IFWS 前瞻:碳化硅功率电子器件日程出炉

日期:2023-01-12 阅读:495
核心提示:一年一度行业盛会,第八届国际第三代半导体论坛(IFWS 2022)第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA 2022)将于2023年2月7-1

碳化硅作为一种宽禁带功率器件,受到人们越来越多的关注。与硅相比,碳化硅的禁带宽度更大,碳化硅器件拥有更低的漏电流及更高的工作温度,抗辐照能力得到提升;碳化硅材料击穿电场是硅的10倍,其器件可设计更高的掺杂浓度及更薄的外延厚度,与相同电压等级的硅功率器件相比,导通电阻更低;碳化硅具有高电子饱和速度的特性,使器件可工作在更高的开关频率;同时,碳化硅材料更高的热导率也有助于提升系统的整体功率密度。碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性,使电力电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向前进。在新能源发电、电动汽车等一些重要领域也展现出其巨大的应用潜力。碳化硅器件与高功率应用中常用的硅器件相比具有多项优势,但碳化硅功率器件仍然面临一些大规模生产的挑战。

一年一度行业盛会,第八届国际第三代半导体论坛(IFWS)&第十九届中国国际半导体照明论坛(SSLCHINA )将于2023年2月7-10日(7日报到)在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。作为IFWS 2022的重要分会之一,得到了励德爱思唯尔信息技术(北京)有限公司、中国电子科技集团公司第四十八研究所、北京北方华创微电子装备有限公司、江苏博睿光电股份有限公司、南京芯干线科技有限公司、苏州博湃半导体技术有限公司的协办支持。

碳化硅功率电子器件

目前碳化硅电力电子器件分会已经确认有来自:奥地利维也纳工业大学微电子研究所、国网智能电网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第四十八研究所、浙江大学、北京北方华创微电子装备有限公司、复旦大学、德国弗劳恩霍夫研究所、东南大学、江苏博睿光电股份有限公司、西安电子科技大学、贺利氏电子、南京芯干线、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、武汉大学、中国电子科技集团公司第五十五研究所等科研院校与代表企业的知名企业专家代表共同参与,将围绕碳化硅功率电子器件技术分享主题报告。

技术分论坛:碳化硅功率电子器件

Technical Sub-Forum: SiC Power Electronic Devices

时间:2023年2月9日13:30-18:05

地点:苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店 • K5-6

Time: Feb 9, 2023, 13:30-18:05

Location: Kempinski Hotel Suzhou • K5-6

协办支持/Co-organizer:

励德爱思唯尔信息技术(北京)有限公司/Reed Elsevier Information Technology (Beijing) Co., Ltd.

中国电子科技集团公司第四十八研究所/The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

北京北方华创微电子装备有限公司/NAURA Technology Group Co., Ltd

江苏博睿光电股份有限公司/Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd

南京芯干线科技有限公司/ Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd.

苏州博湃半导体技术有限公司/Suzhou Bopai Semiconductor Technology Co., Ltd.

屏幕尺寸 / Slides Size:16:9

主持人

Moderator

盛  况 / SHENG Kuang

浙江大学电气工程学院院长、教授

Dean and Professor, School of Electrical Engineering, Zhejiang University

张清纯 / Jon Zhang

复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任

Distinguished Professor of Fudan University, Director of the Engineering Technology Research Center for SiC Power Devices

13:30-13:50

Physical Modeling of Charge Trapping Effects in SiC MOSFETs

Tibor GRASSER——奥地利维也纳工业大学微电子研究所所长、教授

Tibor GRASSER——Professor and Head of the Institute for Microelectronics at Technische Universität Wien, Austria

13:50-14:10

6500V SiC MOSFET器件研制及电力电子变压器工程应用

Development of 6500V SiC MOSFET Devices and Engineering Application of Solid State Transformers

杨霏——国网智能电网研究院有限公司教授级高工

YANG Fei——Professorate Senior Engineer of Global Energy Interconnection Research Institute, State Grid

14:10-14:30

SiC功率器件制造装备技术及发展趋势

Technology and development trends of SiC power devices manufacturing equipment

巩小亮——中国电子科技集团公司第四十八研究所、半导体装备研究部主任

Xiaoliang GONG——Director of Semiconductor equipment research department, The 48th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation

14:30-14:50

 

1200V SiC MOSFET抗辐射可靠性研究

Investigation of 1200V SiC MOSFET Radiation Ruggedness

任娜——浙江大学特聘副研究员

REN Na——Distinguished Associate Professor of Zhejiang University

14:50-15:10

等离子刻蚀技术在第三代化合物半导体领域的应用

Application of Plasma Etching Technology in the Third-generation Compound Semiconductor Field

谢秋实——北京北方华创微电子装备有限公司 第一刻蚀事业部副总经理

XIE Qiushi——Deputy General Manager of NAURA Technology Group Co., Ltd.

15:10-15:25

比电阻3.3毫欧.平方厘米的1200伏14毫欧SiC MOSFET

1200V 14mohm SiC MOSFET with Rsp,on of 3.3mohm.cm^2

雷光寅——复旦大学副研究员

LEI Guangyin——Associate Professor of Fudan University

15:25-15:40

茶歇 / Coffee Break

15:40-16:00

Packaging, Integration and fast switching in Power Electronics: what has been achieved and what´s next?

Eckart HOENE——德国弗劳恩霍夫研究所研究员

Eckart HOENE——Research Fellow of Fraunhofer, Germany

16:00-16:20

电热应力下碳化硅功率MOSFET损伤的多尺度探测表征方法

Multi-scale Detection and Characterization of SiC Power MOSFET Damage under Electro-thermal Stress

刘斯扬——东南大学教授

LIU Siyang——Professor of Southeast University

16:20-16:40

面向功率器件的高性能AlN陶瓷基板

High Performance AlN Ceramic Substrate for Power Devices

梁超——江苏博睿光电股份有限公司副总经理

LIANG Chao——Deputy General Manager of Jiangsu Bree Optronics Co., Ltd

16:40-17:00

SiC等离子体波脉冲功率器件与应用研究

Research on 4H-SiC Plasma Wave Pulsed Power Devices and its Applications

孙乐嘉——西安电子科技大学副教授

SUN Lejia——Associate Professor of Xidian University

17:00-17:20

GaN  HEMT与SIC  MOSFET在户用储能PCS方向应用优势

Advantages in household energy storage PCS using GaN HEMT and SiC MOSFET

孔令涛——南京芯干线科技有限公司总经理

General Manager of All Rights Reserved Nanjing X-IPM Technology Co., Ltd.

17:20-17:35

 

SiC功率器件高效无毒的界面改性

Efficient and non-toxic interface modification of SiC

郑理——中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员

ZHENG Li——Associate Professor of Shanghai Institute of Microsystems and Information Technology, Chinese Academy of Sciences

17:35-17:55

Condura.ultraTM无银AMB氮化硅基板---车规级功率模块用高性价比解决方案  

Condura.ultraTM silver free AMB --- cost-effective solution for automotive power module

张靖——贺利氏电子中国区研发总监

ZHANG Jing——Director of Innovation China, Heraeus Electronics

17:55-18:10

4H-SiC MOSFET中界面碳团簇的形成和迁移率退化机理

Interfacial Carbon Cluster Formation and Mobility Degradation in 4H-SiC MOSFETs

张召富——武汉大学工业科学研究院研究员

ZHANG Zhaofu——Professor of The Institute of Technological Sciences, Wuhan University

18:10-18:25

SiC MOSFET热阻精确测量技术研究

Research on the technique of accurately measuring thermal resistance of SiC MOSFET

刘奥——中国电子科技集团公司第五十五研究所

LIU AO——Nanjing Electronics Research Institute

 (备注:会前或许微调,请以现场日程为准。)

部分嘉宾简介
盛况
盛况,浙江大学求是特聘教授,博士生导师,浙江大学电气工程学院院长,浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院院长。长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。 
 
团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)等。团队也和国内外著名企业开展合作推进成果的产业化。相关的成果在国际顶级学术期刊及会议发表论文200余篇,引用次数2700次以上,获授权专利20余项(40余项申请中),2010年获浙江省自然科学二等奖,2019年获国家技术发明二等奖等。
 
张清纯
张清纯,复旦大学特聘教授、上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任。长期从事SiC器件的研发和产业化。迄今撰写过100余篇科技论文和SiC器件领域专著;多次受邀在国际碳化硅、功率半导体的学术会议上作大会报告;作为第一和合作发明人,拥有75多项美国专利;多次担任ISPSD技术委员会成员和碳化硅器件分会主席;曾任国际电力电子技术路线图研讨会联合主席等。研究方向为半导体物理与器件;宽带半导体器件物理、工艺、测试、产业化及应用;器件模拟及仿真;电力系统。
巩小亮
巩小亮,中国电子科技集团公司第四十八研究所半导体装备研究部主任。,电科装备第三代半导体领域技术专家。长期从事第三代半导体制造装备技术研究与产业化,重点致力于大尺寸SiC外延生长设备开发,承担了国家863计划、湖南省科技重大专项等项目,发表论文10余篇,授权发明专利6项,牵头制定行业标准2项,获中国电科科学技术奖一等奖、中国电科“十大青年拔尖人才”等奖励,正牵头承担第三代半导体装备领域国家、省部级重大工程项目。
 
雷光寅
雷光寅,复旦大学副研究员,博士毕业于美国弗吉尼亚理工大学。曾在美国福特汽车公司全球研发中心与上海蔚来汽车工作10余年,负责新能源汽车电机控制器研发项目,研究领域集中在功率半导体模块封装、可靠性验证及失效分析,发表论文20余篇,获得30余项国际发明专利与申请。研究方向包括新型电子封装材料、功率半导体模块封装技术、集成化功率模块封装工艺、半导体模块可靠性及失效机理分析。
刘斯扬
刘斯扬,东南大学教授、博士生导师。2009年于合肥工业大学微电子学专业毕业,先后获得法国雷恩第一大学电子科学与技术硕士学位、东南大学微电子学与固体电子学硕士和博士学位,2015-2017年东南大学博士后,2015-2016年美国北卡罗莱纳州立大学访问学者。入选国家高层次人才、江苏省333高层次人才培养工程—中青年学术技术带头人,东南大学至善青年学者(A层次)。主要从事功率半导体器件设计及可靠性研究。获国家技术发明二等奖(排2)、江苏省科学技术一等奖(排2),教育部技术发明一等奖(排4)。
 梁超
梁超,江苏博睿光电有限公司副总经理。曾先后入选“江苏省333高层次人才培养工程”、江苏省六大人才高峰、“千百十”计划高层次创新领军人才;获江苏省科学技术进步二等奖1项、南京市科学技术进步二等奖1项等。主要研究方向第三代半导体光电材料,在发光材料方向开发出LED用高性能铝酸盐、硅酸盐体系多个色系荧光粉,为高光品质照明、全光谱照明整体解决方案提供支撑;高导热陶瓷方向致力于开发出具有高导热系数的AlN陶瓷基板及配套关键技术。共申请发明专利68件,授权发明专利54件(3件PCT专利分别于美国、韩国获得授权),发表SCI收录论文7篇,EI收录论文6篇。
孙乐嘉
孙乐嘉,西安电子科技大学副教授。2011年至2019年,工作于国家电网陕西省电力公司特高压部,2016年晋升高级工程师,长期从事宽禁带半功率半导体器件及系统研究工作。2016~2017年赴美国通用电气全球研发中心访问交流,参与国网公司“电力设备重大研发计划”5项,获得国家电网陕西科技进步奖1项,在国内外知名学术刊物和学术会议上发表论文20余篇。研究方向包括SiC功率半导体器件工艺与制备;宽禁带脉冲功率半导体器件工艺、制备及应用研究;SiC功率半导体器件驱动特性及系统集成。
郑理
郑理,中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员。曾获上海市青年五四奖章、 上海市科技青年35人引领计划,中国科学院院长特别奖等。主持针对多层MoS2的低能等离子体可控掺杂机理及原位缺陷修饰研究(国家级), 大尺寸高性能SOI基GaN晶圆研究及单芯片集成半桥开关验证(省级),原子层沉积系统自匹配等离子体装置开发( 部委级),石墨烯/复合高k介质异质结直接形成方法和机理研究(省级),ALD等离子体系统原位钝化SiC界面及快慢双能态陷阱共轭抑制机理研究(国家级)等科研项目。
Eckart HOENE
Eckart HOENE,德国弗劳恩霍夫研究所研究员。
杨霏1
杨霏,国网智能电网研究院有限公司教授级高工。
 

附件:

坛信息

会议时间:2023年2月7日-10日(7日报到)

会议地点:中国 - 苏州 - 苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店

程序委员会

主席:

张   荣——厦门大学党委书记、教授

联合主席:

刘   明——中科院院士、复旦大学芯片与系统前沿技术研究院院长、中科院微电子研究所研究员

顾   瑛——中科院院士、解放军总医院教授

江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授

李晋闽——中国科学院特聘研究员

张国义——北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授

沈   波——北京大学理学部副主任、教授

唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长

徐   科——江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员

邱宇峰——厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长

盛   况——浙江大学电气工程学院院长、教授

张   波——电子科技大学教授

陈   敬——香港科技大学教授

徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

吴伟东——加拿大多伦多大学教授

张国旗——荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授

Victor Veliadis——PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授

主题论坛召集人(按姓氏拼音排列):

F1-碳化硅功率电子材料与器件

主题分论坛主席:

盛   况——浙江大学电气工程学院院长、教授

唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长

a.碳化硅功率电子材料与器件

召集人:

盛   况——浙江大学电气工程学院院长、教授

柏   松——中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员

张清纯——复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任

邱宇峰——厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长

张玉明——西安电子科技大学微电子学院院长、教授

王德君——大连理工大学教授

袁   俊——九峰山实验室功率器件负责人

b.芯片制造工艺及装备

召集人:

唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长

王志越——中电科装备集团有限公司首席技术官

杜志游——中微半导体设备(上海)有限公司高级副总裁

吴   军——北方华创科技集团股份有限公司副总裁,首席科学家

F2-氮化物半导体电子材料与器件

主题分论坛主席:

张   波——电子科技大学教授

吴伟东——加拿大多伦多大学教授

陈堂胜——中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家

冯志红——中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任

a.氮化镓功率电子材料与器件

召集人:

张  波——电子科技大学教授

吴伟东——加拿大多伦多大学教授

刘  扬——中山大学教授

孙  钱——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员

张进成——西安电子科技大学副校长、教授

吴毅锋——珠海镓未来科技有限公司总裁

梁辉南——润新微电子(大连)有限公司总经理

王茂俊——北京大学信息科学技术学院副教授

b.射频电子材料与器件

召集人:

陈堂胜——中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家

蔡树军——中国电子科技集团公司第五十八研究所所长

张乃千——苏州能讯高能半导体有限公司董事长

张  韵——中国科学院半导体研究所副所长、研究员

敖金平——日本德岛大学教授、江南大学教授

于洪宇——南方科技大学深港微电子学院院长、教授

冯志红——中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任

刘建利——中兴通讯股份有限公司无线射频总工

F3-功率电子应用

主题分论坛主席:

刘    胜——武汉大学动力与机械学院院长、教授

赵丽霞——天津工业大学电气工程学院常务副院长、教授

a.功率模块封装及可靠性

召集人

刘   胜——武汉大学动力与机械学院院长、教授

赵丽霞——天津工业大学电气工程学院常务副院长、教授

李世玮——香港科技大学教授

陆国权——美国弗吉尼亚大学教授

罗小兵——华中科技大学能源与动力工程学院院长、教授

杨道国——桂林电子科技大学教授

王来利——西安交通大学教授

樊嘉杰——复旦大学青年研究员

姜  克——安世半导体全球研发副总裁、I&M事业部总经理

F4-衬底材料与装备

主题分论坛主席:

沈    波——北京大学理学部副主任、教授

徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

陶绪堂——山东大学讲席教授

唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长

a.碳化硅衬底材料生长与加工

召集人

徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授

陈小龙——中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心主任、研究员

孙国胜——中科院半导体研究所研究员

冯  淦——瀚天天成电子科技(厦门)有限公司总经理

b.氮化物衬底材料生长与同质外延

召集人:

沈  波——北京大学理学部副主任、教授

徐  科——江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员

黎大兵——中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员

毕文刚——江苏第三代半导体研究院副院长

杨  敏——江苏南大光电材料股份有限公司首席技术官

c.超宽禁带半导体材料与器件

召集人:

陶绪堂——山东大学讲席教授

龙世兵——中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授

张进成——西安电子科技大学副校长、教授

单崇新——郑州大学副校长、教授

王新强——北京大学教授、北大东莞光电研究院院长

王宏兴——西安交通大学教授

叶建东——南京大学教授

刘玉怀——郑州大学教授

韩根全——西安电子科技大学教授

d.生长、加工装备与量测设备

召集人:

唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长

王志越——中电科装备集团有限公司首席技术官

杜志游——中微半导体设备(上海)有限公司高级副总裁

吴  军——北方华创科技集团股份有限公司副总裁,首席科学家

F5-半导体照明与光电融合技术

主题分论坛主席:

江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授

曾一平——中科院半导体所研究员

a.全光谱LED材料、芯片、封装及可靠性

召集人:

江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授

刘国旭——北京易美新创科技有限公司联合创始人兼CTO

云  峰——西安交通大学教授

罗小兵——华中科技大学能源与动力工程学院院长、教授

伊晓燕——中国科学院半导体研究所研究员

郭伟玲——北京工业大学教授

汪  莱——清华大学电子工程系副教授、信息光电子研究所所长

汪炼成——中南大学教授

张建立——南昌大学研究员

b.半导体激光器

召集人:

曾一平——中科院半导体所研究员

张保平——厦门大学电子科学与技术学院副院长、教授

莫庆伟——老鹰半导体副总裁、首席科学家

刘建平——中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员

惠   峰——云南锗业公司首席科学家、中科院半导体所研究员

F6-超越照明创新应用

主题分论坛主席:

罗  明——浙江大学光电系教授

瞿  佳——温州医科大学附属眼光医院院长、教授

顾  瑛——中科院院士、解放军总医院教授

迟  楠——复旦大学信息科学与工程学院院长、教授

杨其长——国际欧亚科学院院士、中国农业科学院都市农业研究所副所长、研究员

刘  鹰——浙江大学生物系统工程与食品科学学院院长、教授

a.光品质与光健康

召集人

罗  明——浙江大学光电系教授

瞿   佳——温州医科大学附属眼光医院院长、教授

郝洛西——同济大学建筑与城市规划学院教授、国际照明学会(CIE)副主席

林燕丹——复旦大学教授

熊大曦——中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员

牟同升——浙江大学教授

魏敏晨——香港理工大学副教授

蔡建奇——中国标准化研究院视觉健康与安全防护实验室主任、研究员

刘  强——武汉大学颜色科学与图像传播研究所所长、副教授

b.光医疗

召集人

顾   瑛——中科院院士、解放军总医院教授

张凤民——黑龙江省医学科学院副院长,哈尔滨医科大学伍连德书院院长、国家地方联合工程研究中心主任

王彦青——复旦大学基础医学院教授

崔锦江——中科院苏州医工所光与健康研究中心副主任、研究员

蔡本志——哈尔滨医科大学教授

董建飞——中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员

陈德福——北京理工大学医工融合研究院特聘副研究员

杨   华——中国科学院半导体研究所副研究员

c.光通信与传感

召集人:

迟   楠——复旦大学信息科学与工程学院院长、教授

马骁宇——中科院半导体研究所研究员

陈雄斌——中国科学院半导体研究所研究员

田朋飞——复旦大学副研究员

李国强——华南理工大学教授

林维明——福州大学教授

房玉龙——中国电子科技集团公司第十三研究所研究员

d.生物与农业光照

召集人:

杨其长——国际欧亚科学院院士、中国农业科学院都市农业研究所副所长、研究员

唐国庆——中关村半导体照明工程研发及产业联盟副理事长、木林森执行总经理

刘   鹰——浙江大学生物系统工程与食品科学学院院长、教授

泮进明——浙江大学教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事长

贺冬仙——中国农业大学教授

陈   凯——华普永明光电股份有限公司董事长、总裁

华桂潮——四维生态董事长

徐  虹——厦门通秮科技有限公司总经理

刘厚诚——华南农业大学教授

李绍华——中科三安光生物产业研究院院长

F7-新型显示材料及应用

主题分论坛主席:

严  群——福州大学教授

孙小卫——南方科技大学电子与电气工程系讲席教授

毕   勇——中国科学院理化技术研究所研究员、激光应用中心主任

a.Mini/Micro-LED显示材料与装备

召集人:

严   群——福州大学教授

王新强——北京大学东莞光电研究院院长、北京大学教授

闫春辉——中民研究院常务副院长、纳微朗科技(深圳)有限公司董事长

刘   斌——南京大学电子科学与工程学院副院长、教授

黄   凯——厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授

马松林——TCL集团工业研究院副院长

刘国旭——北京易美新创科技有限公司联合创始人兼CTO

邱   云——京东方科技集团股份有限公司技术企划部副总监

刘召军——南方科技大学研究员

b.激光显示三基色材料与器件

毕   勇——中国科学院理化技术研究所研究员、激光应用中心主任

赵德刚——中国科学院半导体研究所研究员

c.钙钛矿、量子点及柔性照明与显示等

召集人:

孙小卫——南方科技大学电子与电气工程系讲席教授

廖良生——苏州大学教授

徐   征——北京交通大学教授

段   炼——清华大学教授

钟海政——北京理工大学教授

F8-固态紫外材料与器件

主题分论坛主席:

康俊勇——厦门大学教授

王军喜——中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任

a.固态紫外发光材料与器件

b.紫外探测材料与器件

召集人:

康俊勇——厦门大学教授

王军喜——中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任

黎大兵——中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员

陆   海——南京大学教授

陈长清——华中科技大学教授

郭浩中——台湾交通大学特聘教授

李晓航——沙特国王科技大学副教授

 

许福军——北京大学物理学院副教授

1.9参展企业LOGO

日程安排

1.3最新日程安排

注册权益收费表

报名权益

备注:

*中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。

*学生参会需提交相关证件。

*会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

*IFWS相关会议包括:开幕大会,碳化硅衬底材料生长与加工,碳化硅功率电子材料与器件,氮化物衬底材料生长与外延技术,氮化镓功率电子材料与器件,固态紫外材料与器件,化合物半导体激光器技术,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,射频电子材料与器件,超宽禁带及其他新型半导体材料与器件,闭幕大会。

*SSLCHINA相关会议包括:开幕大会,氮化物衬底材料生长与外延技术,固态紫外材料与器件,LED芯片、封装与光通信,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,生物农业光照技术,教育照明与健康光环境,光医疗应用技术,化合物半导体激光器技术,闭幕大会。

*产业峰会包括:生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、功率模块与电源应用峰会、第三代半导体标准与检测研讨会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会。

*若由于某些原因,您缴费后无法参会,可办理退款事宜,组委会将扣除一定的退款手续费。

*自助餐包含:2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。

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*备注:请微信扫码查看并注册,注册成功后可在个人中心查看电子票信息、申请发票、为他人报名、分享海报等等。

*防疫提醒:目前全国各地防疫政策逐渐放宽,目前进/出苏州不再查验核酸、健康码,组委会提醒参会代表临行前能做好自我健康检测,体温等无异常者,佩戴好口罩即可现场参会。

即日起至2023年2月1日之前,完成注册缴费即可享受折扣票(详见上图),中关村半导体照明工程研发及产业联盟(CSA)或第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)成员单位在此基础上再享受10%优惠。学生参会需提交相关证件。会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

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