻蚀事业部副总经理。主持开发了针对先进封装、功率器件、MEMS、化合物半导体等领域多款刻蚀设备，市场占有率在国内名列前茅。谢经理毕业于北京大学物理系及慕尼黑工业大学肖特基研究所。拥有半导体刻蚀领域论文3篇，授权专利15篇。
雷光寅
复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所副所长
复旦大学研究员
雷光寅，博士、特聘研究员，复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所副所长，主要负责研究所科技研发、科技服务的日常管理工作，同时还兼任复旦大学研究员。其长期从事功率半导体器件、封装及可靠性评估研究，包括新型电子封装材料、功率半导体封装技术、集成化功率模块封装工艺开发、半导体模块可靠性及失效机理分析等。雷光寅博士具有新材料开发、电子模块设计15年以上工作经验。2018-2020年，担任上海蔚来汽车有限公司电动力工程部技术专家，全面负责设计开发先进电机控制系统在新能源车中的应用；2010-2018年，担任美国密西根州福特汽车公司技术研发中心电驱动系统部资深研发工程师，负责电驱动系统电机控制器以及功率模块的开发。迄今在IEEE Transactions on Power Electronics等高水平期刊发表SCI论文17篇，总引次数超过1500次。近五年获美国、欧洲、中国授权发明专利17项。在国外学习工作期间，领导参与了五个大型研发项目。回国工作后，当选2018年度第八届上海QR（创新长期）。
刘斯扬
东南大学教授
刘斯扬，东南大学教授，博导，长期致力于功率半导体器件基础理论及关键技术的研究。入选国家高层次人才、江苏省333高层次人才培养工程—中青年学术技术带头人，东南大学至善青年学者（A层次）。主要从事功率半导体器件设计及可靠性研究，主持国家自然科学基金、国家重点研发计划、江苏省自然科学基金等项目12项。在IEEE TIE、TPE、EDL、TED等国际权威期刊发表SCI论文92篇（其中第一作者28篇），在功率半导体领域顶会ISPSD等国际会议发表论文15篇（其中第一作者8篇），获美国专利3项、中国发明专利32项。研究成果获国家技术发明二等奖、江苏省科学技术一等奖，教育部技术发明一等奖。
梁 超
江苏博睿光电有限公司副总经理
梁超，博士，研究员高工，江苏博睿光电副总经理。先后入选“江苏省333高层次人才培养工程”、江苏省六大人才高峰、“千百十”计划高层次创新领军人才；获江苏省科学技术进步二等奖1项、南京市科学技术进步二等奖1项等。主要研究方向第三代半导体光电材料，在发光材料方向开发出LED用高性能铝酸盐、硅酸盐体系多个色系荧光粉，为高光品质照明、全光谱照明整体解决方案提供支撑；研究并开发出具有高导热系数的AlN陶瓷基板及配套关键技术。共申请发明专利68件，授权发明专利54件（3件PCT专利分别于美国、韩国获得授权），发表SCI收录论文7篇，EI收录论文6篇。
孙乐嘉
西安电子科技大学微电子学院副教授
孙乐嘉，西安电子科技大学微电子学院，副教授，IEEE member，2008年毕业于西北工业大学，获工学学士学位，2011年先后于西安交通大学获得工学硕士、工学博士学位。主要研究方向为半导体脉冲功率器件与应用共性技术、基于宽禁带半导体的电力电子系统以及电源管理集成电路等相关研究。主持/参与国家自然科学基金、国家重点研发计划、国防领域重点研发计划等多项课题。在IEEE T-PEL、IEEE EDL、IEEE T-ED、IET-PE、SST等国际权威期刊发表SCI检索论文20余篇，授权发明专利30余项。
傅 玥
南京芯干线科技有限公司董事长兼CTO
傅玥，南京芯干线科技有限公司董事长兼CTO。拥有20年功率半导体研发和量产经验，IEEE高级会员；2023 IEEE ISPSD（全球最权威的功率器件会议）高压器件（HV Track）技术委员会主席；2022 IEEE ISPSD（全球最权威的功率器件会议）执行委员会（Executive Committee）委员及高压器件（HV Track）技术委员会主席；2018 IEEE APEC（全球最权威电源会议）分会主席（Section Chair)。
张召富
武汉大学工业科学研究院研究员
张召富，香港科技大学博士，剑桥大学博士后，2022年起任武汉大学研究员。2018 年毕业于香港科技大学，获得博士学位；2019-2022 年在 Cambridge University 的 John Robertson 教授（应该皇家科学院 / 工程院双院士）课题组担任博士后。主要研究方向宽禁带半导体材料与器件，具有丰富的第一性原理计算模拟和器件设计方面的经验， 已经在 APL, TED, ACS AMI, Nat. Comm. 等期刊发表 SCI 期刊论文 100 余篇，包括一作 / 通讯作者文章 50 余篇；以一作者发表国际学术会议论文 18 篇，包括电子器件领域国际最顶级学术会议论文 IEDM 1 篇和特邀报告 2 篇；参与撰写 Wiley 英文专著 1 章；谷歌学术 h-index 为 25 ，引用 2000 余次。担任多个期刊青年编委和审稿人。
刘 奥
中国电子科技集团第五十五研究所高级工程师
刘奥，中国电子科技集团第五十五研究所高级工程师。长期从事碳化硅电力电子器件研制及应用的相关工作。参与国内多项碳化硅电子电子器件相关标准的制定，多次承担有关碳化硅器件研发及应用的国家重大项目、在国际刊物上发表多篇学术论文，发表多项相关专利。
张 靖
贺利氏电子（中国区）研发总监
张靖博士，贺利氏电子中国区研发总监。张靖博士毕业于荷兰代尔夫特理工大学，专注于高功率电子封装工艺以及可靠性的研究。研究领域主要集中在第三代半导体器件先进封装技术与可靠性评估方面。多项项目成果已被应用到相关产业当中，包括新能源汽车，高铁，半导体照明等。张靖博士任IEEE封装学会（EPS）荷比卢分会首任创会主席，国际宽禁带半导体技术路线图委员会（ITRW）执行秘书，并任封装分会委员。张靖博士同时担任上海碳化硅功率器件工程技术研究中心技术委员会委员，第三代半导体创新产业联盟青年委员会委员，中国第三代半导体路线图委员会封装分会委员，纳米烧结材料标准制定委员会成员。他还担任复旦大学校外硕士研究生导师。张靖博士参与的欧盟项目ESiP曾获欧盟ENIAC Innovation Award。
任 娜
浙江大学电气工程学院特聘研究员、博士生导师
任娜，浙江大学电气工程学院特聘研究员、博士生导师。2010~2015年期间博士就读于浙江大学电气工程学院，2016~2019年期间在美国加州大学洛杉矶分校做博士后。2010-2021年，十一年期间一直致力于碳化硅（SiC）电力电子器件的相关研究，其中包括器件物理机制、结构设计、工艺技术、芯片研制、器件测试与失效分析、性能与可靠性优化等方向，并取得了一系列研究成果。在器件领域国际知名期刊与会议上共发表约60篇论文，其中SCI论文32篇，获得了3项美国专利和2项中国发明专利授权，正在申请10多项美国专利和10多项中国专利，并获得2020年Materials期刊杰出论文奖、2017年APEC学术会议杰出报告奖、2021年IEEE Wipda Asia会议杰出论文奖。
2020年3月双聘至浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院，并入选2020年浙江大学杭州国际科创中心青年人才卓越计划，在团队带头人的指导下主持建成浙江大学杭州国际科创中心全套6英寸SiC芯片工艺线。领导工程师团队与学生团队，基于该6寸SiC芯片工艺线开展碳化硅功率器件的研发工作，并积极与国内外企业合作开发碳化硅产品技术，合作企业包括国网、华为、华润、中芯绍兴、中电科55所等等。
郑 理
中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员
郑理，中国科学院上海微系统与信息技术研究所 研究员，上海市青联委员。长期从事硅基化合物半导体界面调控和器件制备等研究工作，在硅基GaN界面改性及HEMT器件研制、SiC原位界面重构及MOSFET器件研制和Si/PbS量子点界面量子阱能带自适应机制构建等方面开展了系列工作。发表 SCI 收录论文60余篇，其中部分工作以第一/通讯作者在Nature Communications、IEEE Electron Device Letters等权威期刊发表，授权专利20余件。作为项目负责人主持国家自然科学基金面上项目、上海市创新行动计划和中科院项目等。先后入选/荣获中国科学院院长特别奖（2016）、上海市青年科技英才扬帆计划（2017）、中国科学院优博（2018）、中国电子教育学会优博（2018）、上海市青联委员（2019）、中国青科协会员（2020）、中科院青促会（2020）、上海市青年五四奖章（2021）、上海市青年科技启明星计划（2021）、上海市科技青年35人引领计划（2021）、全国青年岗位能手（2022）和“振新杯”全国青年职业技能大赛金奖等。
备注：以上嘉宾简介未经其本人确认，仅供参考。
【关于协办单位介绍】
》励德爱思唯尔信息技术（北京）有限公司
爱思唯尔是全球信息与分析领域的领导者，帮助科研和医学专业人员推动科学发展、改善医疗成果从而造福社会。140多年以来，我们一直致力于与科研与医学专业人员合作，支持他们更高效地开展工作。从学术出版起家，爱思唯尔提供知识资源和分析服务，帮助我们的用户取得科研突破，推动社会进步。我们在战略研究管理、研发表现、临床决策支持和医学教育领域提供数字化解决方案，包括ScienceDirect， Scopus， SciVal， ClinicalKey 和Sherpath。爱思唯尔是励讯集团（RELX）的成员之一，励讯集团（RELX）为全球专业人士和商业客户提供科学、医疗、法律和商业领域信息分析服务及决策工具。
爱思唯尔在2021年与中科院产业战略院合作在中科院院刊上发表了有关中美互联网科研产出分析文章，被70多家国内媒体转载，并得到国务院政策办关注，从而研究中国高科技企业在内部创新环境优化支持。爱思唯尔从全球最大的学术出版社到科研信息分析服务的转变，希望可以为中国企业科学家提供更多全球先进的科研工具及数据，加速企业创新速度，强化企业科研能力。
》中国电子科技集团公司第四十八研究所
中国电子科技集团公司第四十八研究所（以下简称48所）又名“长沙半导体 工艺设备研究所”，成立于1964年5月，隶属于中国电子科技集团有限公司。现 有科研生产人员近1000人，其中享受国务院政府特殊津贴专家29人，研究员 33人。
48所技术力量雄厚，专业门类齐全，是国内唯一从事以三束（离子束、电子 束、分子束）为主的军民两用型骨干科研生产单位，产品包括第三代半导体装备 以及集成电路装备、光伏电池装备、磁性材料装备、冶金材料装备、特种传感器与系统，并具备装备整线集成能力。产品销售覆盖含香港、台湾在内的全国29个 省市、特区，出口到美国、德国、法国、西班牙、俄罗斯、澳大利亚、埃及、土 耳其等20多个国家和地区。
48所拥有国家第三代半导体技术创新中心（湖南）、国防科技工业有源层优 化生长创新中心、国家光伏装备工程技术研究中心、中国-埃及可再生能源国家联 合实验室等5个国家级平台和博士后科研工作站，取得重大科研成果380余项，其 中填补国内空白148项、达到国际先进水平138项、列为国家替代进口119项，拥有专利396项。
》北京北方华创微电子装备有限公司
北京北方华创微电子装备有限公司（ 002371.SZ 简称：北方华创）成立于2001年，是北方华创科技集团股份有限公司的全资子公司。北方华创微电子的主要产品包括刻蚀机、薄膜、氧化/扩散炉、清洗机、气体质量流量计等半导体工艺装备及核心零部件，广泛应用于集成电路、半导体照明、光伏、平板显示等领域，为半导体、新能源、新材料等领域提供解决方案。
》江苏博睿光电股份有限公司
江苏博睿光电股份有限公司成立于2009年9月，公司专业从事新型光电材料的研究、开发和应用工作，深度布局高性能稀土发光材料、界面连接材料、高导热陶瓷基板、特殊结构封装等领域，在第三代半导体封装材料领域，已形成科研开发、规模生产和专业化服务的完整体系。公司为国家重点专精特新小巨人企业、国家高新技术企业；公司建有国家博士后科研工作站、江苏省工程技术研究中心、江苏省企业技术中心等科研平台。
公司秉持技术创新驱动营销增长的经营模式，凭借技术创新，公司全色系荧光粉产品及应用解决方案已覆盖全光谱照明、激光照明、高显色通用照明等应用场景，产品性能已全面达到甚至超过国际先进水平，全面满足国内外封装企业多样化的技术需求，是国内LED荧光粉领域的龙头企业，也是国际知名照明企业的荧光粉主要供应商之一和战略合作伙伴。
》南京芯干线科技有限公司
芯干线科技是一家优秀的氮化镓及碳化硅功率器件原厂，由资深海归博士、电源行业精英和一群有激情与梦想的专业人士创建，专注于第三代半导体功率器件及模块的设计研发，服务于未来电源科技。公司总部位于南京，在苏州和深圳有办公室，不只有一流的功率器件和模块产品，还可以为客户提供完整的氮化镓电源系统解决方案。公司一直秉承精益求精的科研精神，现已推出了多种氮化镓和碳化硅的功率器件。往后将继续丰富第三代半导体器件及模块的产品线，在提升核心竞争力的同时进一步加强客户应用方案的细化，开拓新的应用领域，致力于成为一家世界领先的第三代半导体设计企业，为提升全球能源转换效率及节能减排贡献应有之力。
》苏州博湃半导体技术有限公司
苏州博湃半导体是半导体技术的高科技创新者和制造商，推动功率半导体、先进封装技术及新能源应用的产业发展。苏州博湃主要为客户提供设备解决方案、材料解决方案以及工程解决方案，凭借全球领先的核心技术积累，吸纳国内外先进的SiC功率半导体封装技术与AMB覆铜陶瓷基板技术与工艺，致力于成为全球电子半导体产业创新及高品质解决方案的供应商。
》深圳市先进连接科技有限公司
深圳市先进连接科技有限公司（以下简称先进连接），坐落于被评为深圳市宝安区科技创新桃花源的全至科技创新园，是一家集纳米银烧结材料及芯片封装用烧结设备研发、生产、销售、咨询及技术服务于一体的综合性高科技公司。
先连科技创始于2015年，一直精耕于高端电子焊接材料、专用设备及工艺的研发、推广，在国内率先实现上述技术产业化，并荣获“第十届全国创新创业大赛三等奖”、“深圳市创新创业大赛二等奖”，先后通过了ISO质量体系认证、研究生联合培养基地、国家高新技术企业认证。
凭借专业的技术、创新的理念、对卓越的不懈追求以及具有企业家精神的管理团队，我们不断努力提升业绩表现。我们通过发挥材料方面的专长，充分利用先连科技在纳米银技术应用的领先地位，致力于为客户创造高质量解决方案，帮助客户提升长期竞争力。
附：
一年一度行业盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA ）将于2023年2月7-10日（7日报到）在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。在这场被视为“全球第三代半导体行业风向标”的盛会上，由2014年诺贝尔物理奖获得者、日本工程院院士、美国工程院院士、中国工程院外籍院士、日本名古屋大学未来材料与系统研究所教授天野浩，美国工程院院士、美国国家发明家院士、中国工程院外籍院士、美国弗吉尼亚理工大学的大学特聘教授Fred LEE领衔200多个报告嘉宾，紧扣论坛“低碳智联·同芯共赢”大会主题，将在开幕大会、主题分会及同期共计近30余场次活动中，全面展现第三代半导体产业链前沿技术进展及产业发展“风向"。
国际第三代半导体论坛（IFWS）是由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）在中国地区举办的、具备较强影响力的第三代半导体领域年度盛会，是引领全球第三代半导体新兴产业发展，促进相关产业、技术、人才、资金、政策合力发展的全球性、全产业链合作的高端平台和高层次综合性论坛。论坛以促进第三代半导体与电力电子技术、移动通信技术、紫外探测技术和应用的国际交流与合作，全面覆盖行业基础研究、衬底外延工艺、电力电子器件、电路与模块、下游应用的创新发展，成为全球范围内的全产业链合作交流的重要平台，引领第三代半导体产业发展方向。
中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA）伴着中国半导体照明产业的发展一路成长起来，已成为半导体照明领域最具规模，参与度最高、口碑最好的全球性高层次论坛。十几年的时间里，论坛尽最大力量打造国际性舞台，邀请全球顶级专家，传递最前沿的产业、技术发展信息。
至今，SSLCHINA已连续举办了十八届，IFWS也同期连续举办了七届，全球超过1900位专家学者、企业领袖、投资人等莅临现场发布了精彩演讲，参会观众覆盖了70多个国家和地区，累计2.9万余人到现场参会，集齐跨地区、跨领域的智慧合力，共同召唤产业发展新生态。无论是行业龙头企业、初创团队或是行业服务机构，论坛都是十分精准的品牌展示、产品推广、技术交流、成果发布及寻求合作的优质平台和窗口。十几年来，论坛服务过的客户遍及全球，涵盖了大部分国内外知名的半导体材料、装备、器件及应用端企业，数量近千家，服务次数超过1200次。通过论坛期间的交流与对接，很多企业结识了潜在的合作伙伴，为自身发展把握住了机会。更多详情见附件：
论坛信息
会议时间：2023年2月7日-10日（7日报到）
会议地点：中国 - 苏州 - 苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店
程序委员会
主席：
张 荣——厦门大学党委书记、教授
联合主席：
刘 明——中科院院士、复旦大学芯片与系统前沿技术研究院院长、中科院微电子研究所研究员
顾 瑛——中科院院士、解放军总医院教授
江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授
李晋闽——中国科学院特聘研究员
张国义——北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授
沈 波——北京大学理学部副主任、教授
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
徐 科——江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员
邱宇峰——厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长
盛 况——浙江大学电气工程学院院长、教授
张 波——电子科技大学教授
陈 敬——香港科技大学教授
徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
吴伟东——加拿大多伦多大学教授
张国旗——荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授
Victor Veliadis——PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授
主题论坛召集人（按姓氏拼音排列）：
F1-碳化硅功率电子材料与器件
主题分论坛主席：
盛 况——浙江大学电气工程学院院长、教授
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
a.碳化硅功率电子材料与器件
召集人：
盛 况——浙江大学电气工程学院院长、教授
柏 松——中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员
张清纯——复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任
邱宇峰——厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长
张玉明——西安电子科技大学微电子学院院长、教授
王德君——大连理工大学教授
袁 俊——九峰山实验室功率器件负责人
b.芯片制造工艺及装备
召集人：
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
王志越——中电科装备集团有限公司首席技术官
杜志游——中微半导体设备(上海)有限公司高级副总裁
吴 军——北方华创科技集团股份有限公司副总裁，首席科学家
F2-氮化物半导体电子材料与器件
主题分论坛主席：
张 波——电子科技大学教授
吴伟东——加拿大多伦多大学教授
陈堂胜——中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家
冯志红——中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任
a.氮化镓功率电子材料与器件
召集人：
张 波——电子科技大学教授
吴伟东——加拿大多伦多大学教授
刘 扬——中山大学教授
孙 钱——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员
张进成——西安电子科技大学副校长、教授
吴毅锋——珠海镓未来科技有限公司总裁
梁辉南——润新微电子(大连)有限公司总经理
王茂俊——北京大学信息科学技术学院副教授
b.射频电子材料与器件
召集人：
陈堂胜——中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家
蔡树军——中国电子科技集团公司第五十八研究所所长
张乃千——苏州能讯高能半导体有限公司董事长
张 韵——中国科学院半导体研究所副所长、研究员
敖金平——日本德岛大学教授、江南大学教授
于洪宇——南方科技大学深港微电子学院院长、教授
冯志红——中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任
刘建利——中兴通讯股份有限公司无线射频总工
F3-功率电子应用
主题分论坛主席：
刘 胜——武汉大学动力与机械学院院长、教授
赵丽霞——天津工业大学电气工程学院常务副院长、教授
a.功率模块封装及可靠性
召集人：
刘 胜——武汉大学动力与机械学院院长、教授
赵丽霞——天津工业大学电气工程学院常务副院长、教授
李世玮——香港科技大学教授
陆国权——美国弗吉尼亚大学教授
罗小兵——华中科技大学能源与动力工程学院院长、教授
杨道国——桂林电子科技大学教授
王来利——西安交通大学教授
樊嘉杰——复旦大学青年研究员
姜 克——安世半导体全球研发副总裁、I&M事业部总经理
F4-衬底材料与装备
主题分论坛主席：
沈 波——北京大学理学部副主任、教授
徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
陶绪堂——山东大学讲席教授
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
a.碳化硅衬底材料生长与加工
召集人
徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
陈小龙——中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心主任、研究员
孙国胜——中科院半导体研究所研究员
冯 淦——瀚天天成电子科技（厦门）有限公司总经理
b.氮化物衬底材料生长与同质外延
召集人：
沈 波——北京大学理学部副主任、教授
徐 科——江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员
黎大兵——中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员
毕文刚——江苏第三代半导体研究院副院长
杨 敏——江苏南大光电材料股份有限公司首席技术官
c.超宽禁带半导体材料与器件
召集人:
陶绪堂——山东大学讲席教授
龙世兵——中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授
张进成——西安电子科技大学副校长、教授
单崇新——郑州大学副校长、教授
王新强——北京大学教授、北大东莞光电研究院院长
王宏兴——西安交通大学教授
叶建东——南京大学教授
刘玉怀——郑州大学教授
韩根全——西安电子科技大学教授
d.生长、加工装备与量测设备
召集人：
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
王志越——中电科装备集团有限公司首席技术官
杜志游——中微半导体设备(上海)有限公司高级副总裁
吴 军——北方华创科技集团股份有限公司副总裁，首席科学家
F5-半导体照明与光电融合技术
主题分论坛主席：
江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授
曾一平——中科院半导体所研究员
a.全光谱LED材料、芯片、封装及可靠性
召集人：
江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授
刘国旭——北京易美新创科技有限公司联合创始人兼CTO
云 峰——西安交通大学教授
罗小兵——华中科技大学能源与动力工程学院院长、教授
伊晓燕——中国科学院半导体研究所研究员
郭伟玲——北京工业大学教授
汪 莱——清华大学电子工程系副教授、信息光电子研究所所长
汪炼成——中南大学教授
张建立——南昌大学研究员
b.半导体激光器
召集人：
曾一平——中科院半导体所研究员
张保平——厦门大学电子科学与技术学院副院长、教授
莫庆伟——老鹰半导体副总裁、首席科学家
刘建平——中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员
惠 峰——云南锗业公司首席科学家、中科院半导体所研究员
F6-超越照明创新应用
主题分论坛主席：
罗 明——浙江大学光电系教授
瞿 佳——温州医科大学附属眼光医院院长、教授
顾 瑛——中科院院士、解放军总医院教授
迟 楠——复旦大学信息科学与工程学院院长、教授
杨其长——国际欧亚科学院院士、中国农业科学院都市农业研究所副所长、研究员
刘 鹰——浙江大学生物系统工程与食品科学学院院长、教授
a.光品质与光健康
召集人
罗 明——浙江大学光电系教授
瞿 佳——温州医科大学附属眼光医院院长、教授
郝洛西——同济大学建筑与城市规划学院教授、国际照明学会（CIE）副主席
林燕丹——复旦大学教授
熊大曦——中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员
牟同升——浙江大学教授
魏敏晨——香港理工大学副教授
蔡建奇——中国标准化研究院视觉健康与安全防护实验室主任、研究员
刘 强——武汉大学颜色科学与图像传播研究所所长、副教授
b.光医疗
召集人：
顾 瑛——中科院院士、解放军总医院教授
张凤民——黑龙江省医学科学院副院长，哈尔滨医科大学伍连德书院院长、国家地方联合工程研究中心主任
王彦青——复旦大学基础医学院教授
崔锦江——中科院苏州医工所光与健康研究中心副主任、研究员
蔡本志——哈尔滨医科大学教授
董建飞——中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员
陈德福——北京理工大学医工融合研究院特聘副研究员
杨 华——中国科学院半导体研究所副研究员
c.光通信与传感
召集人：
迟 楠——复旦大学信息科学与工程学院院长、教授
马骁宇——中科院半导体研究所研究员
陈雄斌——中国科学院半导体研究所研究员
田朋飞——复旦大学副研究员
李国强——华南理工大学教授
林维明——福州大学教授
房玉龙——中国电子科技集团公司第十三研究所研究员
d.生物与农业光照
召集人：
杨其长——国际欧亚科学院院士、中国农业科学院都市农业研究所副所长、研究员
唐国庆——中关村半导体照明工程研发及产业联盟副理事长、木林森执行总经理
刘 鹰——浙江大学生物系统工程与食品科学学院院长、教授
泮进明——浙江大学教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事长
贺冬仙——中国农业大学教授
陈 凯——华普永明光电股份有限公司董事长、总裁
华桂潮——四维生态董事长
徐 虹——厦门通秮科技有限公司总经理
刘厚诚——华南农业大学教授
李绍华——中科三安光生物产业研究院院长
F7-新型显示材料及应用
主题分论坛主席：
严 群——福州大学教授
孙小卫——南方科技大学电子与电气工程系讲席教授
毕 勇——中国科学院理化技术研究所研究员、激光应用中心主任
a.Mini/Micro-LED显示材料与装备
召集人：
严 群——福州大学教授
王新强——北京大学东莞光电研究院院长、北京大学教授
闫春辉——中民研究院常务副院长、纳微朗科技（深圳）有限公司董事长
刘 斌——南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
黄 凯——厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授
马松林——TCL集团工业研究院副院长
刘国旭——北京易美新创科技有限公司联合创始人兼CTO
邱 云——京东方科技集团股份有限公司技术企划部副总监
刘召军——南方科技大学研究员
b.激光显示三基色材料与器件
毕 勇——中国科学院理化技术研究所研究员、激光应用中心主任
赵德刚——中国科学院半导体研究所研究员
c.钙钛矿、量子点及柔性照明与显示等
召集人：
孙小卫——南方科技大学电子与电气工程系讲席教授
廖良生——苏州大学教授
徐 征——北京交通大学教授
段 炼——清华大学教授
钟海政——北京理工大学教授
F8-固态紫外材料与器件
主题分论坛主席：
康俊勇——厦门大学教授
王军喜——中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任
a.固态紫外发光材料与器件
b.紫外探测材料与器件
召集人：
康俊勇——厦门大学教授
王军喜——中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任
黎大兵——中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员
陆 海——南京大学教授
陈长清——华中科技大学教授
郭浩中——台湾交通大学特聘教授
李晓航——沙特国王科技大学副教授
许福军——北京大学物理学院副教授
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备注：
＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。
＊学生参会需提交相关证件。
＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
＊IFWS相关会议包括：开幕大会，碳化硅衬底材料生长与加工,碳化硅功率电子材料与器件,氮化物衬底材料生长与外延技术,氮化镓功率电子材料与器件,固态紫外材料与器件,化合物半导体激光器技术,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,射频电子材料与器件,超宽禁带及其他新型半导体材料与器件，闭幕大会。
＊SSLCHINA相关会议包括：开幕大会，氮化物衬底材料生长与外延技术，固态紫外材料与器件，LED芯片、封装与光通信，Mini/Micro LED及其他新型显示技术，生物农业光照技术，教育照明与健康光环境，光医疗应用技术，化合物半导体激光器技术,闭幕大会。
*产业峰会包括：生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、功率模块与电源应用峰会、第三代半导体标准与检测研讨会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会。
＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除一定的退款手续费。
＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。
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*防疫提醒：目前全国各地防疫政策逐渐放宽，目前进/出苏州不再查验核酸、健康码，组委会提醒参会代表临行前能做好自我健康检测，体温等无异常者，佩戴好口罩即可现场参会。
即日起至2023年2月1日之前，完成注册缴费即可享受折扣票（详见上图），中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。学生参会需提交相关证件。会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
