11月22日，世界先进宣布，其领先的八英寸0.35微米650 V的新基底高电压氮化镓制程（GaN-on-QST）已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证，正式进入量产，为特殊集成电路制造服务领域首家量产此技术的公司。世界先进说明，公司的0.35微米650 V GaN-on-QST制程能与公司既有的八英寸硅晶圆机台设备在开发与生产上相互配合使用，以达最佳生产效率及良率。
世界先进指出，2018年以Qromis基板技术（简称QST TM）进行八英寸QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST制程开发，于今年第一季开发完成，于第四季成功量产，世界先进同时已和海内外整合元件制造（IDM）厂及IC设计公司展开合作。
QST 基板相较于以矽（Si）作为基板，具有与氮化镓磊晶层更匹配的热膨胀系数（CTE），在制程中堆叠氮化镓的同时，也能降低翘曲（warpage）破片，更有利于实现量产。世界先进公司的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程能与公司既有的八寸矽晶圆机台设备在开发与生产上相互配合使用，以达最佳生产效率及良率。根据客户端的系统验证结果，世界先进公司提供的氮化镓晶圆于快充市场的应用上，针对 65W 以上的快充产品，其系统效率已达世界领先的水准。此外，基于 QST 基板的良好散热特性，在整体快充方案效能上，世界先进公司提供的氮化镓晶圆具有更优良的散热表现。
世界先进公司营运长尉济时博士表示：“世界先进公司身为特殊积体电路制造服务的领导厂商，不断精进制程技术，以提供客户最具效益的完整解决方案及高附加价值的服务。我们的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程具备效能及可靠性优势，不仅提供客户更优化的积体电路设计选择，亦协助提升客户产品的竞争力。”
据悉，世界先进0.35微米650 V GaN-on-QST制程除了650 V的元件选择外，也提供内建静电保护元件（ESD），客户得以更便利的进行设计选择。此外，该制程除具备更优异的可靠性与信赖性，针对更高电压（超过1000 V）的扩充性，世界先进也已经与部分客户展开合作，以满足客户的产品需求。
