T/CASAS/TR 003—202X《分立GaN HEMT功率器件动态电阻评估》包含以下内容：a造成动态电阻的机理解释汇总；b造成动态电阻的影响因素汇总；c动态电阻测试电路汇总。通过本报告，器件制造商和器件应用工程师可对动态电阻的机理及测试有更加深入的了解，从而帮助其解决动态电阻引起的系统可靠性问题。
“智能功率集成芯片与系统”创新团队来自东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，团队负责人为东南大学首席教授孙伟锋教授，团队由教师9名，博士后2名、博士生及硕士生若干名组成。团队专注于功率半导体技术研究，主要包括：功率半导体器件设计、功率集成工艺开发、功率半导体器件模型开发、高压电路设计、相关功率可靠性研究、功率开关电源、开关磁阻电机驱动器，此外在工业控制等综合应用系统方面也进行了相关产品的研发工作。团队研究成果获国家技术发明二等奖、教育部技术发明一等奖、江苏省科学技术进步一等奖等省部级奖项，发表IEEE期刊论文，ISPSD和ISSCC会议论文等共计200余篇，获国内外发明专利100多项。
本文件主要起草单位：东南大学、浙江大学、南方科技大学、西安电子科技大学、大连理工大学、英诺赛科（珠海）科技有限公司、西交利物浦大学、工业和信息化部电子第五研究所、无锡芯朋微电子股份有限公司、江苏能华微电子科技发展有限公司……
本文件主要起草人：李胜、董泽政、汪青、李祥东、黄火林、银杉、刘雯、贺致远、王钦、宋亮……
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