根据环评报告表，国联万众碳化硅高压功率模块关键技术研发项目，为第三代半导体材料及应用联合创新基地扩建项目，总投资额31302.34万元，用地3000平方米，主要研发 3300VMOSFET 芯片及3300V 高压功率模块封装技术，预计将于2023年1月开工，建设周期为五年。
目前，该公司第三代半导体材料及应用联合创新基地项目（一期）为在建项目，主要进行第三代半导体材料研发及制造生产、第三代半导体材料及器件的生产。
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近日，北京国联万众半导体科技有限公司（以下简称“国联万众”）公示碳化硅高压功率模块关键技术研发项目环评报告表。
国联万众成立于2015年3月，注册资金12978万元，由中国电子科技集团公司第十三研究所控股，中国电子科技集团公司、北京市投资公司、顺义区投资公司、骨干团队合伙制平台等股东参股。公司主营业务为第三代半导体氮化镓/碳化硅芯片、器件，其中氮化镓射频功放芯片已成为埃赋隆（Ampleon）供应商；公司研发生产的碳化硅电力电子二极管产品已投入市场；MOSFET已开发出产品，正在为格力、比亚迪等公司提供产品试用。
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