IFWS 2022前瞻：化合物半导体激光器技术

2022年11月7-10日， 一年一度行业盛会，第八届国际第三代半导体论坛（IFWS 2022）&第十九届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2022）将于苏州国际博览中心召开。其中，化合物半导体激光器技术分会作为重要分论坛，目前已经确认最新报告嘉宾正式出炉！

半导体激光器是以半导体材料为增益介质的激光器，依靠半导体能带间的跃迁发光，通常以天然解理面为谐振腔。因此其具有波长覆盖面广、体积小、结构稳定、抗辐射能力强、泵浦方式多样、成品率高、可靠性好、易高速调制等优势。新物理、新概念以及新技术与半导体激光器的融合，为其发展注入了新鲜的血液，通过与光学、电磁学、微电子学、拓扑学以及量子力学的交叉渗透，催生出了许多新体制激光器，它们或者有大规模的集成应用前景，或者有优秀的光束和光谱质量，或者有更高更稳定的输出功率，或者有更小的体积和突破衍射极限的光斑，或者便于调制和倍频，或者具有让人兴奋的微小功耗。其中，半导体激光器在光纤通信领域的发展潜力巨大。得益于半导体激光器成本低、功耗低的优势，目前其已在光纤通信网络领域被广泛地应用。

作为IFWS&SSLCHINA2022重要分会，特邀中科院半导体所研究员曾一平，厦门大学电子科学与技术学院副院长、教授张保平，老鹰半导体副总裁、首席科学家莫庆伟，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员刘建平，云南锗业公司首席科学家、中科院半导体所研究员惠峰等业内知名专家共同召集。

目前已经确认有来自：波兰高压物理研究所、日本名城大学、河南仕佳光子科技股份有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所、苏州长光华芯光电技术有限公司等知名企业专家代表共同参与，就化合物半导体激光器技术分享主题报告。

目前初步确认报告嘉宾如下：(仍有部分嘉宾报告正在确认中)

·New devices based on blue laser diodes: SWOT analysis.

Mike LESZCZYNSKI--波兰高压物理研究所研究员

·Status and Prospects of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers

Tetsuya TAKEUCHI--日本名城大学教授

·激光雷达用大功率 GaAs VCSEL 激光芯片

王 俊--苏州长光华芯光电技术有限公司副董事长、首席技术官

·VCSEL先进封装技术进展及应用

林胜--宁波升谱光电股份有限公司副总经理

·激光雷达用的1550nm磷化铟半导体激光器

黄永光--河南仕佳光子科技股份有限公司有源产品技术总监,中科院半导体所研究员

·氮化镓基激光器和超辐射管研究进展

刘建平--中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件研究部 研究员

·高强度应变多量子阱磷化铟激光二极管的应变相关退化研究

房玉龙--中电科十三所基础研究部主任

·GaN基微腔激光器的制备

梅洋--厦门大学助理教授

部分嘉宾简介

张保平，厦门大学电子科学与技术学院副院长、教授。主要在理化学研究所和夏普公司进行半导体材料的外延生长、检测与器件研制。2006年加入厦门大学，任闽江学者特聘教授至今。主持国家863项目，国家重点研发计划项目，基金委重点和面上项目，科工局基础科学挑战专题等。目前主要进行第三代半导体GaN材料与器件研究，研制了高品质GaN谐振腔，率领团队在大陆唯一报道了GaN半导体VCSEL，在国际上首次实现绿光波段和UVC波段VCSEL，以及InGaN量子阱激子极化激元激射。2014~2021年连续入选爱思唯尔（Elsevier）社发布的中国高被引学者榜单。任“Semiconductor Science and Technology”执行编辑，“Nano-Micro Letters”《发光学报》《人工晶体学报》等编委。

王俊，苏州长光华芯光电技术有限公司副董事长、首席技术官

 王俊，苏州长光华芯光电技术有限公司副董事长、首席技术官。王俊博士有二十多年的高功率半导体激光器行业经验，是全球高功率半导体激光器材料生长和器件认知专家。1989年，王俊从中国科学院硕士毕业后，自费留学加拿大攻读光电子工程专业博士，后供职于美国顶尖公司研发半导体激光器。机缘巧合下，王俊了解到国内同一领域的状况后，他希望借助自己的技术力量，改变祖国激光领域“有器无芯”的历史。他毅然放弃外国国籍回国效力，加入长光华芯，短短几年，王俊带领团队开展高功率半导体激光器研发及产业化工作，实现国家战略高技术及民用领域的技术突破，解决我国高功率半导体激光器“有器无芯”的局面，打破国外的技术封锁。王俊先后获国家重大人才工程、江苏省“双创团队”领军人才、苏州时代新人等荣誉。2021年获得吴文俊人工智能科学技术奖二等奖，2022年获得江苏省科学技术一等奖。

莫庆伟，老鹰半导体副总裁、首席科学家。长期致力于半导体发光材料与芯片器件的研究和产业化近20年。现任浙江老鹰半导体技术有限公司首席科学家，带领团队实现大功率光电子器件技术的突破，荣获Global Frost & Sullivan Award for Technology Innovation、Daimler Special Award for Innovation等奖项。  

Mike LESZCZYNSKI，波兰高压物理研究所研究员，波兰高压物理研究所教授，半导体微结构实验室主任。TopGaN Lasers副总裁，该公司是为Quantum Tech制造激光二极管的衍生公司。波兰水晶生长学会主席。欧洲水晶生长网络执行委员会成员。发表了约450篇关于半导体的论文，被引用约 7500 次（H factor 43）。 

Tetsuya TAKEUCHI，日本名城大学教授，1999年获得了明珠大学的博士学位。在为一些公司工作之后，他于2010年再次加入明珠大学，担任副教授，2015年担任教授。他一直参与III-V化合物半导体的外延生长以及LED、隧道结和VCSEL的设计/制造。

林胜，高级工程师，宁波升谱光电股份有限公司副总经理。1996年毕业于浙江大学光仪专业，多年来一直专注于LED封装及应用产品的技术开发和制造。作为项目负责人，承担多项国家863计划半导体照明工程课题，申请和获得20多项专利技术，多次荣获浙江省和宁波市科技进步奖。

黄永光，博士，中国科学院半导体研究所副研究员，河南仕佳光子科技股份有限公司有源产品技术总监，中国科学院大学研究生导师。目前主要从事半导体激光器研究与产品化工作。参与完成973课题1项、中科院研发项目1项，作为负责人主持了国家自然科学基金、北京市自然科学基金和科技部863项目子课题等各1项，近年来发表论文10余篇，目前主要关注高速半导体激光器芯片的研发与应用。主要研究领域方向：1）通信技术中的高速半导体激光器及其产业化技术研究；2）超短脉冲微细加工技术及其在新型光电器件中的应用。

刘建平，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件研究部研究员。2006年至2010年，在美国佐治亚理工学院电子与计算机工程系从事GaN基激光器、LED、HEMT研究，合作教授为美国工程院院士、MOCVD技术的先驱者之一Russell Dupuis教授。2010年5月加入中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，主要从事GaN基光电子材料与器件研究。在佐治亚理工学院工作期间，研制出高质量的GaN基激光器，阈值电流密度、内量子效率等指标达到国际先进水平（分别为2.5 kA/cm2、92%），研究成果在第15届国际MOCVD会议上宣讲，并被Semiconductor Today 专题报道。加入中科院苏州纳米所后，继续从事GaN基激光器研究工作，目前已研制出斜率效率达1.4W/A（外量子效率50%）的蓝光激光器。在国际上首次实现了非极性A面GaN衬底上蓝光LED的电注入发光。在国际上较早开展了C面GaN基LED的空穴注入与发光特性的关系研究，发现由于空穴注入的限制，实际上只有最靠近p-GaN的一个量子阱发光，并采用新型多量子结构成功地改善了空穴注入，实现了多量子阱发光。在国际上较早开展了InGaN/AlInGaN多量子阱LED和激光器的研究，提高了LED和激光器的内量子效率。已在国际刊物Applied Physics Letters、Journal of Crystal Growth等上发表SCI收录论文37篇，影响因子在3.0以上的10篇。SCI论文被引次数为250次以上。

房玉龙，中国电子科技集团公司第十三研究所研究员。一直深耕SiC、GaN、GaAs、InP等化合物半导体材料领域，带领团队在射频、光电子、电力电子材料等方向突破多项关键技术，多项成果处于国际领先水平，有力支撑了多项重大装备发展和5G、电力电子、光通讯等民品产业化。先后荣获省部级科技进步奖、中国电科杰出青年、三代半联盟卓越青年等荣誉。

梅洋，厦门大学助理教授，2014年本科毕业于中国地质大学（武汉）电子信息工程专业，2020年博士毕业于厦门大学电子科学与技术专业，2017年至2019年赴东京大学联合培养。9月加盟厦门大学微电子与集成电路系。主要从事半导体激光器、面发射激光器、GaN基发光器件、激子极化激元器件等方面研究。其使用InGaN量子点有源区制备出了世界上首支绿光面发射激光器，发光波长覆盖“green gap”。研究生期间，曾获博士研究生国家奖学金、唐立新奖学金、光华奖学金。近几年，以第一作者在Light：Science & Application、Applied Physics Letter、Semiconductor Science and Technology等国际高水平期刊上发表多篇学术论文。 

更多论坛信息：

会议时间：2022年11月7日-10日

会议地点：中国 - 苏州 - 苏州国际博览中心G馆

日程安排

注册权益收费表

备注：＊中关村半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）或第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）成员单位在此基础上再享受10%优惠。

＊学生参会需提交相关证件。

＊会议现场报到注册不享受各种优惠政策。

＊IFWS相关会议包括：开幕大会、碳化硅衬底材料生长与加工、射频电子材料与器件、碳化硅功率电子材料与器件、氮化物衬底材料生长与同质外延、超宽禁带半导体材料与器件、固态紫外材料与器件、Mini/Micro LED及其他新型显示技术、闭幕大会。

＊SSLCHINA相关会议包括：开幕大会、固态紫外材料与器件、半导体照明材料与封装模组、Mini/Micro LED及其他新型显示技术、生物农业光照技术、半导体激光器与光通信、教育照明与健康光环境、光医疗与健康、闭幕大会。

*产业峰会包括：生物农业光照技术与产业应用峰会、生物农业光照技术与产业应用峰会、车用半导体创新合作峰会、UV LED创新应用、Mini/Micro-LED技术产业应用峰会。

＊若由于某些原因，您缴费后无法参会，可办理退款事宜，组委会将扣除一定的退款手续费。

＊自助餐包含：11月9日午餐和晚餐、10日午餐。

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