半导体产业网获悉：近日，清纯半导体1200V 75 mΩ SiC MOSFET成功通过国内第三方可靠性验证，荣获全套AEC-Q101车规级认证并通过高压960V H3TRB （HV-H3TRB）可靠性考核。据悉，清纯半导体是国内首次SiC MOSFET产品能够同时通过AEC-Q101车规认证和HV-H3TRB双重考核的公开报道。
清纯半导体以提供国际一流的碳化硅（SiC）功率器件为己任，努力满足新能源汽车及光伏等领域对高性能、高可靠性的产品需求。自公司成立以来，通过具有自主知识产权的独到技术持续优化SiC器件各方面性能，致力于打造对标国际领先水平的系列产品。
AEC-Q101是汽车行业最为重要的的国际标准之一，是国际汽车行业通用的技术规范，是汽车电子必须获得的认证之一。对于1200V耐压器件，其在高压高湿高温反偏（HTRB）考核标准中耐压通常为100V；而在HV-H3TRB考核中耐压提高到960V，因而对器件的设计、制造及封装技术提出了极高的挑战。通过了HV-H3TRB可靠性验证极大程度上代表功率器件在极端运行环境下的优良耐受能力及使用寿命，因而其逐渐成为各大主流汽车及光伏储能厂家对高可靠性功率器件的通用要求。
清纯半导体表示，此次通过该车规可靠性认证，标志着产品质量迈入了国际领先水平，为公司在新能源汽车及光伏领域等市场的拓展奠定了坚实基础，是继成功量产不同规格SiC MOSFETs（例如国内领先的15V驱动SiC MOSFETs和国内最低导通电阻的14毫欧SiC MOSFET）之后又一“里程碑”事件。我司将以此为契机，脚踏实地，锐意进取，不断提升产品性能，为我国节能减排和新能源事业的发展贡献自己的力量。
