由中国科学院半导体研究所、厦门市三安集成电路有限公司、北京大学、中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所联合提出的《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》团体标准提案，经CASAS管理委员会投票获得通过，2022年11月21日正式立项，并分配标准编号：T/CASAS 027。
由中国电子科技集团第十三研究所、河北博威集成电路有限公司、北京国联万众半导体科技有限公司、中兴通讯股份有限公司、西安电子科技大学、河北北芯半导体科技有限公司联合提出的《Sub-6GHz GaN 射频产品可靠性筛选和验收方法》和《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》团体标准提案，经CASAS管理委员会投票获得通过，2022年11月21日正式立项，并分配标准编号：T/CASAS 028、T/CASAS 029。
由中国电子科技集团第五十五研究所、中兴通讯股份有限公司、苏州能讯高能半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中国科学院半导体研究所、西安电子科技大学、清华大学、北京大学、中国电子科技集团第十三研究所联合提出的《GaN毫米波前端芯片测试方法》团体标准提案，经CASAS管理委员会投票获得通过，2022年11月21日正式立项，并分配标准编号：T/CASAS 030。
由中兴通讯股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、中国电子科技集团第五十五研究所、苏州能讯高能半导体有限公司、厦门市三安集成电路有限公司、中国科学院半导体研究所、西安电子科技大学、清华大学、北京大学联合提出的《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》团体标准提案，经CASAS管理委员会投票获得通过，2022年11月21日正式立项，并分配标准编号：T/CASAS 031。
秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知，组建标准起草小组，请CASAS正式成员关注秘书处邮件（casas@casa-china.cn）。
T/CASAS 027—20XX《射频GaN HEMT结构的迁移率非接触霍尔测量方法》规定了射频GaN HEMT结构的迁移率非接触Hall测量方法，适用于迁移率量测范围在100 cm2/V•s ~ 3000 cm2/V•s 的射频GaN HEMT 外延片。
T/CASAS 028—20XX《Sub-6GHz GaN 射频产品可靠性筛选和验收方法》适用于Sub-6GHz GaN 射频器件的筛选、测试与验收要求。
T/CASAS 029—20XX《Sub-6GHz GaN 射频器件微波特性测试方法》规定了Sub-6GHz GaN 射频器件的详细测试要求，该项标准对研发生产、性能评估、量产测试和应用评价等具有重要指导意义。
T/CASAS 030—20XX《GaN毫米波前端芯片测试方法》规定了GaN 毫米波前端模块的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，该标准借鉴了GJB 548B－2005（微电子器件试验方法和程序）等国标的内容，并结合了近几年科研人员在毫米波氮化镓前端模块领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对毫米波氮化镓前端模块性能指标的测试方法进行了详细的规定，包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测试工具及仪表等。
T/CASAS 031—20XX《面向5G基站应用的Sub-6GHz氮化镓功放模块测试方法》文件规定了氮化镓功放模块的术语、定义、测试条件、测试要求和测试方法，该项标准借鉴了3GPP TS 37.104 V16.5.0 等国标的内容，并结合了近几年科研人员在氮化镓功放领域的研发、测试评估以及应用方面的经验总结，对氮化镓功放性能指标的测试方法进行了详细的规定，包括且不限于测试目的、测试环境、测试方法及步骤、测试工具及仪表等。
