近日，民德电子在接受机构调研时表示，公司在功率半导体硅基器件和碳化硅器件领域均是基于供应链自主可控的战略进行布局。目前公司在碳化硅产业链布局覆盖外延片制造、晶圆制造、超薄片背道加工、芯片设计等关键环节。
具体来看，晶睿电子2023 年将开展碳化硅外延片业务，已有意向客户；而在晶圆制造方面，2023年广芯微电子将提供碳化硅器件晶圆代工服务；超薄片背道加工方面，2023 年芯微泰克将提供碳化硅器件超薄片背道加工服务；芯片设计方面，广微集成将于 2023 年量产碳化硅器件（在广芯微电子代工）；另外，公司参股芯片设计企业已量产碳化硅二极管和碳化硅 MOSFET。
民德电子表示，公司参股晶圆代工厂广芯微电子一期产能为 10 万片/月（6 英寸），初期产能将以硅基功率器件产能为主，并少量布局碳化硅功率器件产能。硅基功率器件和碳化硅功率器件晶圆加工的前道工序基本可以通用，后续扩展碳化硅功率器件产能，只需要可在现有厂区洁净车间增加配置高温离子注入、高温退火等设备即可，硅基和碳化硅器件产能可以根据后续订单情况动态调整。后续公司将基于自主可控供应链，并结合市场情况，逐步推出更多的碳化硅功率器件量产产品。
目前，广微集成主要产品为 MOS 场效应二极管（MFER）、分离栅低压场效应晶体管（SGT-MOSFET），MFER 产品应用领域包括光伏接线盒、工业电机电源、网络电源及手机快充等高端电源管理市场；SGT-MOSFET 产品目前主要应用于储能 BMS 电源输出和电路保护系统，未来也将拓展至新能源汽车电子领域。广微集成是国内功率半导体设计企业中较少可提供 45V-150V 全系列 MOS 场效应二极管产品的企业，且是国内少数在 12 英寸晶圆厂成功量产分离栅低压场效应晶体管的企业，公司新产品、新技术储备丰富，待今年晶圆代工厂广芯微电子投产后，将逐步推出包括 900-1500V 高压 MOS、IGBT、FRD、碳化硅器件等系列新品。
而广芯微电子项目目前的厂房建设及机电安装等工程已步入尾声，12 月下旬设备开始陆续进场进行安装调试，以及二次配管的准备工作；广芯微电子团队成员已有一百多人，核心团队成员配置完备，其中不少是在国内外大厂工作二三十年的高管和技术骨干。由于目前由于丽水市正处于新冠感染高峰期，项目现场施工受此影响工期有所延后，项目预计今年上半年完成通线量产工作。
广立微表示，公司致力于在功率半导体领域打造的 smart IDM 生态圈已初步成形，目前完成了在功率半导体设计、原材料硅片、晶圆代工、超薄片背道代工等关键环节的布局，未来几年将全力支持所投资功率半导体产业链企业建成投产并持续扩产，充分释放smart IDM 生态圈的强大产业链协同效益；同时，公司将持续关注特色功率半导体设计领域，对技术能力优秀的设计公司进行投资，并利用产业链进行赋能，帮助其做强做大，以不断壮大 smart IDM 生态圈。
（来源：集微网）
