半导体产业网获悉，近日，美国MOCVD设备厂商Veeco 宣布，中国台湾半导体研究所（TSRI、Narlabs）已选择Veeco的Propel? R&D metal Organic Chemical Vapor Deposition（MOCVD）设备，用于以氮化镓（GaN）为基础的功率和射频器件相关的前沿开发和协作。
据官方介绍，Veeco的Propel? GaN MOCVD系统专为功率半导体和射频应用设计，配置了一个单晶圆反应器平台，能够沉积高质量GaN膜，用于生产高效功率器件和射频器件。
单晶圆反应器是基于Veeco的Turbo Disc?技术，包括Iso Flange?和Symm Heat?突破性技术，能够帮助实现整个晶圆的均质层流及一致的温度曲线，它是大批量生产和300mm功能以及研发应用的理想选择。
