博士后、专职研究系列人员
二、专业领域：
1、 GaN基宽禁带半导体薄膜和异质结构的外延生长和应力/缺陷控制
2、 GaN基半导体中杂质缺陷和输运性质；
3. GaN基功率电子/射频电子器件与器件物理；
4、 AlN基宽带高频滤波器材料与器件；
5. GaN基宽禁带半导体材料与二维材料、C基材料交叉研究
三、岗位要求：
1、具有半导体物理学、材料学、微电子学等相关专业博士学位；
2、具有MOCVD外延生长经验、二维材料制备经验者优先考虑；
3、具有扎实的专业知识和实验技能，在国际学术刊物上发表过论文；
4、具有较强的团队合作意识、责任心和独立开展工作的能力 ；
5、协助推进重大项目研究进展，申请和承担相关领域科研项目
四、薪酬福利待遇：
1、博士后待遇参照北京大学博士后相关工资和奖金标准，外加课题组绩效奖励，优秀者推荐申请北京大学博雅博士后；专职研究人员薪酬待遇参照北京大学相关规定执行，外加课题组绩效奖励。
2、符合政策的博士后和专职研究人员可享受北京市户籍档案迁转和子女入学北京大学附属幼儿园/小学/初中
五、应聘方式：
1、报名时间：本招聘长期有效，没有截止时间，按北京大学相关规定，每个季度办理1次入职手续；
2、应聘者需提交个人简历及相关证明材料以“应聘岗位+姓名”为主题或文件名发送至bshen@pku.edu.cn或xlyang@pku.edu.cn
3、初选合格者将通知本人参加面试，并提供学历、学位证书复印件和相关证明材料；
4、通过面试者到指定医院进行体检，体检合格者将被录用。
5、联系人：沈波老师，13718761650，bshen@pku.edu.cn
杨学林老师，13810594023，xlyang@pku.edu.cn
随时欢迎咨询
备注：北京大学博士后管理政策：http://postdocs.pku.edu.cn/
