12月14日，深圳青铜剑科技股份有限公司（以下简称“深圳青铜剑”）科技大厦顺利封顶。
图源：基本半导体
据悉，由深圳青铜剑投建的第三代半导体产业基地是深圳市年度重大项目，位于坪山区丹梓大道与光科三路交汇处西南角，占地逾8000平方米，总建筑面积近50000平方米。该基地于2021年1月正式开工，将作为青铜剑科技集团总部，同时建设第三代半导体研发中心、车规级碳化硅功率器件封装线和中欧创新中心孵化器等。
深圳青铜剑专注于IGBT和碳化硅MOSFET等功率器件驱动的研发、生产、销售和服务，致力于为客户提供集成化、智能化、自主可控的电力电子解决方案。其已推出IGBT标准驱动核、即插即用型驱动器、碳化硅驱动器等全系列产品，以及新能源汽车电驱功率模组、光伏风电多并联集成驱动等解决方案。
