由山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、杭州海乾半导体有限公司、中电化合物半导体有限公司、泰科天润半导体科技(北京)有限公司联合提出的《碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导法》和《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》团体标准提案，经CASAS管理委员会投票获得通过，2022年11月21日正式立项，并分配标准编号：T/CASAS 026、T/CASAS 032。
秘书处将向CASAS正式成员发出征集起草单位的通知，组建标准起草小组，请CASAS正式成员关注秘书处邮件（casas@casa-china.cn）。T/CASAS 026—20XX《碳化硅少数载流子寿命测定 微波光电导法》规定了用微波光电导法测定碳化硅少数载流子寿命的方法。标准适用于4~12 英寸碳化硅衬底片和碳化硅外延片。同时也适用于少数载流子寿命为20 ns~1 ms 的碳化硅晶片。
T/CASAS 032—20XX《碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法》规定了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。该标准适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、钨、金、汞元素含量的测定，测定范围为108 cm-2~1012 cm-2。适用于4~8 英寸碳化硅晶片，甚至更大尺寸的晶片。同时也适用于碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕量金属元素含量的测定。
(来源：第三代半导体产业技术战略联盟)
