华微电子：积极布局以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体器件技术

华微电子近日在回答投资者提问时表示，公司积极布局以SiC和GaN为代表的宽禁带半导体器件技术，具备推动产业向智能化转型升级的技术研发能力与产品国产化替代能力。目前已完成650V-1200V、5A-40ASiC SBD产品开发，在快充、光伏、大功率电源领域开始示范性应用；同时推出65W快充用650VGaN器件，产品效率与国际水平相当。