据悉，东风旗下智新半导体碳化硅功率模块项目将于2023年实现量产装车。
同时，东风汽车与中国信科共建的汽车芯片联合实验室，正在推进车规级MCU芯片在汉落地，预计2024年实现量产；与中芯国际合作，已完成设计首款MCU芯片。
作为IGBT模块的升级产品、第三代半导体，碳化硅功率模块有着更低损耗、更高效率、更耐高温和高电压的特性。据介绍，碳化硅功率模块项目于2021年1月在智新立项，目前课题已经顺利完成，将于2023年搭载东风自主新能源乘用车，实现量产。该模块能推动新能源汽车电气架构从400V到800V的迭代，从而实现10分钟充电 80%，并进一步提升车辆续航里程，降低整车成本。
公开资料显示，今年10月，东风汽车宣布，与中国中车合资成立的智新半导体已启动二期项目建设，年产能将达到120万只，预计2024年建成，不仅能满足东风公司到2025年产销100万辆新能源汽车对IGBT模块的需求，还能为其他车企供货。
2019年6月，东风公司与中国中车携手，成立智新半导体有限公司，开始自主研发、生产车规级IGBT模块。历时两年，2021年7月，年产30万只的IGBT生产线在武汉市东风新能源汽车产业园正式投产，这也是国内首条IGBT模块全自动化封测流水线。
