以碳化硅、氮化镓、砷化镓和磷化铟为代表的化合物半导体材料，相比第一代单质半导体，在高频性能、高温性能方面优异很多，发展前景广阔。其中，以GaN、SiC为代表的半导体材料由于具备禁带宽度大、临界电场高、电子饱和速率高等优势，被广泛应用到汽车电力电子、5G射频、光通信和探测器等领域。
随着化合物半导体器件的日益普及和广泛应用，化合物半导体封装和模块将向着低损耗、低感量、高功率密度、高散热性能、高集成度、多功能等方向发展，未来将衍生出与硅基封装技术和产品形式不同的发展路线，先进封装材料、可靠性技术都在不断的发展提升。
封装是功率半导体产业链中不可或缺的一环，主要起着安放、固定、密封、保护芯片，以及确保电路性能和热性能等作用。采用合理的封装结构、合适的封装材料，以及先进的封装工艺技术，可以获得良好的散热性能，确保高电压、大电流的功率器件的正常使用，并能在工作环境下稳定可靠地工作。此外，封装对于功率器件乃至整个系统的小型化、高度集成化及多功能化起着关键的作用。为了提高功率半导体器件的性能，必然会对封装提出更高的要求。
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时间 |
议题 |
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（紧急延期，后续待定） |
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09:00-09:55 |
签到 |
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09:55-10:00 |
嘉宾致辞 |
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10:00-10:20 |
化合物半导体功率器件及封装技术现在及应用分析 |
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10:20-10:40 |
内绝缘TO-220封装碳化硅肖特基二级管技术 |
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10:40-11:00 |
氮化镓微波功率器件的研究与应用 |
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11:00-11:20 |
单双面银烧结技术在SIC功率模块封装中的应用 |
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11:20-11:40 |
GaN高电子迁移率晶体管技术 |
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11:40-12:00 |
SiC MOSFET结温检测方法研究 |
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12:00-13:30 |
展区参观、交流，午餐 |
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13:30-13:50 |
VCSEL器件技术进展及其在数据中心与汽车激光雷达中的应用 |
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13:50-14:10 |
高压功率器件封装绝缘问题及面临的调整 |
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14:10-14:30 |
万伏级4H-SiC基IGBT器件技术 |
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14:30-14:50 |
第三代半导体装备：从器件制造到性能表征 |
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14:50-15:10 |
高可靠性功率系统集成的发展和挑战 |
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15:10-15:30 |
第三代半导体器件封装用陶瓷基板技术研发与产业化 |
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15:30-15:50 |
车规级功率器件先进封装材料及可靠性优化设计 |
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15:50-16:10 |
用于功率器件的关键设备技术/等离子去胶设备技术 |
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（紧急延期，后续待定） |
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10:00-10:20 |
先进GaAs/InP半导体激光器及封装（TBD） |
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10:20-10:40 |
半导体设备技术国产化 |
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10:40-11:00 |
用于新能源汽车的先进功率器件的挑战与优化思路 博世/芯聚能/比亚迪/派恩杰 |
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11:00-11:20 |
面向宽禁带半导体器件的高空间/时间分辨率晶圆级热表征技术进展 |
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11:20-11:40 |
8寸硅基氮化镓功率器件产业化进展 |
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11:40-12:00 |
第三代半导体功率器件可靠性测试方法和实现 |
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