然而，近年来氮化镓却凭借着其高频高效的性能一次次在新应用上实现突破，刷新大众认知。
从单点突破到应用升级
作为第三代半导体材料的杰出代表，氮化镓功率芯片能够使充电器具备充电效率高、散热快、体积小巧等明显优势，近两年来在快充赛道上的火爆程度不言而喻。各智能手机厂商疯狂“内卷”，“秒充”、“极速充”、“闪充”等技术相继涌现，并成为各大品牌厂商的核心卖点之一。随着快充应用的渗透，氮化镓在其他领域中也逐渐崭露头角。
不久前，安克联合英诺赛科和南芯独家首发全氮化镓技术，应用在安克最新的GaN Prime?家族产品的充电器上。这项技术首次在AC和DC端同时采用了英诺赛科功率芯片，充分利用氮化镓高频高效的优势，使产品的系统功率密度和效率达到全新高度。
如今，氮化镓材料已不仅仅应用于消费电子电源适配器领域，日前这一产品亦在手机端在加速渗透。
今年7月，在realme发布会上， realme副总裁徐起向大众展示了全球首个内置GaN充电保护的手机——真我GT2大师探索版，创新性地将英诺赛科氮化镓芯片引入手机端，大大节省手机内部空间，降低发热峰值，使手机在充电过程中更高效，更安全。此前，Oppo 闪充之父张家亮也在插拔大会UFCS技术研讨会上全面展示了英诺赛科的这一氮化镓芯片。
“氮化镓已经在消费类领域充分显示出发展潜力，不过这也仅仅是一个开始。”英诺赛科首席营销官冯雷博士此前在接受媒体采访时如是说。
不止于快充，英诺赛科氮化镓率先突围
据英诺赛科总监蔡定辉介绍，采用英诺赛科氮化镓器件的LED电源已经成功在客户端实现量产， 其中包含60W、120W 和 150W LED 电源。以120W的LED 驱动电源为例，与传统的Si 方案相比，采用GaN方案能够使LED电源开关频率提升1.5倍以上，体积缩小50%，效率提升超过1%。创新氮化镓方案有望引领LED驱动电源行业升级换代，助力全球碳达峰。
而在车载激光雷达应用上，英诺赛科也与超过5家激光雷达厂商深入合作，并实现大规模量产。据英诺赛科首席营销官冯雷博士表示， GaN是激光雷达的刚需，Si和SiC都没办法解决它快速开关的要求。激光雷达是GaN进入汽车领域的第一个应用场景。
并且有行业指出，GaN的性能优点有助于将车载电池充电器的尺寸缩小25%，将牵引逆变器的功率损耗减少70%以上，同时以更轻巧的DC-DC转换器将功率转换损耗减半。在较低的渗透水平上，汽车DC-DC转换器和OBC将成为预测期内下一波增长点。据悉，英诺赛科(珠海)公司已经在2021年通过了IATF16949认证，并在国内和韩国都跟大型Tier 1客户有联合研发项目。
“基于GaN开发下一代数据中心供电系统是大势所趋。” 在8月17日的IIC 国际集成电路展览会暨研讨会上，英诺赛科产品开发部高级总监黄勇表示，“英诺赛科能够提供全链路GaN解决方案，涵盖AC-DC(PFC)、DC-DC(400V-48V)、DC-DC(48V-12V)、DC-DC(12V-1V)，实现更高的效率、更高功率密度、更高的动态响应。
据介绍，数据中心从前端到DC/DC到芯片的供电架构采用全链路氮化镓方案，预计可将整体效率提升5%。如果2030年数据中心的能耗是3万亿千瓦时，5%的提升相当于节省了1.5个三峡电站的电能，无论从经济效应还是碳中和、碳达峰的社会可持续发展而言，都有巨大的价值。
机遇与挑战并存，共建氮化镓生态的时机已来
随着应用领域的不断扩展，氮化镓在智能手机、笔记本、数据中心、无人机、新能源汽车、电网、储能等众多新兴领域都将带来革命性的解决方案。但机遇与挑战并存，目前氮化镓在快充等领域，已经证明了它的巨大优势，但还远未完全释放潜力。更进一步发挥氮化镓的优势，需要包括驱动、控制器、磁性元件、封装等上下游产业生态链的协作，团结合作才能共赢。
英诺赛科作为全球领先的氮化镓IDM企业，始终致力于产业协同发展，对内持续以技术创新为源动力，坚持全球化布局战略，向更高功率应用市场扩张。对外正积极与GaN产业链上下游厂商联合，以把握好数字化的浪潮，协同攻关GaN产业难题，推动GaN渗透更多应用市场，赋能绿色转型，助力低碳发展。
英诺赛科拥有全球领先的8英寸氮化镓制造工艺，能够为客户提供30V-650V的高、低压氮化镓芯片和全氮化镓解决方案，截至目前，英诺赛科已经实现超过一亿颗氮化镓芯片的出货量，有望在今年实现全球出货量第一。英诺赛科也正积极与从消费到工业到汽车等方向的全球主流应用厂商展开合作，希望给产业发展带来新的思路和突破。
