银河微电:功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产

日期:2022-12-21 阅读:606
核心提示:12月20日,银河微电在投资者互动平台表示, 功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产。同时,银河微电称,IPM模块已完成一款封

12月20日,银河微电在投资者互动平台表示, 功率MOSFET器件已实现Clip Bond技术的量产。

同时,银河微电称,IPM模块已完成一款封装的量产,未来将根据市场情况逐步系列化;DFN0603无框架封装已完成工艺验证,性能指标符合开发目标要求;CSP0603封装已完成技术开发,未来芯片线改扩建时将进行成果转化。

银河微电以封装测试专业技术为基础,目前初步具备IDM模式下的一体化经营能力,可以为客户提供适用性强、可靠性高的系列产品及技术解决方案,满足客户一站式采购需求。

作为半导体分立器件专业供应商,银河微电多年来紧跟下游行业发展趋势,积极布局新兴市场,公司成功加入国际汽车电子协会,并将产品从家用电器、计算机及周边设备、网络与通信、适配器及电源等领域拓展到汽车电子等应用领域,相关产品在功能稳定性、质量可靠性等各方面得到客户的广泛认可,建立了良好的行业口碑和品牌形象,产销量持续增长。

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