除了次世代感测元件，台亚2021年开始筹建积亚半导体（Pro-Asia Semiconductor Corporation）专注开发以碳化硅（SiC）衬底的高功率元件。今年更进一步规划下半年扩大台亚现有厂房洁净室区域，投入氮化镓（GaN）磊晶及元件的研发及生产，预计于2023年前提供样品供合作客户进行验证。
台亚新任总经理衣冠君表示，台亚过去在磊晶及分离器件制造技术上已有相当深厚的基础，将扩大加强与上游IC设计公司及下游封测及产品的合作，将可于短时间内制作出高电子迁移率晶体管（Power HEMT）样品，提供给客户进行验证。
台亚将以氮化镓为基础的第三代半导体的功率器件作为主要产品，其相对于硅基的元件可以耐更高的电压，比起碳化硅的元件能有有更低的功耗，未来将结合氮化镓与碳化硅，发展出高频高效的射频器件及模块。
台亚新总经理衣冠君曾任半导体设备大厂科林研发资深总监、德州仪器、茂德、茂硅等半导体公司，拥有超过20年丰富半导体制造厂管理经验。台亚半导体公司自2019年由光磊科技更名以后，持续推动产品由光电朝向硅电多元化发展。
而为应对市场需求成长，台亚于今年将投入8亿元新台币扩产高阶产品，包括高性能光耦元件、长波长VCSEL/LED、与长波长PD等，新产能自今年上半年开始拉升。
而在23日股东会会后衣冠君总经理受访时更进一步揭露，台亚在于第三代半导体的时程规划与目标，未来将持续采稳健的投资以支持第三代半导体研发及应用，争取在全球众多竞争者中脱颖而出。（来源：工商时报）
