半导体产业网获悉：11月15日，在第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议暨首届第三代半导体徐州金龙湖峰会上，天科合达现场发布8英寸导电碳化硅衬底晶片。
8英寸导电碳化硅衬底晶片由北京天科合达半导体股份有限公司生产，主要应用新能源汽车、光伏等领域。该公司副总经理、技术总监刘春俊介绍，在碳化硅器件各环节中，衬底占成本的近50%。衬底尺寸越大，单位衬底可制造的芯片数量越多，单位芯片成本越低，8英寸衬底晶片产品比6英寸产品可多切近90%的芯片，边缘浪费降低7%。
天科合达8英寸新产品发布会得到了第三代半导体行业的广泛关注。作为碳化硅衬底国内的龙头企业，天科合达不断突破大尺寸、高质量碳化硅的关键制备技术，引领了国内碳化硅衬底的产业化。天科合达副总经理、技术总监刘春俊在会议上公布了8英寸产品的关键实测数据。根据刘春俊博士的报告，天科合达8英寸导电型碳化硅产品的多项指标均处于行业内领先水平，已经达到了量产标准。并且，透露了将8英寸的小规模量产定在2023年。
天科合达这次发布的产品主要指标如下：
1）碳化硅晶锭直径达到209毫米；
2）拉曼光谱测试数据表明，8英寸碳化硅晶片100%面积为4H晶型；
3）XRD三点摇摆曲线数据表明，半高宽小于20arcsec；
4）8英寸产品微管密度＜0.1/cm2，仅在晶片边缘存在极少量微管缺陷；
5）8英寸位错密度 EPD＜4000/cm2,TSD能达到100/cm2以下，BPD能达到200/cm2以下，位错密度整体处于国际领先水平。
徐州经开区坚持把半导体产业作为重点发展的战略性新兴产业之一，近年来实现此前国内空白的鑫华电子级多晶硅、鑫晶12英寸大硅片通线量产，中科智芯晶圆级先进封装、晶凯存储芯片封装模组等一批重大项目成功落地。今年前10个月，该产业实现产值87亿元、同比增长52%。徐州市委常委、经开区党工委书记张克表示，经开区将加快推进天科合达二期年产16万片碳化硅衬底晶片以及三期100万片外延片、华盛盈科碳化硅封测及模组等项目，支持中科汉韵碳化硅功率器件达产达效，全力构建衬底、外延片、器件、封测等较为完备的第三代半导体产业链。
