国基南方在国内率先建立起第三代半导体碳化硅自主体系，形成了覆盖碳化硅材料、设计、制造、封测的完整技术布局，已经成为功率电子器件领域知名企业。碳化硅MOSFET在新能源汽车、新能源发电、服务器电源、电网输变电等领域规模应用，数千万只配套量有力保障了产业自主可控。形成了一流创新平台，宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室高水平运行，作为依托单位建设的国家第三代半导体技术创新中心（南京）正快速推进实体化运行，2021年SiC MOSFET产品入选国资委十大国有企业数字技术成果。打造了一流人才团队，多次荣获国防科技进步奖等重大奖项。国基南方将面向广阔市场前景继续加快碳化硅领域进步。
率先进军布局
不断实现碳化硅技术创新突破
国基南方始终紧盯国际技术前沿，瞄准碳化硅器件的高击穿电压、高功率密度、高效率、高工作温度等特殊优势和应用前景，以打造碳化硅原创技术“策源地”为目标，在国内率先开展研究工作。坚持对标世界一流技术水平，紧密对接国家及上级战略规划，近年来得到了国家科技部、工信部以及中国电科等大力支持，“新能源汽车用SiC MOSFET 芯片和模块关键技术攻关及产业化项目”入围2022年江苏省工业和信息产业转型升级专项支持，研究成果获得多项省部级奖项，保持了该领域的技术领先地位。
率先实现批量应用
在满足装备建设及国民经济急需中发挥积极作用
碳化硅器件是新型国防装备、新能源汽车、高速列车、能源互联网等急需的关键器件。为了实现器件尽快量产，2018年国基南方在国内率先建立6英寸碳化硅器件工艺平台，同时发挥牵引作用，带动了国内碳化硅行业上下游产业链的进步。
基于自主可控的工艺平台，近年来，国基南方陆续发布650V-1700V SiC SBD产品，在国内首次实现工程化应用，在充电桩、服务器电源等领域获得大批量使用。2020年国内率先实现6英寸650V-1700V SiC MOSFET量产，同年国内首次实现国产1200V SiC MOSFET批量上车应用，6.5kV-20kV高压SiC MOSFET和 SiC IGBT研制水平国际先进。2022年650V-1200V SiC MOSFET量产，新产品优异的性能得到了用户的肯定，满足60万辆车载应用需求。碳化硅系列产品在新能源汽车、新能源发电、服务器电源、电网输变电等领域实现规模应用，已发展成为国基南方新的业务增长极。
在服务国民经济的同时，国基南方始终牢记强军兴军责任，聚焦雷达电源、船舶动力、机载电源、特种车辆控制器、辐射探测等领域，与重点军工单位深化合作，SiC MOSFET和SBD完成验证，有力保障重点装备配套需求。
率先建成一流创新平台
集聚创新资源发挥牵引作用
为了更好集聚创新资源，作为依托单位，2015年宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室获批成立，这是国内该领域唯一的国家级重点实验室。作为建设主体，2021年国家第三代半导体技术创新中心（南京）挂牌成立，为该领域更好推动该领域技术发展提供了有力支撑。
国家第三代半导体技术创新中心（南京）正加快建设。目前，厂房改造、工艺设备等各项工作均按期推进，将进一步提升创新中心的核心竞争力，目标建成一流的研发中试平台和科技服务共享平台，实现综合性创新产业技术输出。
率先打造一流人才团队
建成国内行业人才中心
科技竞争的本质是人才竞争。国基南方碳化硅技术产品快速发展过程中，打造了一支由中国电科首席专家挂帅，高学历、年轻化，能打敢拼、富有创新精神的人才团队。团队骨干获得江苏省“333”高层次人才计划、集团公司杰出青年等荣誉。
近年来，随着低碳经济、高效能源发展，国家出台新基建、双碳等宏观战略，积极推进绿色经济发展，新能源发电、电动汽车，轨道交通，智能电网等新兴市场蓬勃发展，碳化硅器件有很大的市场前景。国基南方将把握市场机遇，坚持创新驱动、规模发展、产融结合的道路，进一步提升碳化硅器件核心制造能力，构建碳化硅领域自主可控产业生态。
