天岳先进：已自主研发出2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术

 近日，天岳先进在回答投资者提问时表示，公司自成立以来，专注于碳化硅衬底的制备技术，经过十余年的技术发展，已自主研发出2-6英寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术，系统地掌握了碳化硅单晶设备的设计和制造技术、热场仿真设计技术、高纯度碳化硅粉料合成技术、不同尺寸碳化硅单晶生长的缺陷控制和电学性能控制技术、不同尺寸碳化硅衬底的切割、研磨、抛光和清洗等关键技术。