2022年11月10日，由东南大学牵头起草的《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》技术报告形成委员会草案，本文件主要起草单位有：东南大学、浙江大学、南方科技大学、西安电子科技大学、大连理工大学、英诺赛科（珠海）科技有限公司、西交利物浦大学、工业和信息化部电子第五研究所、无锡芯朋微电子股份有限公司、江苏能华微电子科技发展有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟。
作为第三代半导体器件的重要代表，氮化镓（GaN）功率器件凭借优异的材料性能，在高频、高效、高功率密度的电力电子变换领域（如数据中心、新能源汽车、分布式支电、各类消费电子等）具有十分广阔的应用前景和市场机遇。然而，受器件表面陷阱及缓冲层陷阱的影响，目前主流的GaN器件仍然面临着高压开关过程中的动态电阻退化问題，这为基于GaN器件的电力电子变换器设计和损耗估算带来了不确定性。
本报告梳理了GaN HEMT动态电阻上升的产生机理，分析了相关影响因素；汇总了动态电阻测试电路；希望通过本报告的编写，器件制造商和器件应用工程师可对动态电阻的机理及测试有更加深入的了解，并能在此基础上结合产业应用进展进一步讨论，发掘出更多更详尽、完善的技术解决方案，形成更多的产业共识，从而帮助正确评估动态电阻引起的系统性能和可靠性问题。
T/CASAS/TR 003—202X《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》包含以下内容：a造成动态电阻的机理解释汇总；b造成动态电阻的影响因素汇总；c动态电阻测试电路汇总。通过本报告，器件制造商和器件应用工程师可对动态电阻的机理及测试有更加深入的了解，从而帮助其解决动态电阻引起的系统可靠性问题。
（来源：第三代半导体产业技术战略联盟）
