2023年2月7-10日（7日报到），第八届国际第三代半导体论坛（IFWS 2022）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2022）将于在苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店召开。其中，射频电子材料与器件技术分会作为重要分论坛，目前已经确认最新日程出炉！！
第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在新一代移动通信等领域应用潜力巨大。GaN 已成为射频功率应用中 LDMOS 和 GaAs 的重要竞争对手，其性能和可靠性不断提高且成本不断降低。
据组委会透露，作为IFWS 2022的重要分会之一，“射频电子材料与器件分会”将于2月10日08:30-12:00召开。该分会主题涵盖氮化镓微波器件及其芯片设计及在移动通信中的应用等各方面，得到了英诺赛科、苏州能讯高能半导体有限公司、广州南砂晶圆半导体技术有限公司等单位的协办支持。同时，由中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家陈堂胜，中国电子科技集团公司第五十八研究所所长蔡树军，苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千，中国科学院半导体研究所副所长、研究员张韵，日本德岛大学教授、江南大学教授敖金平，南方科技大学深港微电子学院院长、教授于洪宇，中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任冯志红，中兴通讯股份有限公司无线射频总工刘建利等业内知名专家共同召集。
届时，该分会将有：澳大利亚麦考瑞大学教授Sourabh KHANDELWAL，南京国博电子股份有限公司副总经理钱峰，复旦大学教授黄伟，苏州能讯高能半导体有限公司副总裁裴轶，南京理工大学副教授黄同德，日本京都大学教授Naoki SHINOHARA，中国电科十三所正高级工程师、河北新华北集成电路有限公司副总经理杜鹏搏，山东大学新一代半导体材料研究院研究员崔鹏，北京昂瑞微电子技术股份有限公司副总经理黄鑫，西安电子科技大学王鹏飞等科研院校与代表企业的知名企业专家代表共同参与，将围绕射频电子材料与器件技术分享主题报告。目前该分会日程已经出炉，详情如下：
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技术分论坛：射频电子材料与器件 Technical Sub-Forum: RF Electronic Materials and Devices |
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时间：2023年2月10日08:30-12:00 地点：地点：苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店 • 会议室K8 Time: Feb 10，2023，08:30-12:00 Location: Kempinski Hotel Suzhou • K8 |
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协办支持/Co-organizer: 英诺赛科/Innoscience Technology Co., Ltd 苏州能讯高能半导体有限公司/Dynax Semiconductor, Inc 广州南砂晶圆半导体技术有限公司/Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,ltd |
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屏幕尺寸 / Slides Size：16:9 |
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主持人 Moderator |
陈堂胜 / CHEN Tangsheng 中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家 Chief Scientist of Nanjing Electronic Devices Institute 蔡树军 / CAI Shujun 中国电子科技集团公司第五十八研究所所长 Professor and the President of 58th Institute, CETC 张乃千 / ZHANG Naiqian 苏州能讯高能半导体有限公司董事长 Chairman of Dynax Semiconductor Inc. |
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08:30-08:50 |
Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM-HEMT compact model Sourabh KHANDELWAL——澳大利亚麦考瑞大学教授 Sourabh KHANDELWAL——Professor of Macquarie University, Australia |
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08:50-09:10 |
5G移动通信用化合物器件研究 Research on Compound Semiconductor Devices for 5G Mobile Communication 钱峰——南京国博电子股份有限公司副总经理 QIAN Feng——Deputy General Manager of Nanjing Guobo Electronics Co., Ltd |
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宽带 Research on Broadband GaN Millimeter Wave Devices 黄伟——复旦大学教授 HUANG Wei Professor of Fudan University |
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09:30-09:50 |
氮化镓推动5G、射频能源及其他领域的创新 GaN Driving innovation in 5G, RF Energy and beyond 裴轶——苏州能讯高能半导体有限公司副总裁 PEI Yi——Vice President of Dynax Semiconductor, Inc |
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09:50-10:10 |
28GHz氮化镓基时间调制波束成形系统 28GHz GaN based time modulated beamforming system 黄同德——南京理工大学副教授 HUANG Tongde——Associate Professor of Nanjing University of Science and Technology |
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10:10-10:25 |
茶歇 / Coffee Break |
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10:25-10:45 |
太阳能卫星及相关波束无线电力传输技术的最新研发进展 Recent R&D of Solar Power Satellite and Related Beam Wireless Power Transfer Technology Naoki SHINOHARA——Professor of Kyoto University, Japan |
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10:45-11:05
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47GHz-52GHz功率放大器芯片套片设计 Design of 47GHz-52GHz Power Amplifier Chipset 杜鹏搏——中国电科十三所正高级工程师、河北新华北集成电路有限公司副总经理 DU Pengbo——Senior Engineer of Hebei Semiconductor Institute, Deputy General Manager of Hebei New North China Integrated Circuit Co., Ltd |
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11:05-11:25
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电流/功率截止频率为135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTs High-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鹏——山东大学新一代半导体材料研究院研究员 CUI Peng——Research Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University |
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11:25-11:45 |
国产突破，中国射频前端产业引领5G 芯时代 Domestic breakthrough, China's RF front-end industry leads the 5G Chip era 黄鑫——北京昂瑞微电子技术股份有限公司副总经理 HUANG Xin Vice General Manager of Beijing onMicro Electronics Co., Ltd. |
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11:45-12:00 |
双阈值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于优化Ka波段高电场线性度的多指漏极板研究 Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands 王鹏飞——西安电子科技大学 Wang Pengfei——Xidian University |
【部分嘉宾简介】
陈堂胜
中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家
陈堂胜，1986年、1989年毕业于西安交通大学半导体物理与器件专业，分别获学士和硕士学位，1989年到南京电子器件研究所参加工作至今，长期从事GaAs、GaN等化合物半导体微波功率器件和单片电路的研制，现为中国电子科技集团公司制造工艺领域首席科学家，目前在开展金刚石衬底GaN HEMT、异构集成等方面的研究。
张乃千
苏州能讯高能半导体有限公司董事长
张乃千，1995年清华大学电子工程系本科毕业，2002年在加州大学圣塔巴巴拉分校获得电子工程博士学位。博士毕业后，张乃千选择了于工业界发展，进入了当时全球最大的射频半导体生产厂家RFMD公司。在RFMD任职期间张乃千担任了公司氮化镓HEMT专业指导委员会委员，并因RF3800系列产品的开发获得公司“突出贡献(Spotlight)”奖。他于2007年回国创办了能讯半导体并任总裁。能讯是中国首家第三代半导体氮化镓电子器件设计与制造商业企业，自主进行氮化镓外延生长、晶圆制造、内匹配与封装等。张乃千是美国电子工程师协会（IEEE）会员，曾担任其核心杂志IEEE EDL的审稿人。他也是华美半导体协会理事。
Sourabh Khandelwal
澳大利亚麦考瑞大学教授
Sourabh Khandelwal，澳大利亚麦考瑞大学教授，Khandelwal博士在麦格理大学领导一个充满活力的研究小组，专注于半导体器件建模和仿真。他是CMC GaN RF和功率器件的全球行业标准ASM-HEMT模型的主要作者。他撰写了150多篇论文，并出版了3本关于GaN、FDSOI和FinFET技术的书籍。在此之前，Khandelwal博士曾在加州大学伯克利分校的BSIM小组和IBM半导体研究中心工作。
Naoki Shinohara
日本京都大学教授
Naoki Shinohara，日本京都大学教授。他于1996年获得了日本京都大学博士学位，并先后在京都大学的空间射频研究中心和人类生存圈研究所从事太阳能卫星和无线能量传输等方向的研究，研究领域包括无线电力传输、微波电力传输和太阳能电力卫星等。他是IEEE、URSI、IEICE、IEEJ、WiPoT等协会会员，并作为IEEE杰出演讲人在世界多个知名高校展开以"无线能量传输"为主题的讲座。
钱 峰
南京国博电子股份有限公司副总经理
钱峰，南京国博电子股份有限公司副总经理。研究员级高级工程师。1993年6月至2001年12月,历任中国电科五十五所一部二室助理工程师、工程师;2001年12月至2006年6月,历任中国电科五十五所一中心高级工程师、研究员级高级工程师;2006年6月至2011年3月,历任中国电科五十五所集成电路设计部副主任、主任;2011年3月至2012年2月,任国博有限副总经理;2012年2月至2015年3月,任中国电科五十五所单片电路设计部主任;2015年3月至2018年9月,任中国电科五十五所副总工程师;2018年9月至2020年12月,任国博有限副总经理;2020年12月至今,任南京国博电子股份有限公司副总经理。
裴 轶
苏州能讯高能半导体有限公司副总裁
裴轶，苏州能讯高能半导体有限公司副总裁。带领团队开展氮化镓技术研发，解决芯片产品规模化生产的瓶颈，构建公司完整的技术研发体系，带领团队申请发明专利400余项。成功建成国内第一条具有国际水平的民用氮化镓电子生产线，填补国内第三代半导体技术空白，培养出100余名优秀产业人才。承担多项国家级重大技术攻关项目，开发5G移动通信用氮化镓射频芯片，为产业发展打开了新的空间。2022年5月，被授予第17届“江苏青年五四奖章”。
黄 鑫
北京昂瑞微电子技术股份有限公司副总裁
黄鑫，北京昂瑞微电子技术股份有限公司副总裁。西安电子科技大学微电子学硕士，十五年4G/5G/IoT无线通信芯片研发、规划、推广经验。现任昂瑞微副总裁，负责整个公司的战略发展，产品定位和公共关系等。主导定义了十余款4G/5G射频前端芯片，包括：L-PAMiD/F、L-FEM、MMMB、TxM、PAM等射频前端模组。客户包括荣耀、小米、三星、中兴、摩托罗拉、诺基亚等国内外知名品牌。用于5G手机终端的射频前端芯片，已在国内一线手机厂商实现超七千万颗的规模出货。
崔 鹏
山东大学新一代半导体材料研究院 研究员
崔鹏，山东大学新一代半导体材料研究院 研究员。2018年6月获山东大学微电子学院博士学位。2018年7月至2021年7月在美国University of Delaware电子与计算机工程系从事博士后研究。主要从事宽禁带半导体器件制备与研究，在低功耗器件、射频器件、功率放大器线性度等方面取得了一些较有影响力的国际指标性成果：首次在氮化镓（GaN）高电子迁移率场效应晶体管（无栅介质层）上实现亚阈值摆幅低于理论极限，其亚阈值摆幅可达到30 mV/dec, 为目前报道的无栅介质的GaN HEMT最低值，促进了GaN开关器件的功耗降低和尺寸缩小；制备出国际最高功率截止频率特性的GaN-on-Si 器件，其功率截止频率可达到270 GHz；研发的硅基InAlN/GaN高电子迁移率场效应晶体管以国际最高的栅长频率乘积值，被 Semiconductor Today, ScienceDaily, everything RF, UDaily等分别报道；首次确立极化库仑场散射与GaN HEMT器件线性度的关联关系，建立器件层级提高GaN功率放大器线性度的可行性方案。迄今为止,在本领域权威期刊IEEE Electron Device Letters, IEEE Transactions on Electron Devices, Scientific Reports, Journal of Applied Physics等发表论文50余篇，其中第一作者SCI论文20篇，申请/授权国家发明专利5项。
黄同德
南京理工大学副教授
黄同德，南京理工大学副教授。研究方向包括化合物微波集成电路芯片（MMIC）；CMOS毫米波集成电路芯片；微波器件物理与仿真模型建立。包括功率放大器，混频器，低噪声放大器，本振信号源等,应用目标为雷达制导探测，5G毫米波通信等前端系统；有源无源高频器件建模，服务于芯片设计与系统优化。主持及参与科研项目包括江苏省科技厅重点项目“面向5G毫米波通信的新型GaN基波束形成系统关键技术研发”；国家自然科学基金项目“新型高性能纳秒级恢复时间氮化镓低噪声放大器研究”；留学人员科技创新项目择优资助(B类)，“毫米波氮化镓集成收发前端芯片研发”等。目前已发表SCI和EI学术论文26余篇，其中以第一作者身份在相关领域国际顶级期刊IEEE Trans.和Letters上发表论文10篇，五年内论文被引用273次，单篇最高他引次数为52次，所发表成果两次被国际权威半导体期刊《Semiconductor Today》专题重点报道.
杜鹏搏
中国电科十三所正高级工程师
河北新华北集成电路有限公司副总经理
杜鹏搏，中国电科十三所正高级工程师、河北新华北集成电路有限公司副总经理，中国电科十三所MMIC芯片领域专家，河北省青年拔尖人才。主要从事微波/毫米波集成电路设计、测试及可靠性研究。多项研究成果达到国际先进水平，先后承担国家重大项目10余项，发表相关论文10多篇，申请专利7项。获得中国电科科学技术奖一等奖2项、三等奖2项，国防科学技术进步奖二等奖2项、三等奖1项。
黄 伟
复旦大学教授
黄伟，复旦大学教授。毕业于北京大学，获得微电子学与固体电子学博士学位，先后在香港科技大学、中国电子科技集团第五十八研究所从事两站博士后研究，长期从事射频、功率半导体器件与集成技术研究与产品开发，先后主持及承担过国家自然科学基金、国防预研、国防新品等项目。拥有海外知名半导体公司芯片研发和作为创始人创立高科技企业等经历。先后在IEDM、IEEE EDL、IEEE TED等专业期刊发表30余篇文章，获得省部级技术发明奖一项，出版专著一部，主持研制的半导体芯片多次获得省部级高新产品称号。曾获得国家外专局人才引智计划等。
（备注：后续会有新增，请以最终日程为准。）
附件：
论坛信息
会议时间：2023年2月7日-10日（7日报到）
会议地点：中国 - 苏州 - 苏州金鸡湖凯宾斯基大酒店
程序委员会
主席：
张 荣——厦门大学党委书记、教授
联合主席：
刘 明——中科院院士、复旦大学芯片与系统前沿技术研究院院长、中科院微电子研究所研究员
顾 瑛——中科院院士、解放军总医院教授
江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授
李晋闽——中国科学院特聘研究员
张国义——北京大学东莞光电研究院常务副院长、教授
沈 波——北京大学理学部副主任、教授
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
徐 科——江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员
邱宇峰——厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长
盛 况——浙江大学电气工程学院院长、教授
张 波——电子科技大学教授
陈 敬——香港科技大学教授
徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
吴伟东——加拿大多伦多大学教授
张国旗——荷兰工程院院士、荷兰代尔夫特理工大学教授
Victor Veliadis——PowerAmerica首席执行官兼首席技术官、美国北卡罗莱纳州立大学教授
主题论坛召集人（按姓氏拼音排列）：
F1-碳化硅功率电子材料与器件
主题分论坛主席：
盛 况——浙江大学电气工程学院院长、教授
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
a.碳化硅功率电子材料与器件
召集人：
盛 况——浙江大学电气工程学院院长、教授
柏 松——中国电子科技集团公司第五十五研究所研究员
张清纯——复旦大学上海碳化硅功率器件工程技术研究中心主任
邱宇峰——厦门大学讲座教授、全球能源互联网研究院原院长
张玉明——西安电子科技大学微电子学院院长、教授
王德君——大连理工大学教授
袁 俊——九峰山实验室功率器件负责人
b.芯片制造工艺及装备
召集人：
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
王志越——中电科装备集团有限公司首席技术官
杜志游——中微半导体设备(上海)有限公司高级副总裁
吴 军——北方华创科技集团股份有限公司副总裁，首席科学家
F2-氮化物半导体电子材料与器件
主题分论坛主席：
张 波——电子科技大学教授
吴伟东——加拿大多伦多大学教授
陈堂胜——中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家
冯志红——中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任
a.氮化镓功率电子材料与器件
召集人：
张 波——电子科技大学教授
吴伟东——加拿大多伦多大学教授
刘 扬——中山大学教授
孙 钱——中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员
张进成——西安电子科技大学副校长、教授
吴毅锋——珠海镓未来科技有限公司总裁
梁辉南——润新微电子(大连)有限公司总经理
王茂俊——北京大学信息科学技术学院副教授
b.射频电子材料与器件
召集人：
陈堂胜——中国电子科技集团公司第五十五研究所首席科学家
蔡树军——中国电子科技集团公司第五十八研究所所长
张乃千——苏州能讯高能半导体有限公司董事长
张 韵——中国科学院半导体研究所副所长、研究员
敖金平——日本德岛大学教授、江南大学教授
于洪宇——南方科技大学深港微电子学院院长、教授
冯志红——中电科第十三所首席科学家、专用集成电路国家级重点实验室副主任
刘建利——中兴通讯股份有限公司无线射频总工
F3-功率电子应用
主题分论坛主席：
刘 胜——武汉大学动力与机械学院院长、教授
赵丽霞——天津工业大学电气工程学院常务副院长、教授
a.功率模块封装及可靠性
召集人：
刘 胜——武汉大学动力与机械学院院长、教授
赵丽霞——天津工业大学电气工程学院常务副院长、教授
李世玮——香港科技大学教授
陆国权——美国弗吉尼亚大学教授
罗小兵——华中科技大学能源与动力工程学院院长、教授
杨道国——桂林电子科技大学教授
王来利——西安交通大学教授
樊嘉杰——复旦大学青年研究员
姜 克——安世半导体全球研发副总裁、I&M事业部总经理
F4-衬底材料与装备
主题分论坛主席：
沈 波——北京大学理学部副主任、教授
徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
陶绪堂——山东大学讲席教授
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
a.碳化硅衬底材料生长与加工
召集人
徐现刚——山东大学新一代半导体材料研究院院长、教授
陈小龙——中国科学院物理研究所功能晶体研究与应用中心主任、研究员
孙国胜——中科院半导体研究所研究员
冯 淦——瀚天天成电子科技（厦门）有限公司总经理
b.氮化物衬底材料生长与同质外延
召集人：
沈 波——北京大学理学部副主任、教授
徐 科——江苏第三代半导体研究院院长、中科院苏州纳米所副所长、研究员
黎大兵——中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员
毕文刚——江苏第三代半导体研究院副院长
杨 敏——江苏南大光电材料股份有限公司首席技术官
c.超宽禁带半导体材料与器件
召集人:
陶绪堂——山东大学讲席教授
龙世兵——中国科学技术大学微电子学院执行院长、教授
张进成——西安电子科技大学副校长、教授
单崇新——郑州大学副校长、教授
王新强——北京大学教授、北大东莞光电研究院院长
王宏兴——西安交通大学教授
叶建东——南京大学教授
刘玉怀——郑州大学教授
韩根全——西安电子科技大学教授
d.生长、加工装备与量测设备
召集人：
唐景庭——中国电子科技集团公司第二研究所所长
王志越——中电科装备集团有限公司首席技术官
杜志游——中微半导体设备(上海)有限公司高级副总裁
吴 军——北方华创科技集团股份有限公司副总裁，首席科学家
F5-半导体照明与光电融合技术
主题分论坛主席：
江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授
曾一平——中科院半导体所研究员
a.全光谱LED材料、芯片、封装及可靠性
召集人：
江风益——中科院院士、南昌大学副校长、教授
刘国旭——北京易美新创科技有限公司联合创始人兼CTO
云 峰——西安交通大学教授
罗小兵——华中科技大学能源与动力工程学院院长、教授
伊晓燕——中国科学院半导体研究所研究员
郭伟玲——北京工业大学教授
汪 莱——清华大学电子工程系副教授、信息光电子研究所所长
汪炼成——中南大学教授
张建立——南昌大学研究员
b.半导体激光器
召集人：
曾一平——中科院半导体所研究员
张保平——厦门大学电子科学与技术学院副院长、教授
莫庆伟——老鹰半导体副总裁、首席科学家
刘建平——中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员
惠 峰——云南锗业公司首席科学家、中科院半导体所研究员
F6-超越照明创新应用
主题分论坛主席：
罗 明——浙江大学光电系教授
瞿 佳——温州医科大学附属眼光医院院长、教授
顾 瑛——中科院院士、解放军总医院教授
迟 楠——复旦大学信息科学与工程学院院长、教授
杨其长——国际欧亚科学院院士、中国农业科学院都市农业研究所副所长、研究员
刘 鹰——浙江大学生物系统工程与食品科学学院院长、教授
a.光品质与光健康
召集人
罗 明——浙江大学光电系教授
瞿 佳——温州医科大学附属眼光医院院长、教授
郝洛西——同济大学建筑与城市规划学院教授、国际照明学会（CIE）副主席
林燕丹——复旦大学教授
熊大曦——中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员
牟同升——浙江大学教授
魏敏晨——香港理工大学副教授
蔡建奇——中国标准化研究院视觉健康与安全防护实验室主任、研究员
刘 强——武汉大学颜色科学与图像传播研究所所长、副教授
b.光医疗
召集人：
顾 瑛——中科院院士、解放军总医院教授
张凤民——黑龙江省医学科学院副院长，哈尔滨医科大学伍连德书院院长、国家地方联合工程研究中心主任
王彦青——复旦大学基础医学院教授
崔锦江——中科院苏州医工所光与健康研究中心副主任、研究员
蔡本志——哈尔滨医科大学教授
董建飞——中国科学院苏州生物医学工程技术研究所研究员
陈德福——北京理工大学医工融合研究院特聘副研究员
杨 华——中国科学院半导体研究所副研究员
c.光通信与传感
召集人：
迟 楠——复旦大学信息科学与工程学院院长、教授
马骁宇——中科院半导体研究所研究员
陈雄斌——中国科学院半导体研究所研究员
田朋飞——复旦大学副研究员
李国强——华南理工大学教授
林维明——福州大学教授
房玉龙——中国电子科技集团公司第十三研究所研究员
d.生物与农业光照
召集人：
杨其长——国际欧亚科学院院士、中国农业科学院都市农业研究所副所长、研究员
唐国庆——中关村半导体照明工程研发及产业联盟副理事长、木林森执行总经理
刘 鹰——浙江大学生物系统工程与食品科学学院院长、教授
泮进明——浙江大学教授、杭州朗拓生物科技有限公司董事长
贺冬仙——中国农业大学教授
陈 凯——华普永明光电股份有限公司董事长、总裁
华桂潮——四维生态董事长
徐 虹——厦门通秮科技有限公司总经理
刘厚诚——华南农业大学教授
李绍华——中科三安光生物产业研究院院长
F7-新型显示材料及应用
主题分论坛主席：
严 群——福州大学教授
孙小卫——南方科技大学电子与电气工程系讲席教授
毕 勇——中国科学院理化技术研究所研究员、激光应用中心主任
a.Mini/Micro-LED显示材料与装备
召集人：
严 群——福州大学教授
王新强——北京大学东莞光电研究院院长、北京大学教授
闫春辉——中民研究院常务副院长、纳微朗科技（深圳）有限公司董事长
刘 斌——南京大学电子科学与工程学院副院长、教授
黄 凯——厦门大学物理科学与技术学院副院长、教授
马松林——TCL集团工业研究院副院长
刘国旭——北京易美新创科技有限公司联合创始人兼CTO
邱 云——京东方科技集团股份有限公司技术企划部副总监
刘召军——南方科技大学研究员
b.激光显示三基色材料与器件
毕 勇——中国科学院理化技术研究所研究员、激光应用中心主任
赵德刚——中国科学院半导体研究所研究员
c.钙钛矿、量子点及柔性照明与显示等
召集人：
孙小卫——南方科技大学电子与电气工程系讲席教授
廖良生——苏州大学教授
徐 征——北京交通大学教授
段 炼——清华大学教授
钟海政——北京理工大学教授
F8-固态紫外材料与器件
主题分论坛主席：
康俊勇——厦门大学教授
王军喜——中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任
a.固态紫外发光材料与器件
b.紫外探测材料与器件
召集人：
康俊勇——厦门大学教授
王军喜——中国科学院半导体研究所研究员、中科院半导体照明研发中心主任
黎大兵——中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员
陆 海——南京大学教授
陈长清——华中科技大学教授
郭浩中——台湾交通大学特聘教授
李晓航——沙特国王科技大学副教授
许福军——北京大学物理学院副教授
日程安排
注册权益收费表
备注：
＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。
＊学生参会需提交相关证件。
＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
＊IFWS相关会议包括：开幕大会，碳化硅衬底材料生长与加工,碳化硅功率电子材料与器件,氮化物衬底材料生长与外延技术,氮化镓功率电子材料与器件,固态紫外材料与器件,化合物半导体激光器技术,Mini/Micro LED及其他新型显示技术,射频电子材料与器件,超宽禁带及其他新型半导体材料与器件，闭幕大会。
＊SSLCHINA相关会议包括：开幕大会，氮化物衬底材料生长与外延技术，固态紫外材料与器件，LED芯片、封装与光通信，Mini/Micro LED及其他新型显示技术，生物农业光照技术，教育照明与健康光环境，光医疗应用技术，化合物半导体激光器技术,闭幕大会。
*产业峰会包括：生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、功率模块与电源应用峰会、第三代半导体标准与检测研讨会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会。
＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除一定的退款手续费。
＊自助餐包含：2023年2月8日午餐、2月9日午餐+晚餐。
论坛线上注册平台
IFWS&SSLCHINA 2022在线注册通道
*备注：请微信扫码查看并注册，注册成功后可在个人中心查看电子票信息、申请发票、为他人报名、分享海报等等。
*防疫提醒：目前全国各地防疫政策逐渐放宽，目前进/出苏州不再查验核酸、健康码，组委会提醒参会代表临行前能做好自我健康检测，体温等无异常者，佩戴好口罩即可现场参会。
即日起至2023年2月1日之前，完成注册缴费即可享受折扣票（详见上图），中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。学生参会需提交相关证件。会议现场报到注册不享受各种优惠政策。
